学位 【 表示 ／ 非表示 】

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• 学位名：工学博士
  分野名：ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電気電子材料工学
  授与機関名：大阪大学
  取得方法：課程
  取得年月：1991年03月

経歴 【 表示 ／ 非表示 】

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• 所属：関西学院大学
  部署名：工学部　電気電子応用工学課程
  職名：教授
  年月：2021年04月 ～ 継続中

• 所属：関西学院大学
  部署名：理工学部 先進エネルギーナノ工学科
  職名：教授
  年月：2015年04月 ～ 2021年03月

• 所属：関西学院大学
  部署名：理工学部 物理学科
  職名：教授
  年月：2003年04月 ～ 2015年03月

• 所属：関西学院大学
  部署名：理工学部 物理学科
  職名：助教授
  年月：1997年04月 ～ 2003年03月

所属学協会 【 表示 ／ 非表示 】

所属学協会 【 表示 ／ 非表示 】

• 所属学協会名：日本応用物理学会
  学会所在国：日本国

研究分野 【 表示 ／ 非表示 】

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• 研究分野：ナノテク・材料 / 薄膜、表面界面物性
  

論文 【 表示 ／ 非表示 】

論文 【 表示 ／ 非表示 】

• タイトル：Suppression of In-Grown SF Formation and BPD Propagation in 4H-Sic Epitaxial Layer by Sublimating Sub-Surface Damage before the Growth”
  誌名：Solid State Phenomena  344巻  （頁 9 ～ 14）
  出版年月：2023年06月
  著者：Kohei Toda, Daichi Dojima, Kiyoshi Kojima, Hiroshi Mihara, Shin-ichi Mitani, and Tadaaki Kaneko

  DOI：https://doi.org/10.4028/p-z108w8
  

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• タイトル：4H-SiC Full Wafer Mapping Image of CMP-Finished Sub-Surface Damage by Laser Light Scattering
  誌名：Solid State Phenomena  343巻  （頁 43 ～ 50）
  出版年月：2023年05月
  著者：Daichi Dojima, Daichi Dansako, Mizuho Maki, Kohei Toda, Tadaaki Kaneko

  DOI：https://doi.org/10.4028/p-1i3w12
  

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• タイトル：Effect of Sub-Surface Damage Layer Removal by Sublimation Etching of 4H-SiC Bulk Wafers on PL Imaging of Crystal Defect Visibility
  誌名：Solid State Phenomena  343巻  （頁 29 ～ 36）
  出版年月：2023年05月
  著者：Daichi Dojima, Mizuho Maki, Daichi Dansako, Kohei Toda, and Tadaaki Kaneko

  DOI：https://doi.org/10.4028/p-jr595s
  

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• タイトル：X-ray two-beam topography for quantitative derivation of phase shift by crystalline dislocations
  誌名：PHYSICAL REVIEW RESEARCH  5巻  1号
  出版年月：2023年03月
  著者：Kohmura Yoshiki, Ohwada Kenji, Kakiuchi Nobuki, Sawada Kei, Kaneko Tadaaki, Mizuki Jun'ichiro, Mizumaki Masaichiro, Watanuki Tetsu, Ishikawa Tetsuya

  DOI：10.1103/PhysRevResearch.5.L012043
  

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• 記述言語：英語
  タイトル：Investigation of Run-to-Run Fluctuation in Growth Conditions of Physical Vapor Transport Growth of 4H-SiC Crystals
  誌名： Materials Science Forum  924巻  （頁 19 ～ 22）
  出版年月：2018年06月
  著者： Nana Matsumoto, Hiroaki Shinya, Koji Ashida, Tadaaki Kaneko, Noboru Ohtani *, Masakazu Katsuno, Hiroshi Tsuge, Shinya Sato, Tatsuo Fujimoto

  DOI：10.4028/www.scientific.net/MSF.924.19
  掲載種別：研究論文（学術雑誌）
  共著区分：共著
  

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産業財産権 【 表示 ／ 非表示 】

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• 産業財産権の種類：特許権
  産業財産権名：METHOD FOR EVALUATING WORK-MODIFIED LAYER, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE
  発明者/考案者/創作者：KANEKO Tadaaki
  

  出願番号：CN202280009850.0，2023年07月12日
  公開番号：CN116762157，2023年09月15日
  出願人（機関）：KWANSEI GAKUIN EDUCATIONAL FOUNDATION , YGK CORPORATION , TOYOTA TSUSHO CORPORATION
  出願国：中華人民共和国
  

• 産業財産権の種類：特許権
  産業財産権名：METHOD FOR MEASURING ETCHING AMOUNT, AND MEASUREMENT SYSTEM THEREFOR
  発明者/考案者/創作者：KANEKO Tadaaki
  

  出願番号：CN202280008934.2，2023年07月03日
  公開番号：CN116745471，2023年09月12日
  出願人（機関）：KWANSEI GAKUIN EDUCATIONAL FOUNDATION , TOYOTA TSUSHO CORPORATION
  出願国：中華人民共和国
  

• 産業財産権の種類：特許権
  産業財産権名：HEAT TREATMENT ENVIRONMENT EVALUATION METHOD AND SILICON CARBIDE SUBSTRATE
  発明者/考案者/創作者：KANEKO Tadaaki , DOJIMA Daichi
  

