基本情報

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葛原 正明

KUZUHARA MASAAKI

研究分野・キーワード
電子デバイス、窒化物半導体、シミュレーション
研究概要
GaNに代表される窒化物半導体を用いた電子デバイスの設計、プロセス、評価、シミュレーションに関する研究を行います。窒化物半導体を用いたトランジスタは、携帯電話基地局の送信用増幅器として既に実用化が始まっており、今後の5Gシステムでも環境に優しい高性能な半導体として需要の拡大が予想されています。また、パソコンなどの急速充電器や次世代自動車の駆動用インバータなどへの展開も期待されています。既に実用化が始まっているとは書きましたが、現状のシステムでは、窒化物半導体のもつ目標性能が100%達成されているとは言い難く、理想の高い性能を実現するため、材料、デバイス、作製プロセス、回路などに新たなアイデアや改良が必要です。さらには異なる分野の研究者や組織がもつ個々の独創技術の融合を通して、次世代低炭素社会に必要なインパクトのある研究成果を導きだす組織力も重要となります。研究室では、窒化物半導体材料がもつ究極の物性理解と電子デバイスの理想動作の追求を目標として、理論および実験の両面から先端研究を強力に推進します。
SDGs 関連ゴール

出身大学 【 表示 / 非表示

  • 学校名:京都大学
    学部(学系)名:工学部
    学科・専攻等名:電気工学科

    学校の種類:大学
    卒業年月:1979年03月
    卒業区分:卒業
    所在国:日本国

出身大学院 【 表示 / 非表示

  • 大学院名:京都大学
    研究科名:工学研究科
    専攻名:電気工学専攻

    修了課程:修士課程
    修了年月:1981年03月
    修了区分:修了
    所在国:日本国

留学歴 【 表示 / 非表示

  • 留学先:イリノイ大学
    経歴名:研究者
    留学期間:1987年08月 ~ 1988年08月

取得学位 【 表示 / 非表示

  • 学位名:工学博士
    学位の分野名:電子デバイス・電子機器
    学位授与機関名:京都大学
    取得方法:論文
    取得年月:1991年03月

学外略歴 【 表示 / 非表示

  • 所属(勤務)先名:福井大学
    所属部署名:工学部
    経歴名:教授
    経歴期間:2004年04月 ~ 2020年03月

所属学会・委員会 【 表示 / 非表示

  • 所属学会:IEEE

    学会所在国:アメリカ合衆国

  • 所属学会:電子情報通信学会

    学会所在国:日本国

  • 所属学会:応用物理学会

    学会所在国:日本国

専門分野(科研費分類) 【 表示 / 非表示

  • 専門分野(科研費分類):電子デバイス・電子機器

 

研究経歴 【 表示 / 非表示

  • 研究課題名:化合物半導体電子デバイス

    研究期間:2019年04月 ~ 継続中
    研究課題キーワード:電子デバイス
    専門分野(科研費分類):電子デバイス・電子機器
    研究態様(個人・共同別)区分:国内共同研究
    研究制度:科学研究費補助金

    研究活動内容:GaN-HEMTの高耐圧化と高周波化を進め、準ミリ波帯でワット級の高効率電力増幅器を実現する。

学位論文 【 表示 / 非表示

  • 記述言語:日本語
    論文題目名:イオン注入GaAsの電気的特性に関する研究
    学位授与年月:1991年03月
    著者氏名(共著者含):葛原 正明

    共著区分:単著
    専門分野(科研費分類):電子デバイス・電子機器

論文 【 表示 / 非表示

  • 記述言語:英語
    論文題目名:AlGaN/GaN high-electron-mobility transistor technology for high-voltage and low-on-resistance operation
    掲載誌名:Japanese Journal of Applied Physics  55巻  (頁 070101-1 ~ 070101-12)
    掲載誌 発行年月:2016年07月
    著者氏名(共著者含):M. Kuzuhara, J. T. Asubar, and H. Tokuda

    DOI:10.7567/JJAP.55.070101
    掲載種別:研究論文(学術雑誌)
    担当部分:実験指導、研究統括、論文執筆
    共著区分:共著
    専門分野(科研費分類):電子デバイス・電子機器

  • 記述言語:英語
    論文題目名:Low-Loss and High-Voltage III-Nitride Transistors for Power Switching Applications
    掲載誌名:IEEE Transaction on Electron Devices  62巻  2号  (頁 405 ~ 413)
    掲載誌 発行年月:2015年02月
    著者氏名(共著者含):M. Kuzuhara and H. Tokuda

    DOI:10.1109/TED.2014.2359055
    掲載種別:研究論文(学術雑誌)
    担当部分:研究統括、論文執筆
    共著区分:共著
    専門分野(科研費分類):電子デバイス・電子機器

科研費(文科省・学振)獲得実績 【 表示 / 非表示

  • 研究種目:基盤研究(A)
    研究期間:2019年04月 ~ 継続中
    研究題目:準ミリ波帯で動作する窒化物半導体トランジスタ増幅器の高耐圧・高出力化に関する研究

    研究内容:準ミリ波で動作するGaN-HEMTトランジスタの高性能化を推進し、小型軽量で高利得な高出力増幅器を開発する。また無線電力伝送への応用可能性を検討する。

 

担当授業科目 【 表示 / 非表示

  • 履修年度:2020年度(西暦)

    提供部署名:理工学部

    授業科目名:先進エネルギーナノ工学入門

    授業形式:代表者

  • 履修年度:2020年度(西暦)

    提供部署名:理工学部

    授業科目名:先進エネルギーナノ工学概論

    授業形式:代表者

  • 履修年度:2020年度(西暦)

    提供部署名:理工学部

    授業科目名:卒業実験及び演習

    授業形式:代表者

  • 履修年度:2020年度(西暦)

    提供部署名:理工学部

    授業科目名:外国書講読

    授業形式:代表者

  • 履修年度:2020年度(西暦)

    提供部署名:理工学研究科前期

    授業科目名:文献演習

    授業形式:代表者

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