金子 忠昭
KANEKO Tadaaki
学位 【 表示 / 非表示 】
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学位名:工学博士
分野名:ものづくり技術(機械・電気電子・化学工学) / 電気電子材料工学
授与機関名:大阪大学
取得方法:課程
取得年月:1991年03月
経歴 【 表示 / 非表示 】
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所属:関西学院大学
部署名:工学部 電気電子応用工学課程
職名:教授
年月:2021年04月 ~ 継続中 -
所属:関西学院大学
部署名:理工学部 先進エネルギーナノ工学科
職名:教授
年月:2015年04月 ~ 2021年03月 -
所属:関西学院大学
部署名:理工学部 物理学科
職名:教授
年月:2003年04月 ~ 2015年03月 -
所属:関西学院大学
部署名:理工学部 物理学科
職名:助教授
年月:1997年04月 ~ 2003年03月
論文 【 表示 / 非表示 】
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タイトル:Suppression of In-Grown SF Formation and BPD Propagation in 4H-Sic Epitaxial Layer by Sublimating Sub-Surface Damage before the Growth”
誌名:Solid State Phenomena 344巻 (頁 9 ~ 14)
出版年月:2023年06月
著者:Kohei Toda, Daichi Dojima, Kiyoshi Kojima, Hiroshi Mihara, Shin-ichi Mitani, and Tadaaki KanekoDOI:https://doi.org/10.4028/p-z108w8
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タイトル:4H-SiC Full Wafer Mapping Image of CMP-Finished Sub-Surface Damage by Laser Light Scattering
誌名:Solid State Phenomena 343巻 (頁 43 ~ 50)
出版年月:2023年05月
著者:Daichi Dojima, Daichi Dansako, Mizuho Maki, Kohei Toda, Tadaaki KanekoDOI:https://doi.org/10.4028/p-1i3w12
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タイトル:Effect of Sub-Surface Damage Layer Removal by Sublimation Etching of 4H-SiC Bulk Wafers on PL Imaging of Crystal Defect Visibility
誌名:Solid State Phenomena 343巻 (頁 29 ~ 36)
出版年月:2023年05月
著者:Daichi Dojima, Mizuho Maki, Daichi Dansako, Kohei Toda, and Tadaaki KanekoDOI:https://doi.org/10.4028/p-jr595s
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タイトル:X-ray two-beam topography for quantitative derivation of phase shift by crystalline dislocations
誌名:PHYSICAL REVIEW RESEARCH 5巻 1号
出版年月:2023年03月
著者:Kohmura Yoshiki, Ohwada Kenji, Kakiuchi Nobuki, Sawada Kei, Kaneko Tadaaki, Mizuki Jun'ichiro, Mizumaki Masaichiro, Watanuki Tetsu, Ishikawa TetsuyaDOI:10.1103/PhysRevResearch.5.L012043
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記述言語:英語
タイトル:Investigation of Run-to-Run Fluctuation in Growth Conditions of Physical Vapor Transport Growth of 4H-SiC Crystals
誌名: Materials Science Forum 924巻 (頁 19 ~ 22)
出版年月:2018年06月
著者: Nana Matsumoto, Hiroaki Shinya, Koji Ashida, Tadaaki Kaneko, Noboru Ohtani *, Masakazu Katsuno, Hiroshi Tsuge, Shinya Sato, Tatsuo FujimotoDOI:10.4028/www.scientific.net/MSF.924.19
掲載種別:研究論文(学術雑誌)
共著区分:共著
産業財産権 【 表示 / 非表示 】
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産業財産権の種類:特許権
産業財産権名:METHOD FOR EVALUATING WORK-MODIFIED LAYER, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE
発明者/考案者/創作者:KANEKO Tadaaki
出願番号:CN202280009850.0,2023年07月12日
公開番号:CN116762157,2023年09月15日
出願人(機関):KWANSEI GAKUIN EDUCATIONAL FOUNDATION , YGK CORPORATION , TOYOTA TSUSHO CORPORATION
出願国:中華人民共和国
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産業財産権の種類:特許権
産業財産権名:METHOD FOR MEASURING ETCHING AMOUNT, AND MEASUREMENT SYSTEM THEREFOR
発明者/考案者/創作者:KANEKO Tadaaki
出願番号:CN202280008934.2,2023年07月03日
公開番号:CN116745471,2023年09月12日
出願人(機関):KWANSEI GAKUIN EDUCATIONAL FOUNDATION , TOYOTA TSUSHO CORPORATION
出願国:中華人民共和国
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産業財産権の種類:特許権
産業財産権名:HEAT TREATMENT ENVIRONMENT EVALUATION METHOD AND SILICON CARBIDE SUBSTRATE
発明者/考案者/創作者:KANEKO Tadaaki , DOJIMA Daichi
出願番号:CN202180070316.6,2023年04月13日