  出願番号：CN202180070316.6，2023年04月13日
  公開番号：CN116348640，2023年06月27日
  出願人（機関）：KWANSEI GAKUIN EDUCATIONAL FOUNDATION , TOYOTA TSUSHO CORPORATION
  出願国：中華人民共和国
  

• 産業財産権の種類：特許権
  産業財産権名：EVALUATION METHOD FOR SILICON CARBIDE SUBSTRATES
  発明者/考案者/創作者：KANEKO Tadaaki , DOJIMA Daichi
  

  出願番号：CN202180069677.9，2023年04月11日
  公開番号：CN116391064，2023年07月04日
  出願人（機関）：KWANSEI GAKUIN EDUCATIONAL FOUNDATION , TOYOTA TSUSHO CORPORATION
  出願国：中華人民共和国
  

• 産業財産権の種類：特許権
  産業財産権名：EVALUATION METHOD FOR SILICON CARBIDE SUBSTRATES
  発明者/考案者/創作者：KANEKO Tadaaki , DOJIMA Daichi
  

  出願番号：EP21886282.9，2023年03月28日
  公開番号：EP4239111，2023年09月06日
  出願人（機関）：KWANSEI GAKUIN EDUCATIONAL FOUNDATION , TOYOTA TSUSHO CORPORATION
  出願国：日本国
  

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共同研究・競争的資金等の研究課題 【 表示 ／ 非表示 】

共同研究・競争的資金等の研究課題 【 表示 ／ 非表示 】

• 研究期間：2015年09月 ～ 2017年02月
  タイトル：サブナノ結晶配向情報検出ウェハ表面マッピング装置の開発
  提供機関：独立行政法人新エネルギー・産業技術総合開発機構
  

• 研究期間：2013年12月 ～ 2016年03月
  タイトル：超高真空、低温チップ増強ラマン分光イメージング装置の開発（研究成果展開事業　研究成果最適展開支援プログラムA-STEPシーズ育成タイプ）
  提供機関：独立行政法人科学技術振興機構
  

• 研究期間：2013年01月 ～ 2015年02月
  タイトル：CMP-free 超高温安定化EPI-ready SiCナノ表面制御プロセスの開発（戦略的省エネルギー技術革新プログラム　実用化開発）
  提供機関：独立行政法人新エネルギー・産業技術総合開発機構
  

• 研究期間：2006年07月 ～ 2009年03月
  タイトル：大面積SiC革新的基盤技術の研究開発（エネルギー使用合理化技術戦略的開発）
  提供機関：独立行政法人新エネルギー・産業技術総合開発機構
  

• 研究期間：2002年07月 ～ 2004年03月
  タイトル：ＳｉＣパワーデバイス基板の研究開発（大学発事業創出実用化事業）
  提供機関：独立行政法人新エネルギー・産業技術総合開発機構
  

講演・口頭発表等 【 表示 ／ 非表示 】

講演・口頭発表等 【 表示 ／ 非表示 】

• 記述言語：日本語
  会議名：先進パワー半導体分科会第6回講演会
  国際・国内会議：国際会議
  開催年月：2019年12月
  開催地：広島国際会議場
  タイトル：低加速SEMを用いた4H-SiC(0001)エピ/バルク界面ステップ形状の観察
  会議種別：ポスター発表
  

• 記述言語：日本語
  会議名：先進パワー半導体分科会第6回講演会
  国際・国内会議：国際会議
  開催年月：2019年12月
  開催地：広島国際会議場
  タイトル：接合型ダイヤモンド単結晶基板の配向性
  会議種別：ポスター発表
  

• 記述言語：英語
  会議名：Atomic Level Characterization (ALC’19)
  国際・国内会議：国際会議
  開催年月：2019年10月
  開催地：Kyoto / Japan
  タイトル：Characterization of subsurface damage of SiC substrate with several monolayers depth by the growth of epitaxial graphene
  会議種別：ポスター発表
  

• 記述言語：英語
  会議名：Atomic Level Characterization (ALC’19)
  国際・国内会議：国際会議
  開催年月：2019年10月
  開催地：Kyoto / Japan
  タイトル：Characterization of step edge chemical characteristics of 4H-SiC (0001) by observing epitaxial graphene site-selective growth mode change
  会議種別：ポスター発表
  

• 記述言語：英語
  会議名：International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019
  国際・国内会議：国際会議
  開催年月：2019年09月 ～ 2019年10月
  開催地：Kyoto / Japan
  タイトル：BPD-TED Conversion in the SiC substrate after High- Temperature Si-VE
  会議種別：口頭発表（一般）
  

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担当授業科目（学内） 【 表示 ／ 非表示 】

担当授業科目（学内） 【 表示 ／ 非表示 】

• 履修年度：2024年度（西暦）

  提供部署名：理工学部

  授業科目名：先進エネルギーナノ工学入門
  

  授業形式：代表者

• 履修年度：2024年度（西暦）

  提供部署名：工学部

  授業科目名：卒業実験及び演習
  

  授業形式：代表者

• 履修年度：2024年度（西暦）

  提供部署名：理工学部

  授業科目名：卒業実験及び演習
  

  授業形式：代表者

• 履修年度：2024年度（西暦）

  提供部署名：工学部

  授業科目名：外国書講読
  

  授業形式：代表者

• 履修年度：2024年度（西暦）

  提供部署名：理工学部

  授業科目名：外国書講読
  

  授業形式：代表者

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