基本情報

写真b

鹿田　真一

SHIKATA Shinichi

所属
工学部 電気電子応用工学課程
研究分野・キーワード
ダイヤモンド, ワイドギャップ材料, 表面弾性波デバイス, 電子デバイス, 結晶工学
研究概要
地球温暖化で危機的状況を回避するために、2050年に世界で温暖化ガス排出50％減、先進国80％減が勧告されています。地球温暖化問題は、結局エネルギー問題である事、そもそもの化石燃料の近未来の枯渇を考えると、その関連技術の開発は待ったなしの状況にあり、皆さん若い世代の任務は「古今東西」の中でも際立つ最重要任務と言えるでしょう。
エネルギーを創る、蓄える、運ぶ、使うという本学科の４つのコンセプトの中で、「耐環境機能材料・デバイス研究室」では、いかに上手にエネルギーを使うか、というパワーエレクトロニクスに関するマテリアル研究を行います。エネルギー対応計画の中で、省エネルギー技術には削減量の内の1/3の貢献が求められているが、その研究開発の中心となるワイドギャップ半導体材料、ここでは特に究極の材料「ダイヤモンド」を取り上げ、マテリアルからデバイスに至る課題の解決を目指します。その他、耐熱・耐放射線など耐環境用途を目指したマテリアル・デバイスに関しても取り上げます。
URL
http://www.kg-nanotech.jp/shikata/
シラバス情報
https://syllabus.kwansei.ac.jp/uniasv2/UnSSOLoginControlFree?REQ_ACTION_DO=/AGA030PLS01Action.do?REQ_FUNCTION_JUMP_START_FLG=1&SLB_LINK_DISP_FLG=350&TCH_NO=150005&REQ_PRFR_FUNC_ID=AGA030
SDGs 関連ゴール
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出身大学 【 表示 ／ 非表示 】

  • 学校名：京都大学
    学部（学系）名：工学部

    学校の種類：大学
    卒業年月：1978年03月
    卒業区分：卒業
    国名：日本国

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出身大学院 【 表示 ／ 非表示 】

  • 学校名：京都大学
    学部等名：工学研究科

    修了課程：修士課程
    修了年月：1980年03月
    修了区分：修了
    国名：日本国

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学位 【 表示 ／ 非表示 】

  • 学位名：工学博士
    分野名：ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電気電子材料工学
    授与機関名：大阪大学
    取得方法：論文
    取得年月：2004年07月

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所属学協会 【 表示 ／ 非表示 】

  • 所属学協会名：IEEE

    学会所在国：アメリカ合衆国

  • 所属学協会名：電子情報通信学会

    学会所在国：日本国

  • 所属学協会名：応用物理学会

    学会所在国：日本国

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研究分野 【 表示 ／ 非表示 】

  • 研究分野：ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電気電子材料工学

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取得資格 【 表示 ／ 非表示 】

  • 資格名：衛生工学衛生管理者

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論文 【 表示 ／ 非表示 】

  • 記述言語：英語
     2巻  1号  （頁 174 ～ 190）
    出版年月：2022年12月

    DOI：10.1080/26941112.2022.2149279
    掲載種別：研究論文（学術雑誌）

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  • タイトル：Effect of surface irregularities on diamond Schottky barrier diode with threading dislocations (vol 127, 109188, 2022)
    誌名：DIAMOND AND RELATED MATERIALS  128巻
    出版年月：2022年10月
    著者：Mikata N., Takeuchi M., Ohtani N., Ichikawa K., Teraji T., Shikata S.

    DOI：10.1016/j.diamond.2022.109262

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  • タイトル：Effect of surface irregularities on diamond Schottky barrier diode with threading dislocations
    誌名：DIAMOND AND RELATED MATERIALS  127巻
    出版年月：2022年08月
    著者：Mikata N., Takeuchi M., Ohtani N., Ichikawa K., Teraji T., Shikata S.

    DOI：10.1016/j.diamond.2022.109188

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  • タイトル：Complete analysis of dislocations in single crystal diamonds
    誌名：DIAMOND AND RELATED MATERIALS  126巻
    出版年月：2022年06月
    著者：Sato Y., Miyajima K., Shikata S.

    DOI：10.1016/j.diamond.2022.109129

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  • タイトル：Analysis method of diamond dislocation vectors using reflectance mode X-ray topography
    誌名：DIAMOND AND RELATED MATERIALS  118巻
    出版年月：2021年10月
    著者：Shikata S., Miyajima K., Akashi N.

