記述言語：英語
タイトル：Semiconductor–metal transition in Bi2Se3 caused by impurity doping
誌名：Sci. Rep.  13巻  （頁 537 ～ ）
出版年月：2023年01月
著者：T. Uchiyama, H. Goto, E. Uesugi, A. Takai, L. Zhi, A. Miura, S. Hamao, R. Eguchi, H. Ota, K. Sugimoto, A. Fujiwara, F. Matsui, K. Kimura, K. Hayashi, T. Ueno, K. Kobayashi, J. Akimitsu, Y. Kubozono

DOI：10.1038/s41598-023-27701-5
掲載種別：研究論文（学術雑誌）

記述言語：英語
タイトル：Charge Transport Capabilities of Dibenzo[n]phenacenes (n = 5–7): Influence of Trap States and Molecular Packing
誌名：J. Phys. Chem. C  126巻  44号  （頁 18849 ～ 18854）
出版年月：2022年10月
著者：Y. Zhang, S. Hamao, H. Goto, Y. Kubozono, H. Okamoto, K. Sugimoto, N. Yasuda, A. Fujiwara, R. Eguchi

DOI：10.1021/acs.jpcc.2c04879
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
共著区分：共著

記述言語：英語
タイトル：Fabrication and Characterization of Thin-Film ZnO/Cu-O Heterostructure Prepared by Spin Coating Technique
誌名：Materials Science Forum  1055巻  （頁 13 ～ 17）
出版年月：2022年03月
著者：K. Nakata, K. Hirabayashi, A. Fujiwara

DOI：10.4028/p-6tqfz2
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
共著区分：共著

記述言語：英語
タイトル：Elimination of Oxygen Defects in In-Si-O Film and Thin Film Transistor Performance
誌名：Solid State Phenomena  324巻  （頁 81 ～ 86）
出版年月：2021年09月
著者：E. K. Palupi, A. Fujiwara

DOI：10.4028/www.scientific.net/SSP.324.81
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
共著区分：共著
専門分野：ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電子デバイス、電子機器，ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電気電子材料工学

記述言語：英語
タイトル：Strain-Controlled Spin Transition in Heterostructured Metal−Organic Framework Thin Film
誌名：J. Am. Chem. Soc.  143巻  39号  （頁 16128 ～ 16135）
出版年月：2021年09月
著者：T. Haraguchi, K. Otsubo, O. Sakata, A. Fujiwara, H. Kitagawa

DOI：10.1021/jacs.1c06662
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
共著区分：共著

記述言語：英語
タイトル：Fabrication of ring oscillators using organic molecules of phenacene and perylenedicarboximide
誌名：RSC Adv.  11巻  13号  （頁 7538 ～ 7551）
出版年月：2021年02月
著者：N. Fioravanti, L. Pierantoni, D. Mencarelli, C. Turchetti, S. Hamao, H. Okamoto, H. Goto, R. Eguchi, A. Fujiwara, Y. Kubozono

DOI：10.1039/d1ra00511a
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
共著区分：共著

記述言語：英語
タイトル：Solution-Processed Cupric Oxide P-type Channel Thin-Film Transistors
誌名：Thin Solid Films  704巻  （頁 137991 ～ ）
出版年月：2020年04月
著者：Bui N. Q. Trinh, N. V. Dung, N. Q. Hoa, N. H. Duc, D. H. Minh, A. Fujiwara

DOI：10.1016/j.tsf.2020.137991
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
共著区分：共著

記述言語：英語
タイトル：Inhomogeneous superconductivity in thin crystals of FeSe_1-xTe_x (x = 1.0, 0.95, and 0.9)
誌名：Mater. Res. Express  7巻  3号  （頁 036001 ～ ）
出版年月：2020年03月
著者：R. Eguchi, M. Senda, E. Uesugi, H. Goto, A. Fujiwara, Y. Imai, S. Kimura, T. Noji, Y. Koike, Y. Kubozono, Yoshihiro

DOI：10.1088/2053-1591/ab7c85
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
共著区分：共著

記述言語：英語
タイトル：X-ray absorption near edge structure and extended X-ray absorption fine structure studies of P doped (111) diamond
誌名：Diam. Relat. Mater.  105巻  （頁 107769 ～ ）
出版年月：2020年02月
著者：S. Shikata, K. Yamaguchi, A. Fujiwara, Y. Tamenori, K. Tsuruta, T. Yamada, S. S. Nicley, K. Haenen, S. Koizumi

DOI：10.1016/j.diamond.2020.107769
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
共著区分：共著

記述言語：英語
タイトル：Confined Water-Mediated High Proton Conduction in Hydrophobic Channel of a Synthetic Nanotube
誌名：Nat. Commun.  11巻  （頁 843 ～ ）
出版年月：2020年02月
著者：K. Otake, K. Otsubo, T. Komatsu, S. Dekura, J. Taylor, R. Ikeda, K. Sugimoto, A. Fujiwara, C.–P. Chou, A. W. Sakti, Y. Nishimura, H. Nakai, H. Kitagawa

DOI：10.1038/s41467-020-14627-z
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
共著区分：共著

