基本情報

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鹿田 真一

SHIKATA Shinichi

研究分野・キーワード
ダイヤモンド、ワイドギャップ材料、表面弾性波デバイス、電子デバイス、結晶工学
研究概要
地球温暖化で危機的状況を回避するために、2050年に世界で温暖化ガス排出50%減、先進国80%減が勧告されています。地球温暖化問題は、結局エネルギー問題である事、そもそもの化石燃料の近未来の枯渇を考えると、その関連技術の開発は待ったなしの状況にあり、皆さん若い世代の任務は「古今東西」の中でも際立つ最重要任務と言えるでしょう。
エネルギーを創る、蓄える、運ぶ、使うという本学科の4つのコンセプトの中で、「耐環境機能材料・デバイス研究室」では、いかに上手にエネルギーを使うか、というパワーエレクトロニクスに関するマテリアル研究を行います。エネルギー対応計画の中で、省エネルギー技術には削減量の内の1/3の貢献が求められているが、その研究開発の中心となるワイドギャップ半導体材料、ここでは特に究極の材料「ダイヤモンド」を取り上げ、マテリアルからデバイスに至る課題の解決を目指します。その他、耐熱・耐放射線など耐環境用途を目指したマテリアル・デバイスに関しても取り上げます。
SDGs 関連ゴール

出身大学 【 表示 / 非表示

  • 学校名:京都大学
    学部(学系)名:工学部

    学校の種類:大学
    卒業年月:1978年03月
    卒業区分:卒業
    所在国:日本国

出身大学院 【 表示 / 非表示

  • 大学院名:京都大学
    研究科名:工学研究科

    修了課程:修士課程
    修了年月:1980年03月
    修了区分:修了
    所在国:日本国

取得学位 【 表示 / 非表示

  • 学位名:工学博士
    学位の分野名:電子・電気材料工学
    学位授与機関名:大阪大学
    取得方法:論文
    取得年月:2004年07月

所属学会・委員会 【 表示 / 非表示

  • 所属学会:IEEE

    学会所在国:アメリカ合衆国

  • 所属学会:電子情報通信学会

    学会所在国:日本国

  • 所属学会:応用物理学会

    学会所在国:日本国

専門分野(科研費分類) 【 表示 / 非表示

  • 専門分野(科研費分類):電子・電気材料工学

取得資格 【 表示 / 非表示

  • 資格名:衛生工学衛生管理者

 

学位論文 【 表示 / 非表示

  • 記述言語:日本語
    論文題目名:高周波ダイヤモンド弾性表面波デバイスに関する研究 (大阪大学工博18970号)
    学位授与年月:2004年07月
    著者氏名(共著者含):鹿田真一

    共著区分:単著

論文 【 表示 / 非表示

  • 記述言語:英語
    論文題目名:Polarized Raman spectroscopy of phophorous doped diamond films
    掲載誌名:Diamond and Related Materials  114巻
    掲載誌 発行年月:2021年02月
    著者氏名(共著者含):M.Matsuoka, Y.Tsuchida, N.Ohtani, T.Yamada, S.Koizumi and S.Shikata

    DOI:10.1016/j.diamond.2021.108283
    掲載種別:研究論文(学術雑誌)
    共著区分:共著

  • 記述言語:英語
    論文題目名:High frequency surface acoustic wave resonator with ScAlN / hetero-epitaxial diamond
    掲載誌名:Diamond and Related Materials  114巻
    掲載誌 発行年月:2020年11月
    著者氏名(共著者含):Y. Kobayashi , T.Tsuchiya, M.Okazaki, Y. Asao , K. Hashimoto, and S. Shikata

    DOI:10.1016/j.diamond.2020.108190
    掲載種別:研究論文(学術雑誌)
    共著区分:共著

  • 記述言語:英語
    論文題目名:Influence of threading dislocation on diamond Schottky barrier diode characteristics
    掲載誌名:Diamond and Related Materials
    掲載誌 発行年月:2020年08月
    著者氏名(共著者含):N.Akashi, N.Fujimaki, and S.Shikata

    DOI:10.1016/j.diamond.2020.108024
    掲載種別:研究論文(学術雑誌)
    共著区分:共著

  • 記述言語:英語
    論文題目名:Dislocation vector analysis method of deep dislocation having c-axis segment in diamond
    掲載誌名:Material Science Forum
    掲載誌 発行年月:2020年07月
    著者氏名(共著者含):Shinichi Shikata and Naoya Akashi

    DOI:doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.1004.519
    掲載種別:研究論文(学術雑誌)
    共著区分:共著

  • 記述言語:英語
    論文題目名:X-ray absorption near edge structure and extended X-ray absorption fine
    掲載誌名:Diamond and Related Materials  105巻  (頁 107769 ~ )
    掲載誌 発行年月:2020年02月
    著者氏名(共著者含):S.Shikata, K.Yamaguchi, A.Fujiwara, Y.Tamenori, K.Tsuruta, T.Yamada, S.S.Nicley, K.Haenen and S.Koizumi

    DOI:doi.org/10.1016/j.diamond.2020.107769
    掲載種別:研究論文(学術雑誌)
    共著区分:共著

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  • ”Effect of surface irregularities on diamond Schottky barrier diode with threading dislocations”,
    N.Mikata, M.Takeuchi, N. Ohtani, K.Ichikawa, T.Teraji, and S.Shikata
    Diam. Relat. Mat., 127 (2022) 109188
    https://doi.org/10.1016/j.diamond.2022.109188

