田中 一
TANAKA HAJIME
所属
工学部 専任講師
研究分野・キーワード
キャリア輸送, シミュレーション, 半導体
教育研究内容
半導体における電子状態やキャリア輸送現象を対象としたシミュレーションの研究を行っています。特に、ワイドギャップ半導体やナノスケールの半導体微細構造における、電子物性・デバイス特性を理論的に解析します。シミュレーションによる、複雑な現象の理解や定量的な予測、そのための物理モデルの構築や計算手法の開発に加え、これらに基づく新しいデバイスの提案も目指しています。
SDGs 関連ゴール
出身大学 【 表示 ／ 非表示 】
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学校名：京都大学
学部（学系）名：大学院工学研究科
学科・専攻等名：電子工学専攻
学校の種類：大学
卒業年月：2017年03月
卒業区分：卒業
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学校名：京都大学
学部（学系）名：工学部
学科・専攻等名：電気電子工学科
学校の種類：大学
卒業年月：2013年03月
卒業区分：卒業
学位 【 表示 ／ 非表示 】
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学位名：博士（工学）
分野名：ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電気電子材料工学
授与機関名：京都大学
取得方法：課程
取得年月：2017年03月
経歴 【 表示 ／ 非表示 】
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所属：関西学院大学
部署名：工学部 電気電子応用工学課程
職名：専任講師
年月：2025年04月 ～ 継続中 -
所属：大阪大学
部署名：大学院工学研究科 電気電子情報通信工学専攻
職名：助教
年月：2020年10月 ～ 2025年03月 -
所属：京都大学
部署名：大学院横断教育プログラム推進センター
職名：特定助教
年月：2019年04月 ～ 2020年09月 -
所属：大阪大学
職名：日本学術振興会特別研究員(PD)
年月：2018年04月 ～ 2019年03月 -
所属：京都大学
職名：日本学術振興会特別研究員(PD)
年月：2017年04月 ～ 2018年03月
論文 【 表示 ／ 非表示 】
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タイトル：Influence of substrate acceptor concentration on the density of states in MOS structures
誌名：Japanese Journal of Applied Physics 65巻 7号 （頁 07SP07）
出版年月：2026年04月
著者：Kaoru Kato, Hajime Tanaka, Nobuya MoriDOI：10.35848/1347-4065/ae5112
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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タイトル：Monte Carlo simulation of edge scattering effects on carrier mobility in turbostratic multilayer graphene
誌名：JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 64巻 12号 （頁 121001）
出版年月：2025年12月
著者：Mojtahedzadeh, SA; Tanaka, H; Mori, NDOI：10.35848/1347-4065/ae1b56
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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タイトル：Compact empirical tight-binding models for the conduction band of 4H-SiC considering the floating nature of electronic states
誌名：Japanese Journal of Applied Physics 64巻 8号 （頁 080901）
出版年月：2025年08月
著者：Sachika Nagamizo, Hajime Tanaka, Nobuya MoriDOI：10.35848/1347-4065/adf425
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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タイトル：Acceleration theorem for low-dimensional electron systems with off-diagonal effective-mass components
誌名：Journal of Applied Physics 137巻 24号
出版年月：2025年06月
著者：Nobuya Mori, Hajime Tanaka, Jo OkadaDOI：10.1063/5.0273448
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
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タイトル：First-order SPICE modeling of SiC p- and n-channel side-gate JFETs toward high-temperature complementary JFET ICs
誌名：APL Electronic Devices 1巻 2号
出版年月：2025年04月
著者：Noriyuki Maeda, Mitsuaki Kaneko, Hajime Tanaka, Tsunenobu KimotoDOI：10.1063/5.0254971
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
MISC 【 表示 ／ 非表示 】
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タイトル：4H-SiC反転層における電子状態の原子論的解析
誌名：電子情報通信学会技術研究報告 125巻 246号 （頁 13 ～ 18）
出版年月：2025年11月
著者：永溝幸周, 田中 一, 森 伸也
掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議）
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タイトル：半導体ナノシートにおける表面ラフネス散乱で決まる平均自由行程の量子論に基づく数値解析手法
誌名：電子情報通信学会技術研究報告 124巻 145号 （頁 21 ～ 24）
出版年月：2024年07月
著者：岡田 丈, 田中 一, 森 伸也
掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議）
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タイトル：SISPAD 2023 レビュー
誌名：電子情報通信学会技術研究報告 123巻 250号 （頁 1 ～ 6）
出版年月：2023年11月
著者：田中 一
掲載種別：会議報告等
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タイトル：半導体ナノシートにおける表面ラフネス散乱の量子論に基づく数値解析
