金子 忠昭
KANEKO Tadaaki
所属
工学部 電気電子応用工学課程 教授
研究分野・キーワード
エッチング, ナノ表面制御, プロセスサイエンス, 次世代化合物半導体, 結晶成長, 超高温熱平衡エンジニアリング
教育研究内容
省エネルギー社会の実現に貢献する次世代半導体結晶材料。なかでも融点が高く、加工が困難な炭化ケイ素や窒化アルミニウムなどを対象に、結晶品質の向上と低コスト化を実現し得る新たな生産技術の確立を目的に、2000℃領域での結晶成長と熱エッチングを融合したナノ表面プロセスの開発を行っています。
SDGs 関連ゴール
学位 【 表示 ／ 非表示 】
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学位名：工学博士
分野名：ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電気電子材料工学
授与機関名：大阪大学
取得方法：課程
取得年月：1991年03月
経歴 【 表示 ／ 非表示 】
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所属：関西学院大学
部署名：工学部 電気電子応用工学課程
職名：教授
年月：2021年04月 ～ 継続中 -
所属：関西学院大学
部署名：理工学部 先進エネルギーナノ工学科
職名：教授
年月：2015年04月 ～ 2021年03月 -
所属：関西学院大学
部署名：理工学部 物理学科
職名：教授
年月：2003年04月 ～ 2015年03月 -
所属：関西学院大学
部署名：理工学部 物理学科
職名：助教授
年月：1997年04月 ～ 2003年03月
論文 【 表示 ／ 非表示 】
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記述言語：日本語
タイトル：放射光Ｘ線表面回折法による SiC 熱分解過程の表面構造変化の解明
誌名：SPring-8/SACLA利用研究成果集 12巻 4号 （頁 165 ～ 169）
出版年月：2024年08月
著者：吉田 雅洋, 大和田 謙二, 金子 忠昭, 久津間 保徳, 堂島 大地, 青山 拓志, 水木 純一郎DOI：10.18957/rr.12.4.165
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タイトル：Non-Destructive Quantification of In-Plane Depth Distribution of Sub-Surface Damage on 4H-SiC Wafers Using Laser Light Scattering
誌名：Defect and Diffusion Forum 434巻 （頁 157 ～ 163）
出版年月：2024年08月
著者：Daichi Dojima, Koki Shigematsu, Kaito Tayake, Kohei Toda and Tadaaki Kaneko
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タイトル：A Novel Contactless SiC Wafer Planarization Processing after Mechanical Slicing by Dynamic Thermal Annealing Processes
誌名：Materials Science Forum 1124巻 （頁 77 ～ 84）
出版年月：2024年08月
著者：Kohei Toda, Daichi Kakutani, Daichi Dojima, Yuta Nakajima, Hiroshi Mihara, and Tadaaki Kaneko
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タイトル：Suppression of In-Grown SF Formation and BPD Propagation in 4H-Sic Epitaxial Layer by Sublimating Sub-Surface Damage before the Growth”
誌名：Solid State Phenomena 344巻 （頁 9 ～ 14）
出版年月：2023年06月
著者：Kohei Toda, Daichi Dojima, Kiyoshi Kojima, Hiroshi Mihara, Shin-ichi Mitani, and Tadaaki KanekoDOI：https://doi.org/10.4028/p-z108w8
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タイトル：4H-SiC Full Wafer Mapping Image of CMP-Finished Sub-Surface Damage by Laser Light Scattering
誌名：Solid State Phenomena 343巻 （頁 43 ～ 50）
出版年月：2023年05月
著者：Daichi Dojima, Daichi Dansako, Mizuho Maki, Kohei Toda, Tadaaki KanekoDOI：https://doi.org/10.4028/p-1i3w12
産業財産権 【 表示 ／ 非表示 】
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産業財産権の種類：特許権
産業財産権名：METHOD FOR SUPPRESSING FORMATION OF STACKING FAULT, STRUCTURE PRODUCED BY THIS METHOD, AND METHOD FOR EVALUATING AFFECTED LAYER
発明者/考案者/創作者：KANEKO, Tadaaki、DOJIMA, Daichi、TODA, Kohei、SASAKI, Jun
出願番号：CN202280092520.2，2024年08月23日
公開番号：CN118765340，2024年10月11日
出願人（機関）：KWANSEI GAKUIN EDUCATIONAL FOUNDATION、TOYOTA TSUSHO CORPORATION
出願国：中華人民共和国
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産業財産権の種類：特許権
産業財産権名：METHOD FOR IMPROVIING DOPANT ACTIVATION RATE AND STRUCTURE CREATED BY MEANS OF SAID METHOD
発明者/考案者/創作者：KANEKO, Tadaaki
出願番号：CN202280067421.9，2024年04月03日
公開番号：CN118077034，2024年05月24日
出願人（機関）：KWANSEI GAKUIN EDUCATIONAL FOUNDATION , TOYOTA TSUSHO CORPORATION
出願国：中華人民共和国
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産業財産権の種類：特許権
産業財産権名：METHOD FOR REDUCING STACKING FAULTS IN SILICON CARBIDE, AND STRUCTURE CREATED BY MEANS OF SAID METHOD
発明者/考案者/創作者：KANEKO, Tadaaki
