金子 忠昭
KANEKO Tadaaki
職名
教授
研究分野・キーワード
次世代化合物半導体、超高温熱平衡エンジニアリング、結晶成長、エッチング、プロセスサイエンス、ナノ表面制御
研究概要
省エネルギー社会の実現に貢献する次世代半導体結晶材料。なかでも融点が高く、加工が困難な炭化ケイ素や窒化アルミニウムなどを対象に、結晶品質の向上と低コスト化を実現し得る新たな生産技術の確立を目的に、2000℃領域での結晶成長と熱エッチングを融合したナノ表面プロセスの開発を行っています。
SDGs 関連ゴール
学内職務経歴 【 表示 ／ 非表示 】
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職務遂行組織：関西学院大学 理工学部 物理学科
経歴名：助教授
職務期間：1997年04月 ～ 2003年03月 -
職務遂行組織：関西学院大学 理工学部 物理学科
経歴名：教授
職務期間：2003年04月 ～ 2015年03月 -
職務遂行組織：関西学院大学 理工学部 先進エネルギーナノ工学科
経歴名：教授
職務期間：2015年04月 ～ 継続中
論文 【 表示 ／ 非表示 】
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記述言語：英語
論文題目名：Investigation of Run-to-Run Fluctuation in Growth Conditions of Physical Vapor Transport Growth of 4H-SiC Crystals
掲載誌名： Materials Science Forum 924巻 （頁 19 ～ 22）
掲載誌 発行年月：2018年06月
著者氏名（共著者含）： Nana Matsumoto, Hiroaki Shinya, Koji Ashida, Tadaaki Kaneko, Noboru Ohtani *, Masakazu Katsuno, Hiroshi Tsuge, Shinya Sato, Tatsuo FujimotoDOI：10.4028/www.scientific.net/MSF.924.19
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
共著区分：共著
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記述言語：英語
論文題目名：Rearrangement of Surface Structure of 4o Off-Axis 4H-SiC (0001) Epitaxial Wafer by High Temperature Annealing in Si/Ar Ambient
掲載誌名： Materials Science Forum 924巻 （頁 249 ～ 252）
掲載誌 発行年月：2018年06月
著者氏名（共著者含）：Koji Ashida, Daichi Dojima, Satoshi Torimi, Norihito Yabuki, Yusuke Sudo, Takuya Sakaguchi, Satoru Nogami, Makoto Kitabatake, Tadaaki KanekoDOI：10.4028/www.scientific.net/MSF.924.249
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
共著区分：共著
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記述言語：英語
論文題目名：In-situ growth mode control of AlN on SiC substrate by sublimation closed space technique
掲載誌名： Journal of Crystal Growth 483巻 （頁 206 ～ 210）
掲載誌 発行年月：2018年02月
著者氏名（共著者含）：Daichi Dojima, Koji Ashida, Tadaaki KanekoDOI：10.1016/j.jcrysgro.2017.11.032
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
共著区分：単著
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記述言語：英語
論文題目名：Low energy electron channeling contrast imaging from 4H-SiC surface by SEM and its comparison with CDIC-OM and PL imaging
掲載誌名： Materials Science Forum 897巻 （頁 193 ～ 196）
掲載誌 発行年月：2017年05月
著者氏名（共著者含）：Koji Ashida, Toru Aiso, Manabu Okamoto, Hirokazu Seki, Makoto Kitabatake, and Tadaaki KanekoDOI：10.4028/www.scientific.net/MSF.897.193
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
共著区分：単著
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記述言語：英語
論文題目名：Improving Mechanical Strength and Surface Uniformity to Prepare High Quality Thinned 4H-SiC Epitaxial Wafer Using Si-Vapor Etching Technology
掲載誌名： Materials Science Forum 897巻 （頁 375 ～ 378）
掲載誌 発行年月：2017年05月
著者氏名（共著者含）：Koji Ashida, Toru Aiso, Manabu Okamoto, Hirokazu Seki, Makoto Kitabatake, and Tadaaki KanekoDOI：10.4028/www.scientific.net/MSF.897.375
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
共著区分：単著
知的財産権 【 表示 ／ 非表示 】
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知的財産権区分：特許
発明の名称：傾斜支持台付き標準試料、走査型電子顕微鏡の評価方法、及びＳｉＣ基板の評価方法
発明（考案）者名：金子忠昭，芦田晃嗣，久津間保徳
出願番号：PCT/JP2017/016737，2017年04月27日
出願人名称：学校法人関西学院
出願国：その他
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知的財産権区分：特許
発明の名称：気相エピタキシャル成長方法及びエピタキシャル層付き基板の製造方法
発明（考案）者名：金子忠昭，久津間保徳，芦田晃嗣，橋本遼
出願番号：PCT/JP201７/016738，2017年04月27日
