金子 忠昭
KANEKO Tadaaki
所属
工学部 電気電子応用工学課程 教授
研究分野・キーワード
次世代化合物半導体, 超高温熱平衡エンジニアリング, 結晶成長, エッチング, プロセスサイエンス, ナノ表面制御
プロフィール
省エネルギー社会の実現に貢献する次世代半導体結晶材料。なかでも融点が高く、加工が困難な炭化ケイ素や窒化アルミニウムなどを対象に、結晶品質の向上と低コスト化を実現し得る新たな生産技術の確立を目的に、2000℃領域での結晶成長と熱エッチングを融合したナノ表面プロセスの開発を行っています。
SDGs 関連ゴール
学位 【 表示 ／ 非表示 】
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学位名：工学博士
分野名：ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電気電子材料工学
授与機関名：大阪大学
取得方法：課程
取得年月：1991年03月
経歴 【 表示 ／ 非表示 】
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所属：関西学院大学
部署名：理工学部 先進エネルギーナノ工学科
職名：教授
年月：2015年04月 ～ 継続中 -
所属：関西学院大学
部署名：理工学部 物理学科
職名：教授
年月：2003年04月 ～ 2015年03月 -
所属：関西学院大学
部署名：理工学部 物理学科
職名：助教授
年月：1997年04月 ～ 2003年03月
論文 【 表示 ／ 非表示 】
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記述言語：英語
タイトル：Investigation of Run-to-Run Fluctuation in Growth Conditions of Physical Vapor Transport Growth of 4H-SiC Crystals
誌名： Materials Science Forum 924巻 （頁 19 ～ 22）
出版年月：2018年06月
著者： Nana Matsumoto, Hiroaki Shinya, Koji Ashida, Tadaaki Kaneko, Noboru Ohtani *, Masakazu Katsuno, Hiroshi Tsuge, Shinya Sato, Tatsuo FujimotoDOI：10.4028/www.scientific.net/MSF.924.19
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
共著区分：共著
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記述言語：英語
タイトル：Rearrangement of Surface Structure of 4o Off-Axis 4H-SiC (0001) Epitaxial Wafer by High Temperature Annealing in Si/Ar Ambient
誌名： Materials Science Forum 924巻 （頁 249 ～ 252）
出版年月：2018年06月
著者：Koji Ashida, Daichi Dojima, Satoshi Torimi, Norihito Yabuki, Yusuke Sudo, Takuya Sakaguchi, Satoru Nogami, Makoto Kitabatake, Tadaaki KanekoDOI：10.4028/www.scientific.net/MSF.924.249
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
共著区分：共著
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記述言語：英語
タイトル：In-situ growth mode control of AlN on SiC substrate by sublimation closed space technique
誌名： Journal of Crystal Growth 483巻 （頁 206 ～ 210）
出版年月：2018年02月
著者：Daichi Dojima, Koji Ashida, Tadaaki KanekoDOI：10.1016/j.jcrysgro.2017.11.032
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
共著区分：単著
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記述言語：英語
タイトル：Low energy electron channeling contrast imaging from 4H-SiC surface by SEM and its comparison with CDIC-OM and PL imaging
誌名： Materials Science Forum 897巻 （頁 193 ～ 196）
出版年月：2017年05月
著者：Koji Ashida, Toru Aiso, Manabu Okamoto, Hirokazu Seki, Makoto Kitabatake, and Tadaaki KanekoDOI：10.4028/www.scientific.net/MSF.897.193
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
共著区分：単著
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記述言語：英語
タイトル：Improving Mechanical Strength and Surface Uniformity to Prepare High Quality Thinned 4H-SiC Epitaxial Wafer Using Si-Vapor Etching Technology
誌名： Materials Science Forum 897巻 （頁 375 ～ 378）
出版年月：2017年05月
著者：Koji Ashida, Toru Aiso, Manabu Okamoto, Hirokazu Seki, Makoto Kitabatake, and Tadaaki KanekoDOI：10.4028/www.scientific.net/MSF.897.375
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
共著区分：単著
産業財産権 【 表示 ／ 非表示 】
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産業財産権の種類：特許権
産業財産権名：VAPOUR-PHASE EPITAXIAL GROWTH METHOD, AND METHOD FOR PRODUCING SUBSTRATE EQUIPPED WITH EPITAXIAL LAYER
発明者/考案者/創作者：Tadaaki Kaneko，Yasunori Kutsuma，Koji Ashida，Ryo Hashimoto
出願番号：EP17789663.6，2021年05月28日
出願人（機関）：Kwansei Gakuin Educational Foundation
出願国：
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産業財産権の種類：特許権
