基本情報

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堂島 大地

DOJIMA Daichi

生年
1990年
研究室住所
兵庫県三田市学園2-1
研究分野・キーワード
結晶成長, 熱エッチング、半導体材料、SiC、AlN、グラフェン
研究概要
化合物半導体材料である炭化ケイ素(SiC)の革新的加工プロセス及びナノ表面制御技術を用いた、高品質窒化アルミニウム(AlN)のヘテロエピタキシャル成長
メールアドレス
メールアドレス
研究室電話
079-565-9727

取得学位 【 表示 / 非表示

  • 学位名:修士(理学)
    学位の分野名:電力工学・電力変換・電気機器
    学位授与機関名:関西学院大学
    取得方法:課程
    取得年月:2016年03月

 

論文 【 表示 / 非表示

  • 記述言語:英語
    論文題目名:In-situ growth modecontrol of AlN on SiC substrate by sublimation closed space technique
    掲載誌名:Journal of Crystal Growth  483巻  (頁 206 ~ 210)
    掲載誌 発行年月:2017年11月
    著者氏名(共著者含):Daichi Dojima, Koji Ashida, Tadaaki Kaneko

    DOI:10.1016/j.jcrysgro.2017.11.032
    掲載種別:研究論文(学術雑誌)
    共著区分:共著
    専門分野(科研費分類):電子・電気材料工学

  • 記述言語:英語
    論文題目名:Interactions Between Epitaxial Graphene Grown on the Si- and C-Faces of 4H-SiC Investigated Using Raman Imaging and Tip-Enhanced Raman Scattering
    掲載誌名:APPLIED SPECTROSCOPY  74巻  11号  (頁 1384 ~ 1390)
    掲載誌 発行年月:2020年11月
    著者氏名(共著者含):Uemura Shohei, Vantasin Sanpon, Kitahama Yasutaka, Tanaka Yoshito Yannick, Suzuki Toshiaki, Doujima Daichi, Kaneko Tadaaki, Ozaki Yukihiro

    DOI:10.1177/0003702820944247
    掲載種別:研究論文(学術雑誌)
    共著区分:共著

  • 記述言語:英語
    論文題目名:Evaluation of Polishing-Induced Subsurface Damage of 4H-SiC (0001) by Cross-Sectional Electron Backscattered Diffraction and Synchrotron X-Ray Micro-Diffraction
    掲載誌名:MRS ADVANCES  1巻  55号  (頁 3697 ~ 3702)
    掲載誌 発行年月:2016年
    著者氏名(共著者含):Ashida Koji, Dojima Daichi, Kutsuma Yasunori, Torimi Satoshi, Nogami Satoru, Imai Yasuhiko, Kimura Shigeru, Mizuki Jun-ichiro, Ohtani Noboru, Kaneko Tadaaki

    DOI:10.1557/adv.2016.433
    掲載種別:研究論文(学術雑誌)
    共著区分:共著

  • 記述言語:英語
    論文題目名:Characterization of SiC-grown epitaxial graphene microislands using tip-enhanced Raman spectroscopy
    掲載誌名:PHYSICAL CHEMISTRY CHEMICAL PHYSICS  17巻  43号  (頁 28993 ~ 28999)
    掲載誌 発行年月:2015年
    著者氏名(共著者含):Vantasin Sanpon, Tanaka Yoshito, Uemura Shohei, Suzuki Toshiaki, Kutsuma Yasunori, Doujima Daichi, Kaneko Tadaaki, Ozaki Yukihiro

    DOI:10.1039/c5cp05014f
    掲載種別:研究論文(学術雑誌)
    共著区分:共著

知的財産権 【 表示 / 非表示

  • 知的財産権区分:特許
    発明の名称:温度分布評価方法及び温度分布評価装置
    発明(考案)者名:金子忠昭,堂島大地,芦田晃嗣,井原知也,他

    出願番号:TW109113845,2020年04月24日
    出願人名称:学校法人関西学院,他
    出願国:タイワン(台湾)

  • 知的財産権区分:特許
    発明の名称:温度分布評価方法及び温度分布評価装置
    発明(考案)者名:金子忠昭,堂島大地,芦田晃嗣,井原知也,他

    出願番号:PCT/JP2020/017644,2020年04月24日
    出願人名称:学校法人関西学院,他
    出願国:その他

  • 知的財産権区分:特許
    発明の名称:SiC半導体基板及びその製造方法及びその製造装置
    発明(考案)者名:金子忠昭,堂島大地,芦田晃嗣,井原知也,他

    出願番号:特願2020-556059,2019年11月05日
    出願人名称:学校法人関西学院,他
    出願国:日本国

  • 知的財産権区分:特許
    発明の名称:SiC半導体基板及びその製造方法及びその製造装置
    発明(考案)者名:金子忠昭,堂島大地,芦田晃嗣,井原知也,他

    出願番号:PCT/JP2019/43204,2019年11月05日
    出願人名称:学校法人関西学院,他
    出願国:その他

  • 知的財産権区分:特許
    発明の名称:SiC半導体基板及びその製造方法及びその製造装置
    発明(考案)者名:金子忠昭,堂島大地,芦田晃嗣,井原知也,他

    出願番号:TW108140074,2019年11月05日
    出願人名称:学校法人関西学院,他
    出願国:タイワン(台湾)

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