基本情報

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西谷 滋人

NISHITANI R. Shigeto


職名

教授

研究分野・キーワード

計算材料学

プロフィール

金属材料,組織制御,量子化学計算,熱統計力学

出身大学 【 表示 / 非表示

  • 学校名:京都大学
    学部(学系)名:工学部
    学科・専攻等名:金属加工学科

    学校の種類:大学
    卒業年月:1983年03月
    卒業区分:卒業
    所在国:日本国

出身大学院 【 表示 / 非表示

  • 大学院名:京都大学
    研究科名:工学研究科
    専攻名:金属加工学科

    修了課程:博士課程
    修了年月:1988年03月
    修了区分:単位取得満期退学
    所在国:日本国

留学歴 【 表示 / 非表示

  • 留学先:インペリアルカレッジ数学部
    経歴名:海外研修
    留学期間:1991年12月 ~ 1992年10月

  • 留学先:オックスフォード大学材料学部
    経歴名:海外研修
    留学期間:1992年10月 ~ 1992年12月

  • 留学先:オックスフォード大学材料学部
    経歴名:招聘研究員
    留学期間:1993年01月 ~ 1993年04月

取得学位 【 表示 / 非表示

  • 学位名:博士(工学)
    学位の分野名:材料加工・組織制御工学
    学位授与機関名:京都大学
    取得方法:課程
    取得年月:1988年07月

学内職務経歴 【 表示 / 非表示

  • 職務遂行組織:関西学院大学 理工学部 情報科学科
    経歴名:教授
    職務期間:2004年04月 ~ 継続中

所属学会・委員会 【 表示 / 非表示

  • 所属学会:金属学会

    学会所在国:日本国

  • 所属学会:物理学会

    学会所在国:日本国

  • 所属学会:鉄鋼協会

    学会所在国:日本国

  • 所属学会:DV-Xα研究協会

    学会所在国:日本国

  • 所属学会:分子シミュレーション討論会

    学会所在国:日本国

専門分野(科研費分類) 【 表示 / 非表示

  • 専門分野(科研費分類):学習支援システム

  • 専門分野(科研費分類):ソフトウェア

 

学位論文 【 表示 / 非表示

  • 記述言語:英語
    論文題目名:Formation and Growth Mechanism of Quasicrystals
    学位授与年月:1988年07月
    著者氏名(共著者含):Shigeto R. Nishitani

    共著区分:単著

論文 【 表示 / 非表示

  • 記述言語:英語
    論文題目名:First principles calculations of solute sweeping and stacking fault in Mg-Zn-Y alloy
    掲載誌名:Mater. Trans  56巻  7号  (頁 933 ~ 936)
    掲載誌 発行年月:2015年07月
    著者氏名(共著者含):Yuichi Sakamoto, Chihori Shirayama, Yosuke Yamamoto, Rika Kubo, Motoyuki Kiyohara and Shigeto R. Nishitani

    DOI:10.2320/matertrans.MH201410
    掲載種別:研究論文(学術雑誌)
    共著区分:共著
    専門分野(科研費分類):金属物性・材料

  • 記述言語:英語
    論文題目名:Nanoscopic mechanism of Cu precipitation at small-angle tilt boundaries in Si
    掲載誌名:Phys Rev B  91巻  June号  (頁 235315 ~ )
    掲載誌 発行年月:2015年06月
    著者氏名(共著者含):Yutaka Ohno,* Kaihei Inoue, Kentaro Kutsukake, Momoko Deura, and Ichiro Yonenaga, Hideto Yoshida and Seiji Takeda, Ryo Taniguchi, Hideki Otubo, and Sigeto R. Nishitani,Naoki Ebisawa, Yasuo Shimizu, Hisashi Takamizawa, Koji Inoue, and Yasuyoshi Nagai

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)
    共著区分:共著
    専門分野(科研費分類):物性Ⅰ

  • 記述言語:英語
    論文題目名:First principles calculations of solution energies of dopants around stacking faults in Si crystal
    掲載誌名:Japanese Journal of Applied Physics  53巻  6号  (頁 061302 ~ )
    掲載誌 発行年月:2014年05月
    著者氏名(共著者含):Yosuke Yamamoto, Kensuke Togase, Yutaka Ohno, Ichiro Yonenaga, and Shigeto R. Nishitani

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)
    共著区分:共著
    専門分野(科研費分類):物性Ⅰ

  • 記述言語:英語
    論文題目名:First Principles Calculations of Solute Ordering in Mg-Zn-Y Alloys.
    掲載誌名:Materials Transactions(Pub. March 1, 2013)  54巻  5号  (頁 656 ~ 660)
    掲載誌 発行年月:2013年03月
    著者氏名(共著者含):Yosuke Yamamoto, Yuichi Sakamoto, Yoshihiro Masaki and Shigeto R. Nishitani

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)
    共著区分:共著

  • 記述言語:日本語
    論文題目名:数式処理教育でのペアプロの効果
    掲載誌名:RIMS11Proc.pdf 西谷滋人,「RIMS 研究集会『数学ソフトウェアと教育-数学ソフトウェアの効率的利用に関する研究-』報告書」清水 克彦,高遠 節夫編,京都大学数理解析研究所講究録(ISSN 1880-2818)  1780巻  (頁 40 ~ 49)
    掲載誌 発行年月:2012年04月
    著者氏名(共著者含):西谷 滋人