    DOI：10.1016/j.diamond.2021.108502

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  • ”Effect of surface irregularities on diamond Schottky barrier diode with threading dislocations”,
    N.Mikata, M.Takeuchi, N. Ohtani, K.Ichikawa, T.Teraji, and S.Shikata
    Diam. Relat. Mat., 127 (2022) 109188
    https://doi.org/10.1016/j.diamond.2022.109188

  • ”Complete analysis of dislocations in single crystal diamonds”,
    Y. Sato, K. Miyajima and S. Shikata
    Diam. Relat. Mat., 126(2022)109129
    https://doi.org/10.1016/j.diamond.2022.109129


  • “Analysis method of diamond dislocation vectors using reflectance mode X-ray topography”,
    S.Shikata, K.Miyajima, and N.Akashi
    Diam.Relat.Mat.,118 (2021) 108502
    doi.org/10.1016/j.diamond.2021.108502

  • “Forbidden X-ray diffraction of highly B doped diamond substrate”,
    K. Kouda, Y.Sato, M.Takeuchi, H.Takahashi and S. Shikata
    Jap.J.Appl.Phys., 60 (2021) 071002
    doi.org/10.35848/1347-4065/ac0b23

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書籍等出版物 【 表示 ／ 非表示 】

  • 記述言語：日本語
    タイトル：DLCの基礎と応用展開
    出版者・発行元：シーエムシ―出版
    発行年月：2016年07月
    著者：鹿田真一

    著書種別：学術書
    担当区分：共著

  • 記述言語：日本語
    タイトル：次世代パワー半導体の高性能化と産業展開　第７章
    出版者・発行元：シーエムシ―出版
    発行年月：2015年06月
    著者：鹿田真一

    著書種別：学術書
    担当区分：共著

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  • 次世代パワー半導体の高性能化と産業展開　普及版
    ISBN978-4-7813-1629-1
    第７章（2022）シーエムシ―出版
    鹿田真一

  • 次世代パワー半導体の開発動向と応用展開
    ISBN978-7813-1613-0
    第２章４　ダイヤモンド半導体
    鹿田真一

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MISC 【 表示 ／ 非表示 】

  • 工業材料　2022　冬号　
    ISSN-0452-2834
    次世代パワー半導体の動向と周辺技術の現在
    鹿田真一

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受賞 【 表示 ／ 非表示 】

  • 賞名：日本トライボロジー学会TROL論文賞
    受賞年月：2016年05月
    受賞国：日本国
    受賞区分：学会誌・学術雑誌による顕彰
    授与機関：日本トライボロジー学会
    受賞者（グループ）：A.Kajita, M.Tohyama, H.Washizu,T.Ohmori,H.Watanabe and S.Shikata

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共同研究・競争的資金等の研究課題 【 表示 ／ 非表示 】

  • 研究種目：基盤研究(B)
    研究期間：2019年04月 ～ 2022年03月
    タイトル：ダイヤモンド欠陥の同定と低減に関する研究

  • 研究種目：基盤研究(B)
    研究期間：2016年04月 ～ 2019年03月
    タイトル：軽元素同位体制御工学の実現に向けたダイヤモンドの物性解明

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  • 研究種目：基盤研究(A)
    研究期間：2013年06月 ～ 2016年03月
    タイトル：低欠陥ダイヤモンドウェハ

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講演・口頭発表等 【 表示 ／ 非表示 】

  • “逆方向リーク電流の違いを有するダイヤモンド貫通転位の観察”
    竹内 茉莉花，見方 尚輝，市川 公善、寺地 徳之、大谷 昇，鹿田 真一
    応用物理学会　先進パワー半導体分科会　第8回講演会　12/9-10　（2021）オンライン

  • ”X線トポグラフィを用いたダイヤモンドHPHT基板の結晶転位解析”,
    佐藤雄哉、宮嶋孝輔、明石直也、鹿田真一
    第３５回ダイヤモンドシンポジウム、11/17－19（2021）オンライン開催

  • “Diamond thinfilm processing, defect control and surface tailoring for electronic device development”, S. Kumaragurubaran, H.Umezawa, T. Yamada and S.Shikata, Third Indian Materials Conclave,
    Materials Research Society of India, Dec. 20-23 (2021)

  • “Surface recovery after Ga-focused ion beam irradiation on diamond”,
    S. Kumaragurubaran, Takatoshi Yamada, and Shin-ichi Shikata
    New Diamond and Nano Carbons 2020/2021, Online, Japan, June 7-9 (2021)

  • “Dislocation features of various type of diamond substrates”,
    S. Shikata, K.Miyajima, E. Kamei, and N. Akashi
    New Diamond and Nano Carbons 2020/2021, Online, Japan, June 7-9 (2021)

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担当授業科目（学内） 【 表示 ／ 非表示 】

  • 履修年度：2022年度（西暦）

    提供部署名：理工学部

    授業科目名：エネルギー電気・電子回路工学

    授業形式：代表者

  • 履修年度：2022年度（西暦）

    提供部署名：理工学部

    授業科目名：先進エネルギーナノ工学入門

    授業形式：代表者

  • 履修年度：2022年度（西暦）

    提供部署名：理工学部

    授業科目名：卒業実験及び演習

    授業形式：代表者

  • 履修年度：2022年度（西暦）

    提供部署名：理工学部

    授業科目名：外国書講読

    授業形式：代表者

  • 履修年度：2022年度（西暦）

    提供部署名：工学部

    授業科目名：応用数学II

    授業形式：代表者

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