記述言語：英語
タイトル：Solution processed In-Si-O thin film transistors on hydrophilic and hydrophobic substrates
誌名：Thin Solid Films  698巻  （頁 137860 ～ ）
出版年月：2020年02月
著者：H. Hoang, Y. Ueta, K. Tsukagoshi, T. Nabatame, Bui N. Q. Trinh, A. Fujiwara

DOI：10.1016/j.tsf.2020.137860
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
共著区分：共著

記述言語：英語
タイトル：Improving GISAXS-CT images by total variation minimization
誌名：J. Appl. Cryst.  53巻  1号  （頁 140 ～ 147）
出版年月：2020年02月
著者：H. Ogawa, S. Ono, Y. Nishikawa, A. Fujiwara, T. Kabe, M. Takenaka

DOI：10.1107/S1600576719016558
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
共著区分：共著

記述言語：英語
タイトル：Silicon-doped indium oxide - a promising amorphous oxide semiconductor material for thin-film transistor fabricated by spin coating method
誌名：IOP Conf. Ser.: Mater. Sci. Eng.  625巻  （頁 012002-1 ～ 012002-5）
出版年月：2019年09月
著者：H. Hoang, K. Sasaki, T. Hori, K. Tsukagoshi, T. Nabatame, Bui N.Q. Trinh, A. Fujiwara

DOI：10.1088/1757-899X/625/1/012002
掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
共著区分：共著
専門分野：ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電気電子材料工学，ナノテク・材料 / 薄膜、表面界面物性

記述言語：英語
タイトル：Photo-oxidation of an organosulfur for photo-charging of lithium-ion batteries
誌名：IOP Conf. Ser.: Mater. Sci. Eng.  625巻  （頁 012020-1 ～ 012020-6）
出版年月：2019年09月
著者：H. Shingu, H. Uemachi, A. Fujiwara

DOI：10.1088/1757-899X/625/1/012020
掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
共著区分：共著
専門分野：ナノテク・材料 / エネルギー化学

記述言語：英語
タイトル：Structural Alternation Correlated to the Conductivity Enhancement of PEDOT:PSS Films by Secondary Doping
誌名：J. Phys. Chem. C  123巻  22号  （頁 13467 ～ 13471）
出版年月：2019年05月
著者：K. Itoh, Y. Kato, Y. Honma, H. Masunaga, A. Fujiwara, S. Iguchi, and T. Sasaki

DOI：10.1021/acs.jpcc.9b02475
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
共著区分：共著

記述言語：英語
タイトル：Fabrication of flexible high-performance organic field-effect transistors using phenacene molecules and their application toward flexible CMOS inverters
誌名：J. Mater. Chem. C  7巻  20号  （頁 6022 ～ 6033 ）
出版年月：2019年04月
著者：E. Pompei, C. Turchetti, S. Hamao, A. Miura, H. Goto, H. Okamoto, A. Fujiwara, R. Eguchi, Y. Kubozono

DOI：10.1039/c8tc05824e
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
共著区分：共著

記述言語：英語
タイトル：Si-doping effect on solution-processed In-O thin-film transistors
誌名：Mater. Res. Express  6巻  2号  （頁 026410-1 ～ 026410-9）
出版年月：2018年11月
著者：H. Hoang, T. Hori, T. Yasuda, T. Kizu, K. Tsukagoshi, T. Nabatame, Bui N. Q. Trinh, and A. Fujiwara

DOI：10.1088/2053-1591/aaecf9
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
共著区分：共著

記述言語：英語
タイトル：Solution-processed Cupric Oxide Thin Films with Various Cu²⁺ Ion Concentrations
誌名：Thin Solid Films  660巻  （頁 819 ～ 823）
出版年月：2018年08月
著者：H.Q. Nguyen, D.V. Nguyen, A. Fujiwara, Bui N.Q. Trinh

DOI：10.1016/j.tsf.2018.03.036
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
共著区分：共著

記述言語：英語
タイトル：Investigation on solution-processed In-Si-O thin film transistor via spin-coating method
誌名：IEEE Xplore Proceedings of 25th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices (AM-FPD)  （頁 P-12-1 ～ P-12-4）
出版年月：2018年08月
著者：H. Hoang, T. Hori, T. Yasuda, T. Kizu, K. Tsukagoshi, T. Nabatame, Bui N.Q. Trinh, A. Fujiwara

DOI：10.23919/AM-FPD.2018.8437420
掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
共著区分：共著

記述言語：英語
タイトル：X-ray absorption near edge structure analysis of the charge–discharge mechanisms of dithiobiuret polymer used as a high-capacity cathode material for lithium-ion batteries
誌名：Electrochimica Acta  281巻  （頁 99 ～ 108）
出版年月：2018年05月
著者：H. Uemachi, Y. Tamenori, T. Itono, T. Masuda, T. Shimoda, A. Fujiwara

DOI：10.1016/j.electacta.2018.05.137
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
共著区分：共著
専門分野：ナノテク・材料 / エネルギー化学，エネルギー / 量子ビーム科学