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• 学位名：Ph.D.
  分野名：ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電気電子材料工学
  授与機関名：Imperial College, University of London
  取得方法：課程
  取得年月：1993年07月

経歴 【 表示 ／ 非表示 】

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• 所属：関西学院大学
  部署名：理工学部 先進エネルギーナノ工学科
  職名：教授
  年月：2015年04月 ～ 継続中

• 所属：関西学院大学
  部署名：理工学部 物理学科
  職名：教授
  年月：2011年04月 ～ 2015年03月

• 所属：関西学院大学
  部署名：学長直属
  職名：教授
  年月：2008年04月 ～ 2011年03月

所属学協会 【 表示 ／ 非表示 】

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• 所属学協会名：応用物理学会
  学会所在国：日本国

• 所属学協会名：日本物理学会
  学会所在国：日本国

• 所属学協会名：日本結晶成長学会
  学会所在国：日本国

• 所属学協会名：米国電気化学会
  学会所在国：アメリカ合衆国

研究分野 【 表示 ／ 非表示 】

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• 研究分野：ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電気電子材料工学
  

論文 【 表示 ／ 非表示 】

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• タイトル：Analysis of diamond dislocations by Raman polarization measurement
  誌名：DIAMOND AND RELATED MATERIALS  140巻
  出版年月：2023年12月
  著者：Takeuchi Marika, Yasuoka Mikitaka, Ishii Marino, Ohtani Noboru, Shikata Shinichi

  DOI：10.1016/j.diamond.2023.110510
  

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• タイトル：Influence of substrate sapphire orientation on direct CVD growth of graphene
  誌名：JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS  62巻  8号
  出版年月：2023年08月
  著者：Kawai Yoshikazu, Nakao Takuto, Oda Takato, Ohtani Noboru, Hibino Hiroki

  DOI：10.35848/1347-4065/acea0b
  

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• タイトル：Experimental and simulation studies of surface segregation-limited nitrogen incorporation at the growth front of physical vapor transport-grown 4H-SiC crystals
  誌名：JOURNAL OF APPLIED PHYSICS  134巻  4号
  出版年月：2023年07月
  著者：Ota Takuto, Asano Shunsuke, Inoue Yuta, Ohtani Noboru

  DOI：10.1063/5.0156457
  

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• タイトル：Seed surface orientation dependence of the defect formation at the initial stage of physical vapor transport growth of 4H-SiC crystals
  誌名：JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH  597巻
  出版年月：2022年11月
  著者：Yodo Mikako, Nakai Asahi, Tamura Shungo, Ohtani Noboru

  DOI：10.1016/j.jcrysgro.2022.126856
  

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• タイトル：Effect of surface irregularities on diamond Schottky barrier diode with threading dislocations (vol 127, 109188, 2022)
  誌名：DIAMOND AND RELATED MATERIALS  128巻
  出版年月：2022年10月
  著者：Mikata N., Takeuchi M., Ohtani N., Ichikawa K., Teraji T., Shikata S.

  DOI：10.1016/j.diamond.2022.109262
  

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書籍等出版物 【 表示 ／ 非表示 】

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• 記述言語：日本語
  タイトル：OHM大学テキスト 固体物性工学
  出版者・発行元：オーム社
  出版年月：2012年10月
  著者：大谷 昇
  

  著書種別：学術書
  担当区分：共著
  

• 記述言語：日本語
  タイトル：半導体SiC 技術と応用 第2版
  出版者・発行元：日刊工業新聞社
  出版年月：2011年09月
  著者：松波弘之、大谷昇、木本恒暢、中村孝
  

  著書種別：学術書
  担当区分：共著
  

• 記述言語：日本語
  タイトル：『次世代パワー半導体－省エネルギー社会に向けたデバイス開発の最前線－』第1章、第1編、第1節
  出版者・発行元：株式会社エヌ・ティー・エス
  出版年月：2009年10月
  著者：大谷 昇
  

  著書種別：学術書
  担当区分：共著
  

• 記述言語：日本語
  タイトル：『パワーエレクトロニクスの新展開』第1章、第2節 「SiC単結晶基板の高品質化技術」
  出版者・発行元：シーエムシー出版
  出版年月：2009年09月
  著者：大谷 昇
  

  著書種別：学術書
  担当区分：共著
  

• 記述言語：英語
  タイトル：Wide Bandgap Semiconductors – Fundamental Properties and Modern Photonic and Electronic Devices
  出版者・発行元：Springer, Berlin
  出版年月：2007年04月
  著者：N. Ohtani　edited by Kiyoshi Takahashi, Akihiko Yoshikawa, Adarsh Sandhu
  

  著書種別：学術書
  担当区分：共著
  

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産業財産権 【 表示 ／ 非表示 】

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• 産業財産権の種類：特許権
  産業財産権名：METHOD FOR TREATING SURFACE OF SILICON-CARBIDE SUBSTRATE
  発明者/考案者/創作者：Tadaaki Kaneko，Noboru Ohtani,Kenta Hagiwara
  