出願人名称：学校法人関西学院
出願国：その他
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知的財産権区分：特許
発明の名称：グラフェン前躯体付きＳｉＣ基板の製造方法、グラフェン付きＳｉＣ基板の製造方法、及びグラフェン前躯体形成工程の処理条件の判定方法
発明（考案）者名：金子忠昭，久津間保徳，芦田晃嗣
出願番号：PCT/JP2017/016739，2017年04月27日
出願人名称：学校法人関西学院
出願国：その他
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知的財産権区分：特許
発明の名称：半導体ウエハの製造方法
発明（考案）者名：金子忠昭，久津間保徳，芦田晃嗣
出願番号：PCT/JP2016/004832，2016年11月08日
出願人名称：学校法人関西学院
出願国：その他
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知的財産権区分：特許
発明の名称：METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR WAFER
発明（考案）者名：Tadaaki Kaneko，Yasunori Kutsuma，Koji Ashida
出願番号：CN201680065719.0，2016年11月08日
出願人名称：学校法人関西学院
出願国：中華人民共和国
受託研究受入実績 【 表示 ／ 非表示 】
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研究題目：超高真空、低温チップ増強ラマン分光イメージング装置の開発（研究成果展開事業 研究成果最適展開支援プログラムA-STEPシーズ育成タイプ）
研究期間：2013年12月 ～ 2016年03月
相手先機関名：独立行政法人科学技術振興機構
受託研究区分：一般受託研究 -
研究題目：大面積SiC革新的基盤技術の研究開発（エネルギー使用合理化技術戦略的開発）
研究期間：2006年07月 ～ 2009年03月
相手先機関名：独立行政法人新エネルギー・産業技術総合開発機構
受託研究区分：一般受託研究
共同研究実施実績 【 表示 ／ 非表示 】
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研究題目：サブナノ結晶配向情報検出ウェハ表面マッピング装置の開発
研究期間：2015年09月 ～ 2017年02月
相手先機関名：独立行政法人新エネルギー・産業技術総合開発機構
共同研究区分：国内共同研究 -
研究題目：CMP-free 超高温安定化EPI-ready SiCナノ表面制御プロセスの開発（戦略的省エネルギー技術革新プログラム 実用化開発）
研究期間：2013年01月 ～ 2015年02月
相手先機関名：独立行政法人新エネルギー・産業技術総合開発機構
共同研究区分：国内共同研究 -
研究題目：ＳｉＣパワーデバイス基板の研究開発（大学発事業創出実用化事業）
研究期間：2002年07月 ～ 2004年03月
相手先機関名：独立行政法人新エネルギー・産業技術総合開発機構
共同研究区分：国内共同研究
研究発表 【 表示 ／ 非表示 】
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発表（記述）言語：日本語
会議名称：先進パワー半導体分科会第6回講演会
会議区分：国際会議
開催期間：2019年12月
開催場所：広島国際会議場
題目又はセッション名：低加速SEMを用いた4H-SiC(0001)エピ/バルク界面ステップ形状の観察
発表形態：ポスター（一般）
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発表（記述）言語：日本語
会議名称：先進パワー半導体分科会第6回講演会
会議区分：国際会議
開催期間：2019年12月
開催場所：広島国際会議場
題目又はセッション名：接合型ダイヤモンド単結晶基板の配向性
発表形態：ポスター（一般）
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発表（記述）言語：英語
会議名称：Atomic Level Characterization (ALC’19)
会議区分：国際会議
開催期間：2019年10月
開催場所：Kyoto / Japan
題目又はセッション名：Characterization of subsurface damage of SiC substrate with several monolayers depth by the growth of epitaxial graphene
発表形態：ポスター（一般）
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発表（記述）言語：英語
会議名称：Atomic Level Characterization (ALC’19)
会議区分：国際会議
開催期間：2019年10月
開催場所：Kyoto / Japan
題目又はセッション名：Characterization of step edge chemical characteristics of 4H-SiC (0001) by observing epitaxial graphene site-selective growth mode change
発表形態：ポスター（一般）
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発表（記述）言語：英語
会議名称：International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019
会議区分：国際会議
開催期間：2019年09月 ～ 2019年10月
開催場所：Kyoto / Japan
題目又はセッション名：BPD-TED Conversion in the SiC substrate after High- Temperature Si-VE
発表形態：口頭（一般）
担当授業科目 【 表示 ／ 非表示 】
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履修年度：2020年度（西暦）
提供部署名：理工学部
授業科目名：ものづくり理工学実験I
授業形式：代表者
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履修年度：2020年度（西暦）
提供部署名：理工学部
授業科目名：ものづくり理工学実験I
授業形式：代表者
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履修年度：2020年度（西暦）
提供部署名：理工学部
授業科目名：ものづくり理工学実験I
授業形式：代表者
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履修年度：2020年度（西暦）
提供部署名：理工学部
授業科目名：ものづくり理工学実験II
授業形式：代表者
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履修年度：2020年度（西暦）
提供部署名：理工学部
授業科目名：ものづくり理工学実験II
授業形式：代表者