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)
    共著区分:共著

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著書 【 表示 / 非表示

  • 記述言語:英語
    著書名:"Metastable Solvent Epitaxy of SiC, the Other Diamond Synthetics" Shigeto R. Nishitani, Kensuke Togase, Yosuke Yamamoto, Hiroyasu Fujiwara, and Tadaaki Kaneko, "Silicon Carbide",edited by Moumita Mukherjee
    出版機関名:InTech
    発行年月:2011年10月
    著者氏名(共著者含):Shigeto R. Nishitani

    著書種別:単行本(学術書)
    著書形態:単著

  • 記述言語:日本語
    著書名:"積層欠陥の第一原理計算" 戸賀瀬健介,山下裕二郎,正木 佳宏,山本洋佑,西谷滋人,「鉄鋼材料の加工硬化特性への新たな要求と基礎研究」材料の組織と特性部会,加工硬化特性と組織研究会,pp. 37-43.
    出版機関名:日本鉄鋼協会
    発行年月:2011年03月
    著者氏名(共著者含):西谷 滋人

    著書種別:単行本(学術書)
    著書形態:共著

  • 記述言語:日本語
    著書名:"数式処理ソフトMAPLEによる数学教育" 西谷滋人,「現代数理入門」宮西正宜,茨木俊秀編著,pp.211--231
    出版機関名:関西学院大学出版会
    発行年月:2009年04月
    著者氏名(共著者含):西谷 滋人

    著書種別:単行本(学術書)
    著書形態:編著

  • 記述言語:日本語
    著書名:固体物理の基礎  材料がわかる量子力学と熱統計力学
    出版機関名:森北出版
    発行年月:2006年06月
    著者氏名(共著者含):西谷 滋人

    著書種別:単行本(学術書)
    著書形態:単著

知的財産権 【 表示 / 非表示

  • 知的財産権区分:特許
    発明の名称:単結晶炭化ケイ素の液相エピタキシャル成長方法、単結晶炭化ケイ素基板の製造方法、及び単結晶炭化ケイ素基板
    発明(考案)者名:金子忠昭,西谷滋人

    出願番号:特願2007-077439,2007年03月23日
    登録番号:特許第5213096号,2013年03月08日
    出願人名称:学校法人関西学院
    出願国:日本国

  • 知的財産権区分:特許
    発明の名称:単結晶炭化ケイ素基板の表面平坦化方法、単結晶炭化ケイ素基板の製造方法、及び単結晶炭化ケイ素基板
    発明(考案)者名:金子忠昭,西谷滋人

    出願番号:特願2007-077256,2007年03月23日
    登録番号:特許第5213095号,2013年03月08日
    出願人名称:学校法人関西学院
    出願国:日本国

学術関係受賞 【 表示 / 非表示

  • 受賞学術賞名:日本金属学会 優秀ポスター賞 "SiCマイクロパイプ生成の環境依存性"(poster)).10fKinzokuTogase.pdf
    受賞年月:2010年09月
    受賞国:日本国
    受賞区分:国内学会・会議・シンポジウム等の賞
    授与機関:日本金属学会(10/9/25)
    受賞者・受賞グループ名:戸賀瀬健介(院生),西谷滋人,金子忠昭

科研費(文科省・学振)獲得実績 【 表示 / 非表示

  • 研究種目:基盤研究(B)
    研究期間:2009年04月 ~ 2012年03月
    研究題目:準安定平衡を利用したSiC結晶成長機構

受託研究受入実績 【 表示 / 非表示

  • 研究題目:Mg基長周期積層構造組織の生成機構(研究成果展開事業 研究成果最適展開支援プログラムA-STEP探索タイプ)
    研究期間:2011年08月 ~ 2012年03月
    相手先機関名:独立行政法人科学技術振興機構
    受託研究区分:一般受託研究

研究発表 【 表示 / 非表示

  • 発表(記述)言語:日本語
    会議名称:RIMS 研究集会「数式処理と教育」(10/8/31)
    会議区分:国内会議
    開催期間:2010年08月
    開催場所:京都大学数理解析研究室
    題目又はセッション名:数式処理ソフトを用いた協同学習の試み(oral)
    発表形態:口頭(一般)

  • 発表(記述)言語:英語
    会議名称:Calphad XXXXIX(10/May/27)
    会議区分:国際会議
    開催期間:2010年05月
    開催場所:Jeju, Korea
    題目又はセッション名:Micropipes and surface energy of compound semiconductors(oral)
    発表形態:口頭(一般)

 

担当授業科目 【 表示 / 非表示

  • 履修年度:2017年度(西暦)

    提供部署名:理工学部

    授業科目名:コンピュータ演習A

    授業形式:代表者

  • 履修年度:2017年度(西暦)

    提供部署名:理工学研究科前期

    授業科目名:マルチスケールシミュレーション特論

    授業形式:代表者

  • 履修年度:2017年度(西暦)

    提供部署名:理工学部

    授業科目名:モデリング物理学

    授業形式:代表者

  • 履修年度:2017年度(西暦)

    提供部署名:理工学部

    授業科目名:卒業実験及び演習

    授業形式:代表者

  • 履修年度:2017年度(西暦)

    提供部署名:理工学部

    授業科目名:卒業実験及び演習(情報システムコース)

    授業形式:代表者

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学内委員会等 【 表示 / 非表示

  • 活動名称:情報環境副機構長
    活動期間:2016年04月 ~ 2018年03月

  • 活動名称:知財産学連携センター委員
    活動期間:2014年04月 ~ 2017年03月

  • 活動名称:情報環境副機構長
    活動期間:2014年04月 ~ 2015年03月

  • 活動名称:情報環境機構副機構長(2013)
    活動期間:2013年04月 ~ 2014年03月

  • 活動名称:高等教育センター副長(2011,12)
    活動期間:2013年04月 ~ 2014年03月