出願番号：CN202280067471.7，2024年04月03日
公開番号：CN118077033，2024年05月24日
出願人（機関）：KWANSEI GAKUIN EDUCATIONAL FOUNDATION , TOYOTA TSUSHO CORPORATION
出願国：中華人民共和国
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産業財産権の種類：特許権
産業財産権名：METHOD FOR REDUCING STACKING FAULTS IN SILICON CARBIDE, AND STRUCTURE CREATED BY MEANS OF SAID METHOD
発明者/考案者/創作者：KANEKO, Tadaaki、DOJIMA, Daichi、TODA, Kohei、SASAKI, Jun
出願番号：EP22878363.5，2024年03月28日
公開番号：EP4415026，2024年08月14日
出願人（機関）：KWANSEI GAKUIN EDUCATIONAL FOUNDATION、TOYOTA TSUSHO CORPORATION
出願国：日本国
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産業財産権の種類：特許権
産業財産権名：METHOD FOR IMPROVIING DOPANT ACTIVATION RATE AND STRUCTURE CREATED BY MEANS OF SAID METHOD
発明者/考案者/創作者：KANEKO Tadaaki
出願番号：EP22878362.7，2024年03月27日
公開番号：EP4415025，2024年08月14日
出願人（機関）：KWANSEI GAKUIN EDUCATIONAL FOUNDATION、TOYOTA TSUSHO CORPORATION
出願国：日本国
共同研究・競争的資金等の研究課題 【 表示 ／ 非表示 】
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研究期間：2015年09月 ～ 2017年02月
タイトル：サブナノ結晶配向情報検出ウェハ表面マッピング装置の開発
提供機関：独立行政法人新エネルギー・産業技術総合開発機構
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研究期間：2013年12月 ～ 2016年03月
タイトル：超高真空、低温チップ増強ラマン分光イメージング装置の開発（研究成果展開事業 研究成果最適展開支援プログラムA-STEPシーズ育成タイプ）
提供機関：独立行政法人科学技術振興機構
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研究期間：2013年01月 ～ 2015年02月
タイトル：CMP-free 超高温安定化EPI-ready SiCナノ表面制御プロセスの開発（戦略的省エネルギー技術革新プログラム 実用化開発）
提供機関：独立行政法人新エネルギー・産業技術総合開発機構
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研究期間：2006年07月 ～ 2009年03月
タイトル：大面積SiC革新的基盤技術の研究開発（エネルギー使用合理化技術戦略的開発）
提供機関：独立行政法人新エネルギー・産業技術総合開発機構
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研究期間：2002年07月 ～ 2004年03月
タイトル：ＳｉＣパワーデバイス基板の研究開発（大学発事業創出実用化事業）
提供機関：独立行政法人新エネルギー・産業技術総合開発機構
講演・口頭発表等 【 表示 ／ 非表示 】
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会議名：パワーデバイス用シリコン および関連半導体材料に関する研究会 （第7回）
開催年月：2021年06月
タイトル：低速電子線チャネリング効果を用いたSiC基板最表面層のSEM評価（Si蒸気圧エッチングを例にプロセス診断ツールとしての活用法）
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記述言語：日本語
会議名：先進パワー半導体分科会第6回講演会
国際・国内会議：国際会議
開催年月：2019年12月
開催地：広島国際会議場
タイトル：低加速SEMを用いた4H-SiC(0001)エピ/バルク界面ステップ形状の観察
会議種別：ポスター発表
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記述言語：日本語
会議名：先進パワー半導体分科会第6回講演会
国際・国内会議：国際会議
開催年月：2019年12月
開催地：広島国際会議場
タイトル：接合型ダイヤモンド単結晶基板の配向性
会議種別：ポスター発表
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記述言語：英語
会議名：Atomic Level Characterization (ALC’19)
国際・国内会議：国際会議
開催年月：2019年10月
開催地：Kyoto / Japan
タイトル：Characterization of subsurface damage of SiC substrate with several monolayers depth by the growth of epitaxial graphene
会議種別：ポスター発表
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記述言語：英語
会議名：Atomic Level Characterization (ALC’19)
国際・国内会議：国際会議
開催年月：2019年10月
開催地：Kyoto / Japan
タイトル：Characterization of step edge chemical characteristics of 4H-SiC (0001) by observing epitaxial graphene site-selective growth mode change
会議種別：ポスター発表
担当授業科目（学内） 【 表示 ／ 非表示 】
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履修年度：2025年度（西暦）
提供部署名：理工学研究科前期
授業科目名：エネルギー半導体特論I
授業形式：代表者
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履修年度：2025年度（西暦）
提供部署名：工学部
授業科目名：卒業実験及び演習
授業形式：代表者
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履修年度：2025年度（西暦）
提供部署名：理工学部
授業科目名：卒業実験及び演習
授業形式：代表者
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履修年度：2025年度（西暦）
提供部署名：工学部
授業科目名：外国書講読
授業形式：代表者
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履修年度：2025年度（西暦）
提供部署名：理工学部
授業科目名：外国書講読
授業形式：代表者