基本情報

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大谷 昇

OHTANI Noboru


職名

教授

研究分野・キーワード

半導体材料, 結晶成長, 欠陥物理

プロフィール

SiC単結晶の結晶成長並びに結晶欠陥の研究。

学内職務経歴 【 表示 / 非表示

  • 職務遂行組織:関西学院大学 理工学部 物理学科
    経歴名:教授
    職務期間:2011年04月 ~ 継続中

所属学会・委員会 【 表示 / 非表示

  • 所属学会:応用物理学会

    学会所在国:日本国

  • 所属学会:日本物理学会

    学会所在国:日本国

  • 所属学会:日本結晶成長学会

    学会所在国:日本国

  • 所属学会:米国電気化学会

    学会所在国:アメリカ合衆国

専門分野(科研費分類) 【 表示 / 非表示

  • 専門分野(科研費分類):電子・電気材料工学

 

論文 【 表示 / 非表示

  • 記述言語:英語
    論文題目名:Theoretical investigation of the formation of basal plane stacking faults in heavily nitrogen-doped 4H-SiC crystals
    掲載誌名:Journal of Applied Physics  119巻  (頁 145704 ~ )
    掲載誌 発行年月:2016年10月
    著者氏名(共著者含):C. Taniguchi, A. Ichimura, N. Ohtani, M. Katsuno, T. Fujimoto, Shinya Sato, H. Tsuge and T. Yano

    DOI:http://dx.doi.org/10.1063/1.4945773
    掲載種別:研究論文(学術雑誌)
    共著区分:単著

  • 記述言語:英語
    論文題目名:Surface morphology and step instability on the (000-1)C facet of physical vapor transport-grown 4H-SiC single crystal boules
    掲載誌名:Journal of Crystal Growth  431巻  (頁 24 ~ 31)
    掲載誌 発行年月:2015年12月
    著者氏名(共著者含):T. Yamaguchi, K. Ohtomo, Shunsuke Sato, N. Ohtani, M. Katsuno, T. Fujimoto, Shinya Sato, H. Tsuge and T. Yano

    DOI:http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2015.09.002
    掲載種別:研究論文(学術雑誌)
    共著区分:単著

  • 記述言語:英語
    論文題目名:The crystallographic orientation dependence of SEM contrast revealed by SiC polytypes
    掲載誌名:Journal of Vacuum Science & Technology B  33巻  (頁 04E104 ~ )
    掲載誌 発行年月:2015年07月
    著者氏名(共著者含):K. Ashida, T. Kajino, Y. Kutsuma, N. Ohtani and T. Kaneko

    DOI:http://dx.doi.org/10.1116/1.4927136
    掲載種別:研究論文(学術雑誌)
    共著区分:単著

  • 記述言語:英語
    論文題目名:Defect formation during the initial stage of physical vapor transport growth of 4H-SiC in the [11-20] direction
    掲載誌名:Journal of Crystal Growth  48巻  (頁 1 ~ 6)
    掲載誌 発行年月:2014年12月
    著者氏名(共著者含):C. Ohshige, T. Takahashi, N. Ohtani, M. Katsuno, T. Fujimoto, S. Sato, H. Tsuge, T. Yano, H. Matsuhata and M. Kitabatake

    DOI:http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2014.09.012
    掲載種別:研究論文(学術雑誌)
    共著区分:共著

  • 記述言語:英語
    論文題目名:Structural investigation of the seeding process for physical vapor transport growth of 4H-SiC single crystals
    掲載誌名:Journal of Crystal Growth  386巻  (頁 9 ~ )
    掲載誌 発行年月:2014年01月
    著者氏名(共著者含):N. Ohtani, C. Ohshige, M. Katsuno, T. Fujimoto, S. Sato, H. Tsuge, W. Ohashi, T. Yano, H. Matsuhata and M. Kitabatake

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)
    共著区分:共著

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著書 【 表示 / 非表示

  • 記述言語:日本語
    著書名:OHM大学テキスト 固体物性工学
    出版機関名:オーム社
    発行年月:2012年10月
    著者氏名(共著者含):大谷 昇

    著書種別:単行本(学術書)
    著書形態:共著

  • 記述言語:日本語
    著書名:半導体SiC 技術と応用 第2版
    出版機関名:日刊工業新聞社
    発行年月:2011年09月
    著者氏名(共著者含):松波弘之、大谷昇、木本恒暢、中村孝

    著書種別:単行本(学術書)
    著書形態:共著

  • 記述言語:日本語
    著書名:『次世代パワー半導体-省エネルギー社会に向けたデバイス開発の最前線-』第1章、第1編、第1節
    出版機関名:株式会社エヌ・ティー・エス
    発行年月:2009年10月
    著者氏名(共著者含):大谷 昇

    著書種別:単行本(学術書)
    著書形態:共著

  • 記述言語:日本語
    著書名:『パワーエレクトロニクスの新展開』第1章、第2節 「SiC単結晶基板の高品質化技術」
    出版機関名:シーエムシー出版
    発行年月:2009年09月
    著者氏名(共著者含):大谷 昇