産業財産権名：VAPOUR-PHASE EPITAXIAL GROWTH METHOD, AND METHOD FOR PRODUCING SUBSTRATE EQUIPPED WITH EPITAXIAL LAYER
発明者/考案者/創作者：Tadaaki Kaneko，Yasunori Kutsuma，Koji Ashida，Ryo Hashimoto
出願番号：EP21176449.3，2021年05月28日
出願人（機関）：Kwansei Gakuin Educational Foundation
出願国：
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産業財産権の種類：特許権
産業財産権名：SiC半導体装置の製造方法及びSiC半導体装置
発明者/考案者/創作者：金子忠昭，他
出願番号：TW109133563，2020年09月28日
出願人（機関）：学校法人関西学院，他
出願国：台湾
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産業財産権の種類：特許権
産業財産権名：SiC基板、SiC基板の製造方法、SiC半導体装置およびSiC半導体装置の製造方法
発明者/考案者/創作者：金子忠昭，他
出願番号：TW109133566，2020年09月28日
出願人（機関）：学校法人関西学院，他
出願国：台湾
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産業財産権の種類：特許権
産業財産権名：SiC単結晶の製造方法、SiC単結晶の製造装置及びSiC単結晶ウェハ
発明者/考案者/創作者：金子忠昭，他
出願番号：TW109133565，2020年09月28日
出願人（機関）：学校法人関西学院，他
出願国：台湾
共同研究・競争的資金等の研究課題 【 表示 ／ 非表示 】
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研究種目：
研究期間：2015年09月 ～ 2017年02月
タイトル：サブナノ結晶配向情報検出ウェハ表面マッピング装置の開発
提供機関：独立行政法人新エネルギー・産業技術総合開発機構
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研究種目：
研究期間：2013年12月 ～ 2016年03月
タイトル：超高真空、低温チップ増強ラマン分光イメージング装置の開発（研究成果展開事業 研究成果最適展開支援プログラムA-STEPシーズ育成タイプ）
提供機関：独立行政法人科学技術振興機構
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研究種目：
研究期間：2013年01月 ～ 2015年02月
タイトル：CMP-free 超高温安定化EPI-ready SiCナノ表面制御プロセスの開発（戦略的省エネルギー技術革新プログラム 実用化開発）
提供機関：独立行政法人新エネルギー・産業技術総合開発機構
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研究種目：
研究期間：2006年07月 ～ 2009年03月
タイトル：大面積SiC革新的基盤技術の研究開発（エネルギー使用合理化技術戦略的開発）
提供機関：独立行政法人新エネルギー・産業技術総合開発機構
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研究種目：
研究期間：2002年07月 ～ 2004年03月
タイトル：ＳｉＣパワーデバイス基板の研究開発（大学発事業創出実用化事業）
提供機関：独立行政法人新エネルギー・産業技術総合開発機構
講演・口頭発表等 【 表示 ／ 非表示 】
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記述言語：日本語
会議名：先進パワー半導体分科会第6回講演会
国際・国内会議：国際会議
開催年月：2019年12月
開催地：広島国際会議場
タイトル：低加速SEMを用いた4H-SiC(0001)エピ/バルク界面ステップ形状の観察
会議種別：ポスター発表
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記述言語：日本語
会議名：先進パワー半導体分科会第6回講演会
国際・国内会議：国際会議
開催年月：2019年12月
開催地：広島国際会議場
タイトル：接合型ダイヤモンド単結晶基板の配向性
会議種別：ポスター発表
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記述言語：英語
会議名：Atomic Level Characterization (ALC’19)
国際・国内会議：国際会議
開催年月：2019年10月
開催地：Kyoto / Japan
タイトル：Characterization of subsurface damage of SiC substrate with several monolayers depth by the growth of epitaxial graphene
会議種別：ポスター発表
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記述言語：英語
会議名：Atomic Level Characterization (ALC’19)
国際・国内会議：国際会議
開催年月：2019年10月
開催地：Kyoto / Japan
タイトル：Characterization of step edge chemical characteristics of 4H-SiC (0001) by observing epitaxial graphene site-selective growth mode change
会議種別：ポスター発表
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記述言語：英語
会議名：International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019
国際・国内会議：国際会議
開催年月：2019年09月 ～ 2019年10月
開催地：Kyoto / Japan
タイトル：BPD-TED Conversion in the SiC substrate after High- Temperature Si-VE
会議種別：口頭発表（一般）
担当授業科目（学内） 【 表示 ／ 非表示 】
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履修年度：2023年度（西暦）
提供部署名：理工学部
授業科目名：先進エネルギーナノ工学入門
授業形式：代表者
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履修年度：2023年度（西暦）
提供部署名：理工学部
授業科目名：卒業実験及び演習
授業形式：代表者
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履修年度：2023年度（西暦）
提供部署名：理工学部
授業科目名：外国書講読
授業形式：代表者
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履修年度：2023年度（西暦）
提供部署名：理工学研究科前期
授業科目名：文献演習
授業形式：代表者
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履修年度：2023年度（西暦）
提供部署名：理工学研究科前期
授業科目名：特別実験及び演習
授業形式：代表者