基本情報

写真b

西谷 滋人

NISHITANI R. Shigeto

所属
工学部 情報工学課程
研究分野・キーワード
計算材料学
研究概要
金属材料,組織制御,量子化学計算,熱統計力学
SDGs 関連ゴール

出身大学 【 表示 / 非表示

  • 学校名:京都大学
    学部(学系)名:工学部
    学科・専攻等名:金属加工学科

    学校の種類:大学
    卒業年月:1983年03月
    卒業区分:卒業
    国名:日本国

出身大学院 【 表示 / 非表示

  • 学校名:京都大学
    学部等名:工学研究科
    学科等名:金属加工学科

    修了課程:博士課程
    修了年月:1988年03月
    修了区分:単位取得満期退学
    国名:日本国

留学歴 【 表示 / 非表示

  • 留学先:オックスフォード大学材料学部
    経歴名:招聘研究員
    年月:1993年01月 ~ 1993年04月

  • 留学先:オックスフォード大学材料学部
    経歴名:海外研修
    年月:1992年10月 ~ 1992年12月

  • 留学先:インペリアルカレッジ数学部
    経歴名:海外研修
    年月:1991年12月 ~ 1992年10月

学位 【 表示 / 非表示

  • 学位名:博士(工学)
    分野名:ナノテク・材料 / 材料加工、組織制御
    授与機関名:京都大学
    取得方法:課程
    取得年月:1988年07月

経歴 【 表示 / 非表示

  • 所属:関西学院大学
    職名:教授
    年月:2004年04月 ~ 継続中

所属学協会 【 表示 / 非表示

  • 所属学協会名:金属学会

    学会所在国:日本国

  • 所属学協会名:物理学会

    学会所在国:日本国

  • 所属学協会名:鉄鋼協会

    学会所在国:日本国

  • 所属学協会名:DV-Xα研究協会

    学会所在国:日本国

  • 所属学協会名:分子シミュレーション討論会

    学会所在国:日本国

研究分野 【 表示 / 非表示

  • 研究分野:情報通信 / 学習支援システム

  • 研究分野:情報通信 / ソフトウェア

  • 研究分野:自然科学一般 / 磁性、超伝導、強相関系

  • 研究分野:情報通信 / 高性能計算

  • 研究分野:ナノテク・材料 / 金属材料物性

論文 【 表示 / 非表示

  • 記述言語:英語
    タイトル:First principles calculations of solute sweeping and stacking fault in Mg-Zn-Y alloy
    誌名:Mater. Trans  56巻  7号  (頁 933 ~ 936)
    出版年月:2015年07月
    著者:Yuichi Sakamoto, Chihori Shirayama, Yosuke Yamamoto, Rika Kubo, Motoyuki Kiyohara and Shigeto R. Nishitani

    DOI:10.2320/matertrans.MH201410
    掲載種別:研究論文(学術雑誌)
    共著区分:共著
    専門分野:ナノテク・材料 / 金属材料物性

      外部サイトへのリンクを表示

  • 記述言語:英語
    タイトル:Nanoscopic mechanism of Cu precipitation at small-angle tilt boundaries in Si
    誌名:Phys Rev B  91巻  June号  (頁 235315 ~ )
    出版年月:2015年06月
    著者:Yutaka Ohno,* Kaihei Inoue, Kentaro Kutsukake, Momoko Deura, and Ichiro Yonenaga, Hideto Yoshida and Seiji Takeda, Ryo Taniguchi, Hideki Otubo, and Sigeto R. Nishitani,Naoki Ebisawa, Yasuo Shimizu, Hisashi Takamizawa, Koji Inoue, and Yasuyoshi Nagai

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)
    共著区分:共著
    専門分野:自然科学一般 / 半導体、光物性、原子物理

