基本情報

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大谷 昇

OHTANI Noboru

所属
工学部 電気電子応用工学課程
研究分野・キーワード
半導体材料, 結晶成長, 欠陥物理
研究概要
SiC単結晶の結晶成長並びに結晶欠陥の研究。
SDGs 関連ゴール

学位 【 表示 / 非表示

  • 学位名:Ph.D.
    分野名:ものづくり技術(機械・電気電子・化学工学) / 電気電子材料工学
    授与機関名:その他
    取得方法:課程
    取得年月:1993年07月

経歴 【 表示 / 非表示

  • 所属:関西学院大学
    部署名:学長直属
    職名:教授
    年月:2008年04月 ~ 2011年03月

  • 所属:関西学院大学
    部署名:理工学部 先進エネルギーナノ工学科
    職名:教授
    年月:2015年04月 ~ 継続中

  • 所属:関西学院大学
    部署名:理工学部 物理学科
    職名:教授
    年月:2011年04月 ~ 2015年03月

所属学協会 【 表示 / 非表示

  • 所属学協会名:応用物理学会

    学会所在国:日本国

  • 所属学協会名:日本物理学会

    学会所在国:日本国

  • 所属学協会名:日本結晶成長学会

    学会所在国:日本国

  • 所属学協会名:米国電気化学会

    学会所在国:アメリカ合衆国

研究分野 【 表示 / 非表示

  • 研究分野:ものづくり技術(機械・電気電子・化学工学) / 電気電子材料工学

論文 【 表示 / 非表示

  • 記述言語:英語
    タイトル:Formation of basal plane stacking faults on the (000-1) facet of heavily nitrogen-doped 4H-SiC single crystals during physical vapor transport growth
    誌名:Journal of Crystal Growth  478巻  (頁 174 ~ )
    出版年月:2017年10月
    著者:K. Ohtomo1, N. Matsumoto, K. Ashida, T. Kaneko, N. Ohtani, M. Katsuno, S. Sato, H. Tsuge and T. Fujimoto

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)
    共著区分:共著

  • 記述言語:英語
    タイトル:Wide (0001) terrace formation due to step bunching on a vicinal 4H-SiC (0001) epitaxial layer surface
    誌名:Journal of Applied Physics  122巻  (頁 075702 ~ )
    出版年月:2017年08月
    著者:Y. Tabuchi, K. Ashida, M. Sonoda, T. Kaneko, N. Ohtani, M. Katsuno, S. Sato, H. Tsuge and T. Fujimoto

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)
    共著区分:共著

  • 記述言語:英語
    タイトル:Theoretical investigation of the formation of basal plane stacking faults in heavily nitrogen-doped 4H-SiC crystals
    誌名:Journal of Applied Physics  119巻  (頁 145704 ~ )
    出版年月:2016年10月
    著者:C. Taniguchi, A. Ichimura, N. Ohtani, M. Katsuno, T. Fujimoto, Shinya Sato, H. Tsuge and T. Yano

    DOI:http://dx.doi.org/10.1063/1.4945773
    掲載種別:研究論文(学術雑誌)
    共著区分:単著

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  • 記述言語:英語
    タイトル:Surface morphology and step instability on the (000-1)C facet of physical vapor transport-grown 4H-SiC single crystal boules
    誌名:Journal of Crystal Growth  431巻  (頁 24 ~ 31)
    出版年月:2015年12月
    著者:T. Yamaguchi, K. Ohtomo, Shunsuke Sato, N. Ohtani, M. Katsuno, T. Fujimoto, Shinya Sato, H. Tsuge and T. Yano

    DOI:http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2015.09.002
    掲載種別:研究論文(学術雑誌)
    共著区分:単著

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  • 記述言語:英語
    タイトル:The crystallographic orientation dependence of SEM contrast revealed by SiC polytypes
    誌名:Journal of Vacuum Science & Technology B  33巻  (頁 04E104 ~ )
    出版年月:2015年07月
    著者:K. Ashida, T. Kajino, Y. Kutsuma, N. Ohtani and T. Kaneko

    DOI:http://dx.doi.org/10.1116/1.4927136
    掲載種別:研究論文(学術雑誌)
    共著区分:単著

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書籍等出版物 【 表示 / 非表示

  • 記述言語:日本語
    タイトル:OHM大学テキスト 固体物性工学
    出版者・発行元:オーム社
    発行年月:2012年10月
    著者:大谷 昇

    著書種別:学術書
    担当区分:共著

  • 記述言語:日本語
    タイトル:半導体SiC 技術と応用 第2版
    出版者・発行元:日刊工業新聞社
    発行年月:2011年09月
    著者:松波弘之、大谷昇、木本恒暢、中村孝

    著書種別:学術書
    担当区分:共著

  • 記述言語:日本語
    タイトル:『次世代パワー半導体-省エネルギー社会に向けたデバイス開発の最前線-』第1章、第1編、第1節
    出版者・発行元:株式会社エヌ・ティー・エス
    発行年月:2009年10月
    著者:大谷 昇

    著書種別:学術書
    担当区分:共著

  • 記述言語:日本語
    タイトル:『パワーエレクトロニクスの新展開』第1章、第2節 「SiC単結晶基板の高品質化技術」
    出版者・発行元:シーエムシー出版
    発行年月:2009年09月
    著者:大谷 昇