公開番号:CN116348640,2023年06月27日
出願人(機関):KWANSEI GAKUIN EDUCATIONAL FOUNDATION , TOYOTA TSUSHO CORPORATION
出願国:中華人民共和国
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産業財産権の種類:特許権
産業財産権名:EVALUATION METHOD FOR SILICON CARBIDE SUBSTRATES
発明者/考案者/創作者:KANEKO Tadaaki , DOJIMA Daichi
出願番号:CN202180069677.9,2023年04月11日
公開番号:CN116391064,2023年07月04日
出願人(機関):KWANSEI GAKUIN EDUCATIONAL FOUNDATION , TOYOTA TSUSHO CORPORATION
出願国:中華人民共和国
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産業財産権の種類:特許権
産業財産権名:EVALUATION METHOD FOR SILICON CARBIDE SUBSTRATES
発明者/考案者/創作者:KANEKO Tadaaki , DOJIMA Daichi
出願番号:EP21886282.9,2023年03月28日
公開番号:EP4239111,2023年09月06日
出願人(機関):KWANSEI GAKUIN EDUCATIONAL FOUNDATION , TOYOTA TSUSHO CORPORATION
出願国:日本国
共同研究・競争的資金等の研究課題 【 表示 / 非表示 】
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研究期間:2015年09月 ~ 2017年02月
タイトル:サブナノ結晶配向情報検出ウェハ表面マッピング装置の開発
提供機関:独立行政法人新エネルギー・産業技術総合開発機構
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研究期間:2013年12月 ~ 2016年03月
タイトル:超高真空、低温チップ増強ラマン分光イメージング装置の開発(研究成果展開事業 研究成果最適展開支援プログラムA-STEPシーズ育成タイプ)
提供機関:独立行政法人科学技術振興機構
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研究期間:2013年01月 ~ 2015年02月
タイトル:CMP-free 超高温安定化EPI-ready SiCナノ表面制御プロセスの開発(戦略的省エネルギー技術革新プログラム 実用化開発)
提供機関:独立行政法人新エネルギー・産業技術総合開発機構
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研究期間:2006年07月 ~ 2009年03月
タイトル:大面積SiC革新的基盤技術の研究開発(エネルギー使用合理化技術戦略的開発)
提供機関:独立行政法人新エネルギー・産業技術総合開発機構
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研究期間:2002年07月 ~ 2004年03月
タイトル:SiCパワーデバイス基板の研究開発(大学発事業創出実用化事業)
提供機関:独立行政法人新エネルギー・産業技術総合開発機構
講演・口頭発表等 【 表示 / 非表示 】
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記述言語:日本語
会議名:先進パワー半導体分科会第6回講演会
国際・国内会議:国際会議
開催年月:2019年12月
開催地:広島国際会議場
タイトル:低加速SEMを用いた4H-SiC(0001)エピ/バルク界面ステップ形状の観察
会議種別:ポスター発表
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記述言語:日本語
会議名:先進パワー半導体分科会第6回講演会
国際・国内会議:国際会議
開催年月:2019年12月
開催地:広島国際会議場
タイトル:接合型ダイヤモンド単結晶基板の配向性
会議種別:ポスター発表
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記述言語:英語
会議名:Atomic Level Characterization (ALC’19)
国際・国内会議:国際会議
開催年月:2019年10月
開催地:Kyoto / Japan
タイトル:Characterization of subsurface damage of SiC substrate with several monolayers depth by the growth of epitaxial graphene
会議種別:ポスター発表
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記述言語:英語
会議名:Atomic Level Characterization (ALC’19)
国際・国内会議:国際会議
開催年月:2019年10月
開催地:Kyoto / Japan
タイトル:Characterization of step edge chemical characteristics of 4H-SiC (0001) by observing epitaxial graphene site-selective growth mode change
会議種別:ポスター発表
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記述言語:英語
会議名:International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019
国際・国内会議:国際会議
開催年月:2019年09月 ~ 2019年10月
開催地:Kyoto / Japan
タイトル:BPD-TED Conversion in the SiC substrate after High- Temperature Si-VE
会議種別:口頭発表(一般)
担当授業科目(学内) 【 表示 / 非表示 】
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履修年度:2024年度(西暦)
提供部署名:理工学部
授業科目名:先進エネルギーナノ工学入門
授業形式:代表者
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履修年度:2024年度(西暦)
提供部署名:理工学部
授業科目名:卒業実験及び演習
授業形式:代表者
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履修年度:2024年度(西暦)
提供部署名:工学部
授業科目名:卒業実験及び演習
授業形式:代表者
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履修年度:2024年度(西暦)
提供部署名:理工学部
授業科目名:外国書講読
授業形式:代表者
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履修年度:2024年度(西暦)
提供部署名:工学部
授業科目名:外国書講読
授業形式:代表者