大谷 昇
OHTANI Noboru
学位 【 表示 / 非表示 】
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学位名:Ph.D.
分野名:ものづくり技術(機械・電気電子・化学工学) / 電気電子材料工学
授与機関名:Imperial College, University of London
取得方法:課程
取得年月:1993年07月
経歴 【 表示 / 非表示 】
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所属:関西学院大学
部署名:理工学部 先進エネルギーナノ工学科
職名:教授
年月:2015年04月 ~ 継続中 -
所属:関西学院大学
部署名:理工学部 物理学科
職名:教授
年月:2011年04月 ~ 2015年03月 -
所属:関西学院大学
部署名:学長直属
職名:教授
年月:2008年04月 ~ 2011年03月
所属学協会 【 表示 / 非表示 】
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所属学協会名:応用物理学会
学会所在国:日本国 -
所属学協会名:日本物理学会
学会所在国:日本国 -
所属学協会名:日本結晶成長学会
学会所在国:日本国 -
所属学協会名:米国電気化学会
学会所在国:アメリカ合衆国
論文 【 表示 / 非表示 】
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タイトル:Analysis of diamond dislocations by Raman polarization measurement
誌名:DIAMOND AND RELATED MATERIALS 140巻
出版年月:2023年12月
著者:Takeuchi Marika, Yasuoka Mikitaka, Ishii Marino, Ohtani Noboru, Shikata ShinichiDOI:10.1016/j.diamond.2023.110510
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タイトル:Influence of substrate sapphire orientation on direct CVD growth of graphene
誌名:JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 62巻 8号
出版年月:2023年08月
著者:Kawai Yoshikazu, Nakao Takuto, Oda Takato, Ohtani Noboru, Hibino HirokiDOI:10.35848/1347-4065/acea0b
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タイトル:Experimental and simulation studies of surface segregation-limited nitrogen incorporation at the growth front of physical vapor transport-grown 4H-SiC crystals
誌名:JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 134巻 4号
出版年月:2023年07月
著者:Ota Takuto, Asano Shunsuke, Inoue Yuta, Ohtani NoboruDOI:10.1063/5.0156457
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タイトル:Seed surface orientation dependence of the defect formation at the initial stage of physical vapor transport growth of 4H-SiC crystals
誌名:JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 597巻
出版年月:2022年11月
著者:Yodo Mikako, Nakai Asahi, Tamura Shungo, Ohtani NoboruDOI:10.1016/j.jcrysgro.2022.126856
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タイトル:Effect of surface irregularities on diamond Schottky barrier diode with threading dislocations (vol 127, 109188, 2022)
誌名:DIAMOND AND RELATED MATERIALS 128巻
出版年月:2022年10月
著者:Mikata N., Takeuchi M., Ohtani N., Ichikawa K., Teraji T., Shikata S.DOI:10.1016/j.diamond.2022.109262
書籍等出版物 【 表示 / 非表示 】
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記述言語:日本語
タイトル:OHM大学テキスト 固体物性工学
出版者・発行元:オーム社
出版年月:2012年10月
著者:大谷 昇
著書種別:学術書
担当区分:共著
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記述言語:日本語
タイトル:半導体SiC 技術と応用 第2版
出版者・発行元:日刊工業新聞社
出版年月:2011年09月
著者:松波弘之、大谷昇、木本恒暢、中村孝
著書種別:学術書
担当区分:共著
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記述言語:日本語
タイトル:『次世代パワー半導体-省エネルギー社会に向けたデバイス開発の最前線-』第1章、第1編、第1節
出版者・発行元:株式会社エヌ・ティー・エス
出版年月:2009年10月
著者:大谷 昇
著書種別:学術書
担当区分:共著
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記述言語:日本語