誌名：電子情報通信学会技術研究報告 123巻 250号 （頁 10 ～ 15）
出版年月：2023年11月
著者：岡田 丈, 田中 一, 森 伸也
掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議）
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タイトル：ファンデルワールスヘテロ構造におけるバンド間トンネルのNEGFシミュレーション
誌名：電子情報通信学会技術研究報告 120巻 239号 （頁 52 ～ 57）
出版年月：2020年11月
著者：森 伸也, 橋本 風渡, 三島 嵩也, 田中 一
掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（全国大会，その他学術会議）
受賞 【 表示 ／ 非表示 】
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賞名：Outstanding Reviewer Award
受賞年月：2023年03月
授与機関：英国物理学会
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賞名：論文奨励賞
受賞年月：2023年03月
授与機関：応用物理学会
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賞名：研究奨励賞
受賞年月：2022年03月
授与機関：応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会
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賞名：研究奨励賞
受賞年月：2016年11月
授与機関：応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第3回講演会
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賞名：MFSK Award
受賞年月：2015年12月
授与機関：IEEE EDS Kansai Chapter
共同研究・競争的資金等の研究課題 【 表示 ／ 非表示 】
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研究種目：若手研究
研究期間：2024年04月 ～ 2029年03月
タイトル：SiC MOS反転層における電子輸送機構の原子論と量子論に基づく解明
講演・口頭発表等 【 表示 ／ 非表示 】
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会議名：2024 International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2024)
発表年月日：2024年10月04日
タイトル：Monte Carlo analyses on impact ionization coefficients in 4H-SiC
会議種別：口頭発表（招待・特別）
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会議名：シリコンテクノロジー分科会 第251回研究集会
発表年月日：2024年07月11日
タイトル：SiCにおける反転層移動度および高電界輸送現象のシミュレーション
会議種別：口頭発表（招待・特別）
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会議名：2024 International VLSI Symposium on Technology, Systems and Applications
発表年月日：2024年04月23日
タイトル：Modeling and simulation of carrier transport properties in 4H-SiC
会議種別：口頭発表（招待・特別）
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会議名：電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究会
発表年月日：2023年11月09日
タイトル：SISPAD 2023 レビュー
会議種別：口頭発表（招待・特別）
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会議名：第70回 応用物理学会 春季学術講演会
発表年月日：2023年03月16日
タイトル：SiC MOS反転層における電子散乱過程およびHall移動度のモデリング
会議種別：口頭発表（招待・特別）
担当授業科目（学内） 【 表示 ／ 非表示 】
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履修年度：2025年度（西暦）
提供部署名：工学部
授業科目名：卒業実験及び演習
授業形式：代表者
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履修年度：2025年度（西暦）
提供部署名：理工学部
授業科目名：卒業実験及び演習（サイバーロボティクスコース）
授業形式：代表者
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履修年度：2025年度（西暦）
提供部署名：工学部
授業科目名：外国書講読
授業形式：代表者
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履修年度：2025年度（西暦）
提供部署名：理工学部
授業科目名：外国書講読
授業形式：代表者
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履修年度：2025年度（西暦）
提供部署名：理工学研究科前期
授業科目名：文献演習
授業形式：代表者
担当経験のある授業科目（学内・学外） 【 表示 ／ 非表示 】
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科目：基礎電子電気実験
機関名：関西学院大学 工学部 電気電子応用工学課程 -
科目：電気電子計測実験
機関名：関西学院大学 工学部 電気電子応用工学課程 -
科目：電子デバイス
機関名：関西学院大学 工学部 電気電子応用工学課程 -
科目：電気電子ものづくり実験
機関名：関西学院大学 工学部 電気電子応用工学課程 -
科目：電子情報工学創成実験
機関名：大阪大学 工学部 電子情報工学科
委員歴 【 表示 ／ 非表示 】
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団体名：応用物理学会 関西支部
委員名：幹事
年月：2025年04月 ～ 継続中 -
団体名：International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD) 2025
委員名：Program Committee Member
年月：2025年01月 ～ 2025年09月 -
団体名：International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD) 2026
委員名：Program Committee Chair
年月：2024年05月 ～ 継続中 -
団体名：2024 International Conference on Solid-State Devices and Materials (SSDM2024)
委員名：Steering Committee Member
年月：2023年12月 ～ 2024年11月 -
団体名：International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD) 2024
委員名：Program Committee Member
年月：2023年12月 ～ 2024年09月