  • ”Complete analysis of dislocations in single crystal diamonds”,
    Y. Sato, K. Miyajima and S. Shikata
    Diam. Relat. Mat., 126(2022)109129
    https://doi.org/10.1016/j.diamond.2022.109129


  • “Analysis method of diamond dislocation vectors using reflectance mode X-ray topography”,
    S.Shikata, K.Miyajima, and N.Akashi
    Diam.Relat.Mat.,118 (2021) 108502
    doi.org/10.1016/j.diamond.2021.108502

  • “Forbidden X-ray diffraction of highly B doped diamond substrate”,
    K. Kouda, Y.Sato, M.Takeuchi, H.Takahashi and S. Shikata
    Jap.J.Appl.Phys., 60 (2021) 071002
    doi.org/10.35848/1347-4065/ac0b23

著書 【 表示 / 非表示

  • 記述言語:日本語
    著書名:DLCの基礎と応用展開
    出版機関名:シーエムシ―出版
    発行年月:2016年07月
    著者氏名(共著者含):鹿田真一

    著書種別:単行本(学術書)
    著書形態:共著

  • 記述言語:日本語
    著書名:次世代パワー半導体の高性能化と産業展開 第7章
    出版機関名:シーエムシ―出版
    発行年月:2015年06月
    著者氏名(共著者含):鹿田真一

    著書種別:単行本(学術書)
    著書形態:共著

  • 次世代パワー半導体の高性能化と産業展開 普及版
    ISBN978-4-7813-1629-1
    第7章(2022)シーエムシ―出版
    鹿田真一

  • 次世代パワー半導体の開発動向と応用展開
    ISBN978-7813-1613-0
    第2章4 ダイヤモンド半導体
    鹿田真一

総説・解説記事・調査報告 【 表示 / 非表示

  • 工業材料 2022 冬号 
    ISSN-0452-2834
    次世代パワー半導体の動向と周辺技術の現在
    鹿田真一

学術関係受賞 【 表示 / 非表示

  • 受賞学術賞名:日本トライボロジー学会TROL論文賞
    受賞年月:2016年05月
    受賞国:日本国
    受賞区分:学会誌・学術雑誌による顕彰
    授与機関:日本トライボロジー学会
    受賞者・受賞グループ名:A.Kajita, M.Tohyama, H.Washizu,T.Ohmori,H.Watanabe and S.Shikata

科研費(文科省・学振)獲得実績 【 表示 / 非表示

  • 研究種目:基盤研究(B)
    研究期間:2019年04月 ~ 2022年03月
    研究題目:ダイヤモンド欠陥の同定と低減に関する研究

  • 研究種目:基盤研究(B)
    研究期間:2016年04月 ~ 2019年03月
    研究題目:軽元素同位体制御工学の実現に向けたダイヤモンドの物性解明

  • 研究種目:基盤研究(A)
    研究期間:2013年06月 ~ 2016年03月
    研究題目:低欠陥ダイヤモンドウェハ

研究発表 【 表示 / 非表示

  • “逆方向リーク電流の違いを有するダイヤモンド貫通転位の観察”
    竹内 茉莉花,見方 尚輝,市川 公善、寺地 徳之、大谷 昇,鹿田 真一
    応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第8回講演会 12/9-10 (2021)オンライン

  • ”X線トポグラフィを用いたダイヤモンドHPHT基板の結晶転位解析”,
    佐藤雄哉、宮嶋孝輔、明石直也、鹿田真一
    第35回ダイヤモンドシンポジウム、11/17-19(2021)オンライン開催

  • “Diamond thinfilm processing, defect control and surface tailoring for electronic device development”, S. Kumaragurubaran, H.Umezawa, T. Yamada and S.Shikata, Third Indian Materials Conclave,
    Materials Research Society of India, Dec. 20-23 (2021)

  • “Surface recovery after Ga-focused ion beam irradiation on diamond”,
    S. Kumaragurubaran, Takatoshi Yamada, and Shin-ichi Shikata
    New Diamond and Nano Carbons 2020/2021, Online, Japan, June 7-9 (2021)

  • “Dislocation features of various type of diamond substrates”,
    S. Shikata, K.Miyajima, E. Kamei, and N. Akashi
    New Diamond and Nano Carbons 2020/2021, Online, Japan, June 7-9 (2021)

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担当授業科目 【 表示 / 非表示

  • 履修年度:2022年度(西暦)

    提供部署名:理工学部

    授業科目名:エネルギー電気・電子回路工学

    授業形式:代表者

  • 履修年度:2022年度(西暦)

    提供部署名:理工学部

    授業科目名:先進エネルギーナノ工学入門

    授業形式:代表者

  • 履修年度:2022年度(西暦)

    提供部署名:理工学部

    授業科目名:卒業実験及び演習

    授業形式:代表者

  • 履修年度:2022年度(西暦)

    提供部署名:理工学部

    授業科目名:外国書講読

    授業形式:代表者

  • 履修年度:2022年度(西暦)

    提供部署名:工学部

    授業科目名:応用数学II

    授業形式:代表者

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