    著書種別:学術書
    担当区分:共著

  • 記述言語:英語
    タイトル:Wide Bandgap Semiconductors – Fundamental Properties and Modern Photonic and Electronic Devices
    出版者・発行元:Springer, Berlin
    発行年月:2007年04月
    著者:N. Ohtani edited by Kiyoshi Takahashi, Akihiko Yoshikawa, Adarsh Sandhu

    著書種別:学術書
    担当区分:共著

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産業財産権 【 表示 / 非表示

  • 産業財産権の種類:
    産業財産権名:METHOD FOR TREATING SURFACE OF SILICON-CARBIDE SUBSTRATE
    発明者/考案者/創作者:Tadaaki Kaneko,Noboru Ohtani,Kenta Hagiwara

    出願番号:15/096596,2014年06月06日
    出願人(機関):学校法人関西学院
    出願国:アメリカ合衆国

  • 産業財産権の種類:
    産業財産権名:METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR WAFER AND SEMICONDUCTOR WAFER
    発明者/考案者/創作者:Tadaaki Kaneko,Noboru Ohtani,Shoji Ushio,他

    出願番号:14/240,710,2012年08月24日
    特許番号/登録番号:US9,029,219,2015年05月12日
    出願人(機関):Kwansei Gakuin Educational Foundation,他
    出願国:アメリカ合衆国

  • 産業財産権の種類:
    産業財産権名:半導体ウエハの製造方法及び半導体ウエハ
    発明者/考案者/創作者:金子忠昭,大谷昇,牛尾昌史,他

    出願番号:PCT/JP2012/005301,2012年08月24日
    出願人(機関):学校法人関西学院,他
    出願国:

  • 産業財産権の種類:
    産業財産権名:半導体装置、オーミック電極の形成方法、半導体装置の製造方法
    発明者/考案者/創作者:金子忠昭,大谷昇,牛尾昌史,他

    出願番号:特願2012-052231,2012年03月08日
    出願人(機関):学校法人関西学院,他
    出願国:日本国

  • 産業財産権の種類:
    産業財産権名:半導体ウエハの製造方法及び半導体ウエハ
    発明者/考案者/創作者:金子忠昭,大谷昇,牛尾昌史,他

    出願番号:特願2011-185181,2011年08月26日
    公開番号:特許第5875143号,2016年01月29日
    出願人(機関):学校法人関西学院,他
    出願国:日本国

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講演・口頭発表等 【 表示 / 非表示

  • 記述言語:英語
    会議名:European Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2014 (ECSCRM2014)
    国際・国内会議:国際会議
    開催年月:2014年09月
    開催地:Grenoble, France
    タイトル:Structural and electrical characterization of the initial stage of physical vapor transport growth of 4H-SiC crystals
    会議種別:口頭発表(招待・特別)

  • 記述言語:英語
    会議名:The 6th International Workshop on Crystal Growth Technology (IWCGT-6)
    国際・国内会議:国際会議
    開催年月:2014年06月
    開催地:Berlin, Germany
    タイトル:SiC epitaxial substrate: present status and prospect
    会議種別:口頭発表(招待・特別)

  • 記述言語:英語
    会議名:European project NetFiSiC -Marie Curie Initial Training Network Tutorial Seminar
    国際・国内会議:国際会議
    開催年月:2012年09月
    開催地:St. Petersburg, Russia
    タイトル:Present status of SiC bulk crystal growth.
    会議種別:口頭発表(招待・特別)

  • 記述言語:英語
    会議名:220th The Electrochemical Society Meeting
    国際・国内会議:国際会議
    開催年月:2011年10月
    開催地:Boston, USA
    タイトル:Toward the reduction of performance-limiting defects in SiC epitaxial substrates.
    会議種別:口頭発表(招待・特別)

  • 記述言語:日本語
    会議名:Electronic Journal第622回Technical Seminar
    国際・国内会議:国内会議
    開催年月:2010年11月
    開催地: 
    タイトル:SiC単結晶ウェーハ製造技術★徹底解説
    会議種別:口頭発表(招待・特別)

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担当授業科目(学内) 【 表示 / 非表示

  • 履修年度:2022年度(西暦)

    提供部署名:理工学部

    授業科目名:エネルギー半導体工学

    授業形式:代表者

  • 履修年度:2022年度(西暦)

    提供部署名:理工学研究科前期

    授業科目名:エネルギー半導体特論II

    授業形式:代表者

  • 履修年度:2022年度(西暦)

    提供部署名:理工学部

    授業科目名:先進エネルギーナノ工学入門

    授業形式:代表者

  • 履修年度:2022年度(西暦)

    提供部署名:理工学部

    授業科目名:卒業実験及び演習

    授業形式:代表者

  • 履修年度:2022年度(西暦)

    提供部署名:理工学部

    授業科目名:固体電子論

    授業形式:代表者

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学内活動 【 表示 / 非表示

  • 活動名称:知財産学連携センター副長
    活動期間:201604(年月) ~ 202303(年月)

  • 活動名称:知財産学連携センター委員
    活動期間:201504(年月) ~ 202303(年月)

  • 活動名称:知財産学連携センター副長
    活動期間:201404(年月) ~ 201503(年月)