基本情報

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日比野 浩樹

HIBINO Hiroki

研究室住所
兵庫県三田市学園2丁目1番地 関西学院大学 理工学部 先進エネルギーナノ工学科
研究分野・キーワード
二次元物質、表面物性、結晶成長、表面顕微鏡
研究概要
次世代の電子・光素子の構成材料として、炭素原子の二次元シートであるグラフェンに代表される二次元物質と、それらの複合材料を研究しています。二次元物質は、フレキシブルで透明、軽量という共通的な特長に加え、物質毎に様々な優れた特性をもち、幅広い応用が見込まれています。将来、二次元物質によって、身に付けていることを感じさせないコンピュータなどが可能になるかもしれません。
ところが、現状、産業応用に適した大面積で高品質な二次元物質の合成法は確立されていません。本研究室では、二次元物質の結晶成長の様子をナノメートルスケールで顕微鏡観察することを通して、成長機構を解明するとともに、高品質な結晶成長法を確立します。また、二次元物質では、端や結晶粒界などの欠陥が、物性に大きな影響を及ぼします。このことは、逆に、欠陥を介した物性制御の可能性を示しています。そこで、構造と物性を同時計測可能な顕微鏡を用い、欠陥の物性影響を解明し、物性制御の指針を獲得することに取り組みます。将来は、高品質な結晶成長と物性制御の技術に基づき、二次元物質を用いて、社会の持続的発展に役立つ革新的な素子を開拓したいと考えています。
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SDGs 関連ゴール

出身大学 【 表示 / 非表示

  • 学校名:東京大学
    学部(学系)名:理学部
    学科・専攻等名:物理学科

    学校の種類:大学
    卒業年月:1987年03月
    卒業区分:卒業
    所在国:日本国

出身大学院 【 表示 / 非表示

  • 大学院名:東京大学
    研究科名:理学系研究科
    専攻名:物理学専攻

    修了課程:修士課程
    修了年月:1989年03月
    修了区分:修了
    所在国:日本国

留学歴 【 表示 / 非表示

  • 留学先:アリゾナ州立大学
    経歴名:Visiting research professor
    留学期間:2000年01月 ~ 2001年01月

取得学位 【 表示 / 非表示

  • 学位名:博士(理学)
    学位の分野名:薄膜・表面界面物性
    学位授与機関名:早稲田大学
    取得方法:論文
    取得年月:2006年02月

学外略歴 【 表示 / 非表示

  • 所属(勤務)先名:日本電信電話株式会社
    所属部署名:NTT物性科学基礎研究所
    経歴名:研究員
    経歴期間:1989年04月 ~ 2015年03月

  • 所属(勤務)先名:東京工業大学
    経歴名:連携教授
    経歴期間:2007年04月 ~ 2015年03月

  • 所属(勤務)先名:九州大学
    経歴名:非常勤講師
    経歴期間:2009年04月 ~ 2010年03月

  • 所属(勤務)先名:東京大学
    経歴名:客員教授
    経歴期間:2011年04月 ~ 2015年03月

  • 所属(勤務)先名:九州大学
    経歴名:教授
    経歴期間:2019年10月 ~ 2020年03月

所属学会・委員会 【 表示 / 非表示

  • 所属学会:応用物理学会

    学会所在国:日本国

  • 所属学会:物理学会

    学会所在国:日本国

  • 所属学会:結晶成長学会

    学会所在国:日本国

  • 所属学会:表面科学会

    学会所在国:日本国

専門分野(科研費分類) 【 表示 / 非表示

  • 専門分野(科研費分類):薄膜・表面界面物性

  • 専門分野(科研費分類):ナノ構造物理

 

論文 【 表示 / 非表示

  • 記述言語:英語
    論文題目名:In-situ X-ray diffraction analysis of GaN growth on graphene-covered amorphous substrates
    掲載誌名:Jpn. J. Appl. Phys. 59, 070902 (2020)
    掲載誌 発行年月:2020年
    著者氏名(共著者含):S. Fuke, T. Sasaki, M. Takahasi, and H. Hibino

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)
    共著区分:共著

  • 記述言語:英語
    論文題目名:Controlled CVD growth of lateral and vertical graphene/h-BN heterostructures
    掲載誌名:Appl. Phys. Express 13, 065007 (2020)
    掲載誌 発行年月:2020年
    著者氏名(共著者含):R. Makino, S. Mizuno, H. Kageshima, and H. Hibino

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)
    共著区分:共著

  • 記述言語:英語
    論文題目名:Isothermal growth and stacking evolution in highly uniform Bernal-stacked bilayer graphene
    掲載誌名:ACS Nano 14, 6834 (2020)
    掲載誌 発行年月:2020年
    著者氏名(共著者含):P. Solís-Fernández, Y. Terao, K. Kawahara, W. Nishiyama, T. Uwanno, Y.-C. Lin, K. Yamamoto, H. Nakashima, K. Nagashio, H. Hibino, K. Suenaga, and H. Ago

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)
    共著区分:共著

  • 記述言語:英語
    論文題目名:Surface-enhanced Raman scattering from buffer layer under graphene on SiC in a wide energy range from visible to near-infrared
    掲載誌名:Jpn. J. Appl. Phys. 59, 040902 (2020)
    掲載誌 発行年月:2020年
    著者氏名(共著者含):Y. Sekine, H. Hibino, K. Oguri, A. Iwamoto, M. Nagase, H. Kageshima, and T. Akazaki

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)
    共著区分:共著

  • 記述言語:英語
    論文題目名:Theoretical study on C adsorbate at graphene/Cu(111) or h-BN/Cu(111) interfaces,
    掲載誌名:e-J. Surf. Sci. Nanotechnol. 18, 70 (2020)
    掲載誌 発行年月:2020年
    著者氏名(共著者含):H. Kageshima, S. Wang, and H. Hibino

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)
    共著区分:共著

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担当授業科目 【 表示 / 非表示

  • 履修年度:2021年度(西暦)

    提供部署名:理工学部

    授業科目名:ナノスケール分析科学

    授業形式:代表者

  • 履修年度:2021年度(西暦)

    提供部署名:理工学研究科前期

    授業科目名:ナノ物性特論IV

    授業形式:代表者

  • 履修年度:2021年度(西暦)

    提供部署名:理工学部

    授業科目名:ナノ物性量子力学I

    授業形式:代表者

  • 履修年度:2021年度(西暦)

    提供部署名:理工学部

    授業科目名:ナノ物性量子力学演習I

    授業形式:代表者

  • 履修年度:2021年度(西暦)

    提供部署名:理工学部

    授業科目名:先進エネルギーナノ工学入門

    授業形式:代表者

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