基本情報

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堂島　大地

DOJIMA Daichi

所属
工学部 助教
生年
1990年
研究室住所
兵庫県三田市学園2-1
研究分野・キーワード
AlN, Crystal growth, Graphene, Semiconductor materials, SiC, Thermal etching, 熱エッチング、半導体材料、SiC、AlN、グラフェン, 結晶成長
教育研究内容
化合物半導体材料である炭化ケイ素(SiC)の革新的加工プロセス及びナノ表面制御技術を用いた、高品質窒化アルミニウム(AlN)のヘテロエピタキシャル成長
メールアドレス
d.dojima@kwansei.ac.jp
研究室電話
079-565-9727
シラバス情報
https://syllabus.kwansei.ac.jp/uniasv2/UnSSOLoginControlFree?REQ_ACTION_DO=/AGA030PLS01Action.do?REQ_FUNCTION_JUMP_START_FLG=1&SLB_LINK_DISP_FLG=689&TCH_NO=216102&REQ_PRFR_FUNC_ID=AGA030
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学位 【 表示 ／ 非表示 】

  • 学位名：修士（理学）
    分野名：ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電力工学
    授与機関名：関西学院大学
    取得方法：課程
    取得年月：2016年03月

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論文 【 表示 ／ 非表示 】

  • 記述言語：英語
    タイトル：In-situ growth modecontrol of AlN on SiC substrate by sublimation closed space technique
    誌名：Journal of Crystal Growth  483巻  （頁 206 ～ 210）
    出版年月：2017年11月
    著者：Daichi Dojima, Koji Ashida, Tadaaki Kaneko

    DOI：10.1016/j.jcrysgro.2017.11.032
    掲載種別：研究論文（学術雑誌）
    共著区分：共著
    専門分野：ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電気電子材料工学

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  • 記述言語：英語
    タイトル：Interactions Between Epitaxial Graphene Grown on the Si- and C-Faces of 4H-SiC Investigated Using Raman Imaging and Tip-Enhanced Raman Scattering
    誌名：APPLIED SPECTROSCOPY  74巻  11号  （頁 1384 ～ 1390）
    出版年月：2020年11月
    著者：Uemura Shohei, Vantasin Sanpon, Kitahama Yasutaka, Tanaka Yoshito Yannick, Suzuki Toshiaki, Doujima Daichi, Kaneko Tadaaki, Ozaki Yukihiro

    DOI：10.1177/0003702820944247
    掲載種別：研究論文（学術雑誌）
    共著区分：共著

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  • 記述言語：英語
    タイトル：Evaluation of Polishing-Induced Subsurface Damage of 4H-SiC (0001) by Cross-Sectional Electron Backscattered Diffraction and Synchrotron X-Ray Micro-Diffraction
    誌名：MRS ADVANCES  1巻  55号  （頁 3697 ～ 3702）
    出版年月：2016年
    著者：Ashida Koji, Dojima Daichi, Kutsuma Yasunori, Torimi Satoshi, Nogami Satoru, Imai Yasuhiko, Kimura Shigeru, Mizuki Jun-ichiro, Ohtani Noboru, Kaneko Tadaaki

    DOI：10.1557/adv.2016.433
    掲載種別：研究論文（学術雑誌）
    共著区分：共著

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  • 記述言語：英語
    タイトル：Characterization of SiC-grown epitaxial graphene microislands using tip-enhanced Raman spectroscopy
    誌名：PHYSICAL CHEMISTRY CHEMICAL PHYSICS  17巻  43号  （頁 28993 ～ 28999）
    出版年月：2015年
    著者：Vantasin Sanpon, Tanaka Yoshito, Uemura Shohei, Suzuki Toshiaki, Kutsuma Yasunori, Doujima Daichi, Kaneko Tadaaki, Ozaki Yukihiro

    DOI：10.1039/c5cp05014f
    掲載種別：研究論文（学術雑誌）
    共著区分：共著

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産業財産権 【 表示 ／ 非表示 】

  • 産業財産権の種類：特許権
    産業財産権名：温度分布評価方法及び温度分布評価装置
    発明者/考案者/創作者：金子忠昭，堂島大地，芦田晃嗣，井原知也，他

    出願番号：PCT/JP2020/017644，2020年04月24日
    出願人（機関）：学校法人関西学院，他
    出願国：

  • 産業財産権の種類：特許権
    産業財産権名：温度分布評価方法及び温度分布評価装置
    発明者/考案者/創作者：金子忠昭，堂島大地，芦田晃嗣，井原知也，他

    出願番号：TW109113845，2020年04月24日
    出願人（機関）：学校法人関西学院，他
    出願国：台湾

  • 産業財産権の種類：特許権
    産業財産権名：ＳｉＣ半導体基板及びその製造方法及びその製造装置
    発明者/考案者/創作者：金子忠昭，堂島大地，芦田晃嗣，井原知也，他

    出願番号：特願2020-556059，2019年11月05日
    出願人（機関）：学校法人関西学院，他
    出願国：日本国

  • 産業財産権の種類：特許権
    産業財産権名：ＳｉＣ半導体基板及びその製造方法及びその製造装置
    発明者/考案者/創作者：金子忠昭，堂島大地，芦田晃嗣，井原知也，他

    出願番号：ＴＷ108140004，2019年11月05日
    出願人（機関）：学校法人関西学院，他
    出願国：台湾

  • 産業財産権の種類：特許権
    産業財産権名：ＳｉＣ半導体基板及びその製造方法及びその製造装置
    発明者/考案者/創作者：金子忠昭，堂島大地，芦田晃嗣，井原知也，他

    出願番号：PCT/JP2019/43203，2019年11月05日
    出願人（機関）：学校法人関西学院，他
    出願国：

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