基本情報

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鹿田 真一

SHIKATA Shinichi


研究分野・キーワード

ダイヤモンド、ワイドギャップ材料、表面弾性波デバイス、電子デバイス、結晶工学

ホームページ

http://www.kg-nanotech.jp/shikata/

出身大学 【 表示 / 非表示

  • 学校名:京都大学
    学部(学系)名:工学部

    学校の種類:大学
    卒業年月:1978年03月
    卒業区分:卒業
    所在国:日本国

出身大学院 【 表示 / 非表示

  • 大学院名:京都大学
    研究科名:工学研究科

    修了課程:修士課程
    修了年月:1980年03月
    修了区分:修了
    所在国:日本国

取得学位 【 表示 / 非表示

  • 学位名:工学博士
    学位の分野名:電子・電気材料工学
    学位授与機関名:大阪大学
    取得方法:論文
    取得年月:2004年07月

所属学会・委員会 【 表示 / 非表示

  • 所属学会:IEEE

    学会所在国:アメリカ合衆国

  • 所属学会:電子情報通信学会

    学会所在国:日本国

  • 所属学会:応用物理学会

    学会所在国:日本国

専門分野(科研費分類) 【 表示 / 非表示

  • 専門分野(科研費分類):電子・電気材料工学

取得資格 【 表示 / 非表示

  • 資格名:衛生工学衛生管理者

 

論文 【 表示 / 非表示

  • 記述言語:英語
    論文題目名:Evaluation of p+ HPHT diamond substrate for power device application
    掲載誌名:Diamond and Related Materials  73巻  (頁 241 ~ 247)
    掲載誌 発行年月:2017年03月
    著者氏名(共著者含):S.Shikata, Y.Tsuchida, K.Yamaguchi, E.Kamei, D.Fukunaga, Y.Tabuchi and N.Ohtani

    DOI:doi.org/10.1016/j.diamond.2016.10.001
    掲載種別:研究論文(学術雑誌)
    共著区分:共著

  • 記述言語:英語
    論文題目名:X-ray absorption fine structure study on heavily P doped (111) and (001) diamond
    掲載誌名:Applied Physics Letters  110巻  (頁 072106 ~ )
    掲載誌 発行年月:2017年02月
    著者氏名(共著者含):S.Shikata, K.Yamaguchi, A.Fujiwara, Y.Tamenori, J.Yahiro, M.Kunisu and T.Yamada

    DOI:10.1063/1.4975062
    掲載種別:研究論文(学術雑誌)
    共著区分:共著

  • 記述言語:英語
    論文題目名:Formation of Nitrogen-Vacancy Centers in Homoepitaxial Diamond Thin Films Grown via Microwave Plasma-Assisted Chemical Vapor Deposition
    掲載誌名:IEEE Transactions on Nanotechnology  15巻  4号  (頁 614 ~ 618)
    掲載誌 発行年月:2016年07月
    著者氏名(共著者含):H.Watanabe, H.Umezawa,T.Ishikawa, K.Kaneko, S.Shikata, J.I.Hayase, and K.M.Itoh

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)
    共著区分:共著

  • 記述言語:英語
    論文題目名:Single crystal diamond wafer for high power electronics
    掲載誌名:Diamond and Related Materials  65巻  (頁 168 ~ 175)
    掲載誌 発行年月:2016年05月
    著者氏名(共著者含):S.Shikata

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)
    共著区分:単著

  • 記述言語:英語
    論文題目名:High performance diamond radiation detectors fabricated using productive lift-off method
    掲載誌名:European Physical Letter  113巻  (頁 62001 ~ )
    掲載誌 発行年月:2016年04月
    著者氏名(共著者含):T.Shimaoka, J.Kaneko, M.Tsubota, H.Watanabe, A.Chayahara, H.Umezawa and S.Shikata

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)
    共著区分:共著

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著書 【 表示 / 非表示

  • 記述言語:日本語
    著書名:DLCの基礎と応用展開
    出版機関名:シーエムシ―出版
    発行年月:2016年07月
    著者氏名(共著者含):鹿田真一

    著書種別:単行本(学術書)
    著書形態:共著

  • 記述言語:日本語
    著書名:次世代パワー半導体の高性能化と産業展開 第7章
    出版機関名:シーエムシ―出版
    発行年月:2015年06月
    著者氏名(共著者含):鹿田真一

    著書種別:単行本(学術書)
    著書形態:共著

学術関係受賞 【 表示 / 非表示

  • 受賞学術賞名:日本トライボロジー学会TROL論文賞
    受賞年月:2016年05月
    受賞国:日本国
    受賞区分:学会誌・学術雑誌による顕彰
    授与機関:日本トライボロジー学会
    受賞者・受賞グループ名:A.Kajita, M.Tohyama, H.Washizu,T.Ohmori,H.Watanabe and S.Shikata

科研費(文科省・学振)獲得実績 【 表示 / 非表示

  • 研究種目:基盤研究(B)
    研究期間:2016年04月 ~ 2019年03月
    研究題目:軽元素同位体制御工学の実現に向けたダイヤモンドの物性解明

  • 研究種目:基盤研究(A)
    研究期間:2013年06月 ~ 2016年03月
    研究題目:低欠陥ダイヤモンドウェハ

 

担当授業科目 【 表示 / 非表示

  • 履修年度:2017年度(西暦)

    提供部署名:理工学部

    授業科目名:エネルギー電気・電子回路工学

    授業形式:代表者

  • 履修年度:2017年度(西暦)

    提供部署名:理工学部

    授業科目名:先進エネルギーナノ工学入門

    授業形式:代表者

  • 履修年度:2017年度(西暦)

    提供部署名:理工学部

    授業科目名:卒業実験及び演習

    授業形式:代表者

  • 履修年度:2017年度(西暦)

    提供部署名:理工学部

    授業科目名:外国書講読

    授業形式:代表者

  • 履修年度:2017年度(西暦)

    提供部署名:理工学研究科前期

    授業科目名:文献演習

    授業形式:代表者

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