    著書種別:単行本(学術書)
    著書形態:共著

  • 記述言語:英語
    著書名:Wide Bandgap Semiconductors – Fundamental Properties and Modern Photonic and Electronic Devices
    出版機関名:Springer, Berlin
    発行年月:2007年04月
    著者氏名(共著者含):N. Ohtani edited by Kiyoshi Takahashi, Akihiko Yoshikawa, Adarsh Sandhu

    著書種別:単行本(学術書)
    著書形態:共著

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知的財産権 【 表示 / 非表示

  • 知的財産権区分:特許
    発明の名称:METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR WAFER AND SEMICONDUCTOR WAFER
    発明(考案)者名:Tadaaki Kaneko,Noboru Ohtani,Shoji Ushio,他

    出願番号:14/240,710,2012年08月24日
    登録番号:US9,029,219,2015年05月12日
    出願人名称:Kwansei Gakuin Educational Foundation,他
    出願国:アメリカ合衆国

  • 知的財産権区分:特許
    発明の名称:半導体ウエハの製造方法及び半導体ウエハ
    発明(考案)者名:金子忠昭,大谷昇,牛尾昌史,他

    出願番号:PCT/JP2012/005301,2012年08月24日
    出願人名称:学校法人関西学院,他
    出願国:その他

  • 知的財産権区分:特許
    発明の名称:半導体装置、オーミック電極の形成方法、半導体装置の製造方法
    発明(考案)者名:金子忠昭,大谷昇,牛尾昌史,他

    出願番号:特願2012-052231,2012年03月08日
    出願人名称:学校法人関西学院,他
    出願国:日本国

  • 知的財産権区分:特許
    発明の名称:半導体ウエハの製造方法及び半導体ウエハ
    発明(考案)者名:金子忠昭,大谷昇,牛尾昌史,他

    出願番号:特願2011-185181,2011年08月26日
    公開番号:特許第5875143号,2016年01月29日
    出願人名称:学校法人関西学院,他
    出願国:日本国

  • 知的財産権区分:特許
    発明の名称:半導体素子の製造方法
    発明(考案)者名:金子忠昭,大谷昇,牛尾昌史,他

    出願番号:特願2011-073623,2011年03月29日
    登録番号:特許第5799458号,2015年09月04日
    出願人名称:学校法人関西学院,他
    出願国:日本国

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研究発表 【 表示 / 非表示

  • 発表(記述)言語:英語
    会議名称:European Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2014 (ECSCRM2014)
    会議区分:国際会議
    開催期間:2014年09月
    開催場所:Grenoble, France
    題目又はセッション名:Structural and electrical characterization of the initial stage of physical vapor transport growth of 4H-SiC crystals
    発表形態:口頭(招待・特別)

  • 発表(記述)言語:英語
    会議名称:The 6th International Workshop on Crystal Growth Technology (IWCGT-6)
    会議区分:国際会議
    開催期間:2014年06月
    開催場所:Berlin, Germany
    題目又はセッション名:SiC epitaxial substrate: present status and prospect
    発表形態:口頭(招待・特別)

  • 発表(記述)言語:英語
    会議名称:European project NetFiSiC -Marie Curie Initial Training Network Tutorial Seminar
    会議区分:国際会議
    開催期間:2012年09月
    開催場所:St. Petersburg, Russia
    題目又はセッション名:Present status of SiC bulk crystal growth.
    発表形態:口頭(招待・特別)

  • 発表(記述)言語:英語
    会議名称:220th The Electrochemical Society Meeting
    会議区分:国際会議
    開催期間:2011年10月
    開催場所:Boston, USA
    題目又はセッション名:Toward the reduction of performance-limiting defects in SiC epitaxial substrates.
    発表形態:口頭(招待・特別)

  • 発表(記述)言語:日本語
    会議名称:Electronic Journal第622回Technical Seminar
    会議区分:国内会議
    開催期間:2010年11月
    開催場所: 
    題目又はセッション名:SiC単結晶ウェーハ製造技術★徹底解説
    発表形態:口頭(招待・特別)

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担当授業科目 【 表示 / 非表示

  • 履修年度:2017年度(西暦)

    提供部署名:理工学部

    授業科目名:エネルギー半導体工学

    授業形式:代表者

  • 履修年度:2017年度(西暦)

    提供部署名:理工学部

    授業科目名:先進エネルギーナノ工学入門

    授業形式:代表者

  • 履修年度:2017年度(西暦)

    提供部署名:理工学部

    授業科目名:卒業実験及び演習

    授業形式:代表者

  • 履修年度:2017年度(西暦)

    提供部署名:理工学部

    授業科目名:固体電子論

    授業形式:代表者

  • 履修年度:2017年度(西暦)

    提供部署名:理工学部

    授業科目名:基礎物理学実験II

    授業形式:代表者

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学内委員会等 【 表示 / 非表示

  • 活動名称:知財産学連携センター副長
    活動期間:2016年04月 ~ 2018年03月

  • 活動名称:知財産学連携センター委員
    活動期間:2015年04月 ~ 2018年03月

  • 活動名称:知財産学連携センター副長
    活動期間:2014年04月 ~ 2015年03月