  • 記述言語:英語
    タイトル:First principles calculations of solution energies of dopants around stacking faults in Si crystal
    誌名:Japanese Journal of Applied Physics  53巻  6号  (頁 061302 ~ )
    出版年月:2014年05月
    著者:Yosuke Yamamoto, Kensuke Togase, Yutaka Ohno, Ichiro Yonenaga, and Shigeto R. Nishitani

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)
    共著区分:共著
    専門分野:自然科学一般 / 半導体、光物性、原子物理

  • 記述言語:英語
    タイトル:First Principles Calculations of Solute Ordering in Mg-Zn-Y Alloys.
    誌名:Materials Transactions(Pub. March 1, 2013)  54巻  5号  (頁 656 ~ 660)
    出版年月:2013年03月
    著者:Yosuke Yamamoto, Yuichi Sakamoto, Yoshihiro Masaki and Shigeto R. Nishitani

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)
    共著区分:共著

  • 記述言語:日本語
    タイトル:数式処理教育でのペアプロの効果
    誌名:RIMS11Proc.pdf 西谷滋人,「RIMS 研究集会『数学ソフトウェアと教育-数学ソフトウェアの効率的利用に関する研究-』報告書」清水 克彦,高遠 節夫編,京都大学数理解析研究所講究録(ISSN 1880-2818)  1780巻  (頁 40 ~ 49)
    出版年月:2012年04月
    著者:西谷 滋人

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)
    共著区分:共著

全件表示 >>

書籍等出版物 【 表示 / 非表示

  • 記述言語:英語
    タイトル:"Metastable Solvent Epitaxy of SiC, the Other Diamond Synthetics" Shigeto R. Nishitani, Kensuke Togase, Yosuke Yamamoto, Hiroyasu Fujiwara, and Tadaaki Kaneko, "Silicon Carbide",edited by Moumita Mukherjee
    出版者・発行元:InTech
    発行年月:2011年10月
    著者:Shigeto R. Nishitani

    著書種別:学術書
    担当区分:単著

  • 記述言語:日本語
    タイトル:"積層欠陥の第一原理計算" 戸賀瀬健介,山下裕二郎,正木 佳宏,山本洋佑,西谷滋人,「鉄鋼材料の加工硬化特性への新たな要求と基礎研究」材料の組織と特性部会,加工硬化特性と組織研究会,pp. 37-43.
    出版者・発行元:日本鉄鋼協会
    発行年月:2011年03月
    著者:西谷 滋人

    著書種別:学術書
    担当区分:共著

  • 記述言語:日本語
    タイトル:"数式処理ソフトMAPLEによる数学教育" 西谷滋人,「現代数理入門」宮西正宜,茨木俊秀編著,pp.211--231
    出版者・発行元:関西学院大学出版会
    発行年月:2009年04月
    著者:西谷 滋人

    著書種別:学術書
    担当区分:編集

  • 記述言語:日本語
    タイトル:固体物理の基礎  材料がわかる量子力学と熱統計力学
    出版者・発行元:森北出版
    発行年月:2006年06月
    著者:西谷 滋人

    著書種別:学術書
    担当区分:単著

MISC 【 表示 / 非表示

  • 記述言語:日本語
    タイトル:第一原理計算の注意点 –アルミニウム粒界のエネルギー収束性を例に–
    出版者・発行元:軽金属学会
    誌名:軽金属  69巻  10号  (頁 518 ~ )
    出版年月:2019年09月
    著者:西谷滋人, 大澤一人, 山本洋佑

    掲載種別:記事・総説・解説・論説等(大学・研究所紀要)
    共著区分:共著

産業財産権 【 表示 / 非表示

  • 産業財産権の種類:
    産業財産権名:単結晶炭化ケイ素の液相エピタキシャル成長方法、単結晶炭化ケイ素基板の製造方法、及び単結晶炭化ケイ素基板
    発明者/考案者/創作者:金子忠昭,西谷滋人

