葛原 正明
KUZUHARA MASAAKI
所属
工学部 電気電子応用工学課程 教授
研究分野・キーワード
電子デバイス, 窒化物半導体, シミュレーション, Electron Devices, III-Nitride Semiconductors, Device Simulation, Semiconductor Device, 半導体デバイス
プロフィール
GaNに代表される窒化物半導体を用いた電子デバイスの設計、プロセス、評価、シミュレーションに関する研究を行います。窒化物半導体を用いたトランジスタは、携帯電話基地局の送信用増幅器として既に実用化が始まっており、今後の5Gシステムでも環境に優しい高性能な半導体として需要の拡大が予想されています。また、パソコンなどの急速充電器や次世代自動車の駆動用インバータなどへの展開も期待されています。既に実用化が始まっているとは書きましたが、現状のシステムでは、窒化物半導体のもつ目標性能が100%達成されているとは言い難く、理想の高い性能を実現するため、材料、デバイス、作製プロセス、回路などに新たなアイデアや改良が必要です。さらには異なる分野の研究者や組織がもつ個々の独創技術の融合を通して、次世代低炭素社会に必要なインパクトのある研究成果を導きだす組織力も重要となります。研究室では、窒化物半導体材料がもつ究極の物性理解と電子デバイスの理想動作の追求を目標として、理論および実験の両面から先端研究を強力に推進します。
SDGs 関連ゴール
出身大学 【 表示 ／ 非表示 】
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学校名：京都大学
学部（学系）名：工学部
学科・専攻等名：電気工学科
学校の種類：大学
卒業年月：1979年03月
卒業区分：卒業
国名：日本国
出身大学院 【 表示 ／ 非表示 】
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学校名：京都大学
学部等名：工学研究科
学科等名：電気工学専攻
修了課程：修士課程
修了年月：1981年03月
修了区分：修了
国名：日本国
学位 【 表示 ／ 非表示 】
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学位名：工学博士
分野名：ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電子デバイス、電子機器
授与機関名：京都大学
取得方法：論文
取得年月：1991年03月
所属学協会 【 表示 ／ 非表示 】
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所属学協会名：IEEE
学会所在国：アメリカ合衆国 -
所属学協会名：電子情報通信学会
学会所在国：日本国 -
所属学協会名：応用物理学会
学会所在国：日本国
研究分野 【 表示 ／ 非表示 】
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研究分野：ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電子デバイス、電子機器
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研究分野：ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電子デバイス、電子機器
研究経歴 【 表示 ／ 非表示 】
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研究課題名：化合物半導体電子デバイス
研究期間：2019年04月 ～ 継続中
研究課題キーワード：電子デバイス
専門分野：ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電子デバイス、電子機器
研究態様（個人・共同別）区分：国内共同研究
研究制度：科学研究費補助金
研究活動内容：GaN-HEMTの高耐圧化と高周波化を進め、準ミリ波帯でワット級の高効率電力増幅器を実現する。
論文 【 表示 ／ 非表示 】
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タイトル：Evidence of reduced interface states in Al2O3/AlGaN MIS structures via insertion of ex situ regrown AlGaN layer
誌名：APPLIED PHYSICS EXPRESS 15巻 10号
出版年月：2022年10月
著者：Baratov Ali, Kawabata Shinsaku, Urano Shun, Nagase Itsuki, Ishiguro Masaki, Maeda Shogo, Igarashi Takahiro, Nezu Toi, Yatabe Zenji, Matys Maciej, Kachi Tetsu, Adamowicz Boguslawa, Wakejima Akio, Kuzuhara Masaaki, Yamamoto Akio, Asubar Joel T.DOI：10.35848/1882-0786/ac8f13
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タイトル：Stoichiometric imbalances in Mg-implanted GaN
誌名：JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 60巻 6号
出版年月：2021年06月
著者：Herbert Kai C., Shibata Kazuki, Asubar Joel T., Kuzuhara MasaakiDOI：10.35848/1347-4065/ac0248
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タイトル：GaN-based MIS-HEMTs with Al2O3 dielectric deposited by low-cost and environmental-friendly mist-CVD technique
誌名：APPLIED PHYSICS EXPRESS 14巻 3号
出版年月：2021年03月
著者：Low Rui Shan, Asubar Joel T., Baratov Ali, Kamiya Shunsuke, Nagase Itsuki, Urano Shun, Kawabata Shinsaku, Tokuda Hirokuni, Kuzuhara Masaaki, Nakamura Yusui, Naito Kenta, Motoyama Tomohiro, Yatabe ZenjiDOI：10.35848/1882-0786/abe19e
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記述言語：英語
タイトル：AlGaN/GaN high-electron-mobility transistor technology for high-voltage and low-on-resistance operation
誌名：Japanese Journal of Applied Physics 55巻 （頁 070101-1 ～ 070101-12）
出版年月：2016年07月
著者：M. Kuzuhara, J. T. Asubar, and H. TokudaDOI：10.7567/JJAP.55.070101