  出願番号：15/096596，2014年06月06日
  出願人（機関）：学校法人関西学院
  出願国：アメリカ合衆国
  

• 産業財産権の種類：特許権
  産業財産権名：半導体ウエハの製造方法及び半導体ウエハ
  発明者/考案者/創作者：金子忠昭，大谷昇，牛尾昌史，他
  

  出願番号：PCT/JP2012/005301，2012年08月24日
  出願人（機関）：学校法人関西学院，他
  出願国：
  

• 産業財産権の種類：特許権
  産業財産権名：METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR WAFER AND SEMICONDUCTOR WAFER
  発明者/考案者/創作者：Tadaaki Kaneko，Noboru Ohtani,Shoji Ushio，他
  

  出願番号：14/240,710，2012年08月24日
  特許番号/登録番号：US9,029,219，2015年05月12日
  出願人（機関）：Kwansei Gakuin Educational Foundation，他
  出願国：アメリカ合衆国
  

• 産業財産権の種類：特許権
  産業財産権名：半導体装置、オーミック電極の形成方法、半導体装置の製造方法
  発明者/考案者/創作者：金子忠昭，大谷昇，牛尾昌史，他
  

  出願番号：特願2012-052231，2012年03月08日
  出願人（機関）：学校法人関西学院，他
  出願国：日本国
  

• 産業財産権の種類：特許権
  産業財産権名：半導体ウエハの製造方法及び半導体ウエハ
  発明者/考案者/創作者：金子忠昭，大谷昇，牛尾昌史，他
  

  出願番号：特願2011-185181，2011年08月26日
  公開番号：特許第5875143号，2016年01月29日
  出願人（機関）：学校法人関西学院，他
  出願国：日本国
  

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講演・口頭発表等 【 表示 ／ 非表示 】

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• 記述言語：英語
  会議名：European Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2014 (ECSCRM2014)
  国際・国内会議：国際会議
  開催年月：2014年09月
  開催地：Grenoble, France
  タイトル：Structural and electrical characterization of the initial stage of physical vapor transport growth of 4H-SiC crystals
  会議種別：口頭発表（招待・特別）
  

• 記述言語：英語
  会議名：The 6th International Workshop on Crystal Growth Technology (IWCGT-6)
  国際・国内会議：国際会議
  開催年月：2014年06月
  開催地：Berlin, Germany
  タイトル：SiC epitaxial substrate: present status and prospect
  会議種別：口頭発表（招待・特別）
  

• 記述言語：英語
  会議名：European project NetFiSiC -Marie Curie Initial Training Network Tutorial Seminar
  国際・国内会議：国際会議
  開催年月：2012年09月
  開催地：St. Petersburg, Russia
  タイトル：Present status of SiC bulk crystal growth.
  会議種別：口頭発表（招待・特別）
  

• 記述言語：英語
  会議名：220th The Electrochemical Society Meeting
  国際・国内会議：国際会議
  開催年月：2011年10月
  開催地：Boston, USA
  タイトル：Toward the reduction of performance-limiting defects in SiC epitaxial substrates.
  会議種別：口頭発表（招待・特別）
  

• 記述言語：日本語
  会議名：Electronic Journal第622回Technical Seminar
  国際・国内会議：国内会議
  開催年月：2010年11月
  開催地：　
  タイトル：SiC単結晶ウェーハ製造技術★徹底解説
  会議種別：口頭発表（招待・特別）
  

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担当授業科目（学内） 【 表示 ／ 非表示 】

担当授業科目（学内） 【 表示 ／ 非表示 】

• 履修年度：2024年度（西暦）

  提供部署名：理工学部

  授業科目名：エネルギー半導体工学
  

  授業形式：代表者

• 履修年度：2024年度（西暦）

  提供部署名：工学部

  授業科目名：エネルギー半導体工学
  

  授業形式：代表者

• 履修年度：2024年度（西暦）

  提供部署名：理工学研究科前期

  授業科目名：エネルギー半導体特論II
  

  授業形式：代表者

• 履修年度：2024年度（西暦）

  提供部署名：理工学部

  授業科目名：先進エネルギーナノ工学入門
  

  授業形式：代表者

• 履修年度：2024年度（西暦）

  提供部署名：工学部

  授業科目名：卒業実験及び演習
  

  授業形式：代表者

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学内活動 【 表示 ／ 非表示 】

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• 活動名称：知財産学連携センター副長
  活動期間：2016年04月 ～ 2025年03月

• 活動名称：知財産学連携センター委員
  活動期間：2015年04月 ～ 2025年03月

• 活動名称：知財産学連携センター副長
  活動期間：2014年04月 ～ 2015年03月