    出願番号:特願2007-077439,2007年03月23日
    特許番号/登録番号:特許第5213096号,2013年03月08日
    出願人(機関):学校法人関西学院
    出願国:日本国

  • 産業財産権の種類:
    産業財産権名:単結晶炭化ケイ素基板の表面平坦化方法、単結晶炭化ケイ素基板の製造方法、及び単結晶炭化ケイ素基板
    発明者/考案者/創作者:金子忠昭,西谷滋人

    出願番号:特願2007-077256,2007年03月23日
    特許番号/登録番号:特許第5213095号,2013年03月08日
    出願人(機関):学校法人関西学院
    出願国:日本国

受賞 【 表示 / 非表示

  • 賞名:日本金属学会 優秀ポスター賞 "SiCマイクロパイプ生成の環境依存性"(poster)).10fKinzokuTogase.pdf
    受賞年月:2010年09月
    受賞国:日本国
    受賞区分:国内学会・会議・シンポジウム等の賞
    授与機関:日本金属学会(10/9/25)
    受賞者(グループ):戸賀瀬健介(院生),西谷滋人,金子忠昭

共同研究・競争的資金等の研究課題 【 表示 / 非表示

  • 研究種目:基盤研究(C)
    研究期間:2020年04月 ~ 2023年03月
    タイトル:格子欠陥自由エネルギーの精密計算法の開発

  • 研究種目:
    研究期間:2011年08月 ~ 2012年03月
    タイトル:Mg基長周期積層構造組織の生成機構(研究成果展開事業 研究成果最適展開支援プログラムA-STEP探索タイプ)

    提供機関:独立行政法人科学技術振興機構

  • 研究種目:基盤研究(B)
    研究期間:2009年04月 ~ 2012年03月
    タイトル:準安定平衡を利用したSiC結晶成長機構

      外部サイトへのリンクを表示

講演・口頭発表等 【 表示 / 非表示

  • 記述言語:日本語
    会議名:RIMS 研究集会「数式処理と教育」(10/8/31)
    国際・国内会議:国内会議
    開催年月:2010年08月
    開催地:京都大学数理解析研究室
    タイトル:数式処理ソフトを用いた協同学習の試み(oral)
    会議種別:口頭発表(一般)

  • 記述言語:英語
    会議名:Calphad XXXXIX(10/May/27)
    国際・国内会議:国際会議
    開催年月:2010年05月
    開催地:Jeju, Korea
    タイトル:Micropipes and surface energy of compound semiconductors(oral)
    会議種別:口頭発表(一般)

担当授業科目(学内) 【 表示 / 非表示

  • 履修年度:2022年度(西暦)

    提供部署名:理工学部

    授業科目名:コンピュータ演習A

    授業形式:代表者

  • 履修年度:2022年度(西暦)

    提供部署名:工学部

    授業科目名:コンピュータ演習A

    授業形式:代表者

  • 履修年度:2022年度(西暦)

    提供部署名:理工学研究科前期

    授業科目名:マルチスケールシミュレーション特論

    授業形式:代表者

  • 履修年度:2022年度(西暦)

    提供部署名:理工学部

    授業科目名:モデリング物理学

    授業形式:代表者

  • 履修年度:2022年度(西暦)

    提供部署名:理工学部

    授業科目名:卒業実験及び演習(情報システムコース)

    授業形式:代表者

全件表示 >>

学内活動 【 表示 / 非表示

  • 活動名称:情報環境副機構長
    活動期間:201604(年月) ~ 201903(年月)

  • 活動名称:知財産学連携センター委員
    活動期間:201404(年月) ~ 201703(年月)

  • 活動名称:情報環境副機構長
    活動期間:201404(年月) ~ 201503(年月)

  • 活動名称:情報環境機構副機構長(2013)
    活動期間:201304(年月) ~ 201403(年月)

  • 活動名称:高等教育センター副長(2011,12)
    活動期間:201304(年月) ~ 201403(年月)