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
担当部分：実験指導、研究統括、論文執筆
共著区分：共著
専門分野：ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電子デバイス、電子機器
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記述言語：英語
タイトル：Low-Loss and High-Voltage III-Nitride Transistors for Power Switching Applications
誌名：IEEE Transaction on Electron Devices 62巻 2号 （頁 405 ～ 413）
出版年月：2015年02月
著者：M. Kuzuhara and H. TokudaDOI：10.1109/TED.2014.2359055
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
担当部分：研究統括、論文執筆
共著区分：共著
専門分野：ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電子デバイス、電子機器
書籍等出版物 【 表示 ／ 非表示 】
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記述言語：日本語
タイトル：大橋弘通、葛原正明
出版者・発行元：丸善株式会社
出版年月：2011年01月
著者：大橋 弘通，葛原正明 他
著書種別：学術書
担当区分：共著
専門分野：ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電子デバイス、電子機器
Works（作品等） 【 表示 ／ 非表示 】
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作品名：MIS構造窒化物半導体トランジスタの低損失高耐圧化に関する研究, 基盤研究(C)（一般）
発表年月：2014年作品分類：
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作品名：高温・高周波エレクトロニクスの基礎研究, 基盤研究(C)（一般）
発表年月：2012年作品分類：
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作品名：固相Ｃ６０及びグラフェンを用いた炭素系デバイスの基礎研究, 基盤研究(B)（一般）
発表年月：2009年作品分類：
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作品名：ＭＯＶＰＥ成長ＩnＮの高品質化と電子輸送特性の解明, 基盤研究(C)一般
発表年月：2007年作品分類：
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作品名：ＰＮ接合ＧaN低リーク高耐圧ダイオードの研究, 基盤研究(C)一般
発表年月：2006年作品分類：
受賞 【 表示 ／ 非表示 】
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賞名：IEEE Fellow
受賞年月：2005年01月
受賞国：アメリカ合衆国
受賞区分：国際学会・会議・シンポジウム等の賞
授与機関：IEEE
受賞者（グループ）：Masaaki Kuzuhara
専門分野：ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電子デバイス、電子機器 -
賞名：応用物理学会フェロー表彰
受賞年月：2013年09月
受賞国：日本国
受賞区分：学会誌・学術雑誌による顕彰
授与機関：応用物理学会
受賞者（グループ）：葛原 正明
専門分野：ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電子デバイス、電子機器 -
賞名：市村産業賞功績賞
受賞年月：2002年04月
受賞国：日本国
受賞区分：出版社・新聞社・財団等の賞
授与機関：新技術開発財団
受賞者（グループ）：葛原 正明，岩田 直高、伊東 朋弘
専門分野：ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電子デバイス、電子機器
共同研究・競争的資金等の研究課題 【 表示 ／ 非表示 】
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研究種目：基盤研究(A)
研究期間：2019年04月 ～ 2022年03月
タイトル：準ミリ波帯で動作する窒化物半導体トランジスタ増幅器の高耐圧・高出力化に関する研究
研究概要:準ミリ波で動作するGaN-HEMTトランジスタの高性能化を推進し、小型軽量で高利得な高出力増幅器を開発する。また無線電力伝送への応用可能性を検討する。
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研究種目：基盤研究(B)
研究期間：2016年04月 ～ 2018年03月
タイトル：窒化物半導体トランジスタの横方向破壊電界強度の向上に関する研究
研究概要:GaN基板上のHEMTの破壊電界限界を決める横方向破壊電界について実験検討を行った。
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研究種目：
研究期間：2014年
タイトル：MIS構造窒化物半導体トランジスタの低損失高耐圧化に関する研究
提供機関：日本学術振興会
制度名：科学研究費助成事業(基盤研究(C)（一般）)
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研究種目：
研究期間：2012年
タイトル：高温・高周波エレクトロニクスの基礎研究
提供機関：日本学術振興会
制度名：科学研究費助成事業(基盤研究(C)（一般）)
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研究種目：
研究期間：2011年
タイトル：高温・高周波エレクトロニクスの基礎研究
提供機関：日本学術振興会
制度名：科学研究費助成事業(基盤研究(C)（一般）)
担当授業科目（学内） 【 表示 ／ 非表示 】
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履修年度：2023年度（西暦）
提供部署名：工学部
授業科目名：アナログ回路
授業形式：代表者
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履修年度：2023年度（西暦）
提供部署名：理工学研究科前期
授業科目名：エネルギー半導体特論IV
授業形式：代表者
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履修年度：2023年度（西暦）
提供部署名：理工学部
授業科目名：先進エネルギーナノ工学入門
授業形式：代表者
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履修年度：2023年度（西暦）
提供部署名：理工学部
授業科目名：卒業実験及び演習
授業形式：代表者
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履修年度：2023年度（西暦）
提供部署名：工学部
授業科目名：基礎電気電子実験
授業形式：代表者