日比野 浩樹
HIBINO Hiroki
所属
工学部 物質工学課程 教授
研究室住所
兵庫県三田市学園2丁目1番地 関西学院大学 理工学部 先進エネルギーナノ工学科
研究分野・キーワード
Two-dimensional materials, crystal growth, surface microscopy, surface physics, 二次元物質, 結晶成長, 表面物性, 表面顕微鏡
教育研究内容
次世代の電子・光素子の構成材料として、炭素原子の二次元シートであるグラフェンに代表される二次元物質と、それらの複合材料を研究しています。二次元物質は、フレキシブルで透明、軽量という共通的な特長に加え、物質毎に様々な優れた特性をもち、幅広い応用が見込まれています。将来、二次元物質によって、身に付けていることを感じさせないコンピュータなどが可能になるかもしれません。
ところが、現状、産業応用に適した大面積で高品質な二次元物質の合成法は確立されていません。本研究室では、二次元物質の結晶成長の様子をナノメートルスケールで顕微鏡観察することを通して、成長機構を解明するとともに、高品質な結晶成長法を確立します。また、二次元物質では、端や結晶粒界などの欠陥が、物性に大きな影響を及ぼします。このことは、逆に、欠陥を介した物性制御の可能性を示しています。そこで、構造と物性を同時計測可能な顕微鏡を用い、欠陥の物性影響を解明し、物性制御の指針を獲得することに取り組みます。将来は、高品質な結晶成長と物性制御の技術に基づき、二次元物質を用いて、社会の持続的発展に役立つ革新的な素子を開拓したいと考えています。
ところが、現状、産業応用に適した大面積で高品質な二次元物質の合成法は確立されていません。本研究室では、二次元物質の結晶成長の様子をナノメートルスケールで顕微鏡観察することを通して、成長機構を解明するとともに、高品質な結晶成長法を確立します。また、二次元物質では、端や結晶粒界などの欠陥が、物性に大きな影響を及ぼします。このことは、逆に、欠陥を介した物性制御の可能性を示しています。そこで、構造と物性を同時計測可能な顕微鏡を用い、欠陥の物性影響を解明し、物性制御の指針を獲得することに取り組みます。将来は、高品質な結晶成長と物性制御の技術に基づき、二次元物質を用いて、社会の持続的発展に役立つ革新的な素子を開拓したいと考えています。
メールアドレス
hibino.hiroki@kwansei.ac.jp
SDGs 関連ゴール
出身大学 【 表示 ／ 非表示 】
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学校名：東京大学
学部（学系）名：理学部
学科・専攻等名：物理学科
学校の種類：大学
卒業年月：1987年03月
卒業区分：卒業
国名：日本国
出身大学院 【 表示 ／ 非表示 】
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学校名：東京大学
学部等名：理学系研究科
学科等名：物理学専攻
修了課程：修士課程
修了年月：1989年03月
修了区分：修了
国名：日本国
経歴 【 表示 ／ 非表示 】
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所属：九州大学
職名：教授
年月：2019年10月 ～ 2020年03月 -
所属：東京大学
職名：客員教授
年月：2011年04月 ～ 2015年03月 -
所属：九州大学
職名：非常勤講師
年月：2009年04月 ～ 2010年03月 -
所属：東京工業大学
職名：連携教授
年月：2007年04月 ～ 2015年03月 -
所属：日本電信電話株式会社
部署名：NTT物性科学基礎研究所
職名：研究員
年月：1989年04月 ～ 2015年03月
所属学協会 【 表示 ／ 非表示 】
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所属学協会名：応用物理学会
学会所在国：日本国 -
所属学協会名：物理学会
学会所在国：日本国 -
所属学協会名：結晶成長学会
学会所在国：日本国 -
所属学協会名：表面科学会
学会所在国：日本国
論文 【 表示 ／ 非表示 】
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記述言語：日本語
タイトル：低エネルギー電子顕微鏡を用いた二次元物質のナノスケール構造解析
誌名：表面と真空 68巻 2号 （頁 97 ～ 104）
出版年月：2025年02月
著者：日比野 浩樹, Shengnan Wang, 影島 博之DOI：10.1380/vss.68.97
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記述言語：日本語
タイトル：六方晶窒化ホウ素上に成長させたGaN薄膜の形態解析
誌名：SPring-8/SACLA利用研究成果集 12巻 3号 （頁 144 ～ 146）
出版年月：2024年06月
著者：福家 聖也, 佐々木 拓生, 日比野 浩樹DOI：10.18957/rr.12.3.144
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タイトル：Epitaxial Intercalation Growth of hBN/Graphene Bilayer Heterostructure on Commercial Copper Foil
誌名：CHEMISTRY OF MATERIALS 36巻 10号 （頁 5142 ～ 5148）
出版年月：2024年05月
著者：Wang, SN; Crowther, J; Kageshima, H; Hibino, H; Taniyasu, YDOI：10.1021/acs.chemmater.4c00432
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記述言語：英語
タイトル：Improving optoelectronic properties of InP/InAs nanowire p-i-n devices with telecom-band electroluminescence
誌名：OPTICS CONTINUUM 3巻 2号 （頁 176 ～ 186）
出版年月：2024年02月
著者：Zhang, GQ; Tateno, K; Sasaki, S; Tawara, T; Hibino, H; Gotoh, H; Sanada, HDOI：10.1364/OPTCON.511645
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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記述言語：英語
タイトル：Preface for the Special Issue of ALC'22
誌名：E-JOURNAL OF SURFACE SCIENCE AND NANOTECHNOLOGY 21巻 3号 （頁 A1）
出版年月：2023年12月
著者：Shigekawa Hidemi, Daimon Hiroshi, Hibino HirokiDOI：10.1380/ejssnt.2023-069
産業財産権 【 表示 ／ 非表示 】
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産業財産権の種類：特許権
産業財産権名：ヘテロ構造およびその作製方法
発明者/考案者/創作者：日比野 浩樹
出願番号：特願2020-121855，2020年07月16日
公開番号：特開2022-018623，2021年01月27日
特許番号/登録番号：特許第7503786号，
出願人（機関）：学校法人関西学院 、日本電信電話株式会社
出願国：日本国
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産業財産権の種類：特許権
産業財産権名：結晶成長方法
発明者/考案者/創作者：日比野 浩樹
出願番号：特願2017-036173，2017年02月28日
公開番号：特開2018‐140897，2018年09月13日
特許番号/登録番号：特許第6675648号，
出願人（機関）：学校法人関西学院
出願国：日本国
共同研究・競争的資金等の研究課題 【 表示 ／ 非表示 】
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研究種目：基盤研究(B)
研究期間：2021年04月 ～ 2024年03月
タイトル：結晶成長による2Dヘテロ構造のデザイン
担当授業科目（学内） 【 表示 ／ 非表示 】
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履修年度：2025年度（西暦）
提供部署名：理工学部
授業科目名：ナノスケール分析科学
授業形式：代表者
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履修年度：2025年度（西暦）
提供部署名：工学部
授業科目名：ナノスケール分析科学
授業形式：代表者
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履修年度：2025年度（西暦）
提供部署名：理工学研究科前期
授業科目名：ナノ物性特論IV
授業形式：代表者
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履修年度：2025年度（西暦）
提供部署名：理工学部
授業科目名：ナノ物性量子力学I
授業形式：代表者
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履修年度：2025年度（西暦）
提供部署名：工学部
授業科目名：ナノ物性量子力学I
授業形式：代表者