タイトル:『パワーエレクトロニクスの新展開』第1章、第2節 「SiC単結晶基板の高品質化技術」
出版者・発行元:シーエムシー出版
出版年月:2009年09月
著者:大谷 昇
著書種別:学術書
担当区分:共著
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記述言語:英語
タイトル:Wide Bandgap Semiconductors – Fundamental Properties and Modern Photonic and Electronic Devices
出版者・発行元:Springer, Berlin
出版年月:2007年04月
著者:N. Ohtani edited by Kiyoshi Takahashi, Akihiko Yoshikawa, Adarsh Sandhu
著書種別:学術書
担当区分:共著
産業財産権 【 表示 / 非表示 】
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産業財産権の種類:特許権
産業財産権名:METHOD FOR TREATING SURFACE OF SILICON-CARBIDE SUBSTRATE
発明者/考案者/創作者:Tadaaki Kaneko,Noboru Ohtani,Kenta Hagiwara
出願番号:15/096596,2014年06月06日
出願人(機関):学校法人関西学院
出願国:アメリカ合衆国
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産業財産権の種類:特許権
産業財産権名:半導体ウエハの製造方法及び半導体ウエハ
発明者/考案者/創作者:金子忠昭,大谷昇,牛尾昌史,他
出願番号:PCT/JP2012/005301,2012年08月24日
出願人(機関):学校法人関西学院,他
出願国:
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産業財産権の種類:特許権
産業財産権名:METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR WAFER AND SEMICONDUCTOR WAFER
発明者/考案者/創作者:Tadaaki Kaneko,Noboru Ohtani,Shoji Ushio,他
出願番号:14/240,710,2012年08月24日
特許番号/登録番号:US9,029,219,2015年05月12日
出願人(機関):Kwansei Gakuin Educational Foundation,他
出願国:アメリカ合衆国
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産業財産権の種類:特許権
産業財産権名:半導体装置、オーミック電極の形成方法、半導体装置の製造方法
発明者/考案者/創作者:金子忠昭,大谷昇,牛尾昌史,他
出願番号:特願2012-052231,2012年03月08日
出願人(機関):学校法人関西学院,他
出願国:日本国
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産業財産権の種類:特許権
産業財産権名:半導体ウエハの製造方法及び半導体ウエハ
発明者/考案者/創作者:金子忠昭,大谷昇,牛尾昌史,他
出願番号:特願2011-185181,2011年08月26日
公開番号:特許第5875143号,2016年01月29日
出願人(機関):学校法人関西学院,他
出願国:日本国
講演・口頭発表等 【 表示 / 非表示 】
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記述言語:英語
会議名:European Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2014 (ECSCRM2014)
国際・国内会議:国際会議
開催年月:2014年09月
開催地:Grenoble, France
タイトル:Structural and electrical characterization of the initial stage of physical vapor transport growth of 4H-SiC crystals
会議種別:口頭発表(招待・特別)
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記述言語:英語
会議名:The 6th International Workshop on Crystal Growth Technology (IWCGT-6)
国際・国内会議:国際会議
開催年月:2014年06月
開催地:Berlin, Germany
タイトル:SiC epitaxial substrate: present status and prospect
会議種別:口頭発表(招待・特別)
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記述言語:英語
会議名:European project NetFiSiC -Marie Curie Initial Training Network Tutorial Seminar
国際・国内会議:国際会議
開催年月:2012年09月
開催地:St. Petersburg, Russia
タイトル:Present status of SiC bulk crystal growth.
会議種別:口頭発表(招待・特別)
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記述言語:英語
会議名:220th The Electrochemical Society Meeting
国際・国内会議:国際会議
開催年月:2011年10月
開催地:Boston, USA
タイトル:Toward the reduction of performance-limiting defects in SiC epitaxial substrates.
会議種別:口頭発表(招待・特別)
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記述言語:日本語
会議名:Electronic Journal第622回Technical Seminar
国際・国内会議:国内会議
開催年月:2010年11月
開催地:
タイトル:SiC単結晶ウェーハ製造技術★徹底解説
会議種別:口頭発表(招待・特別)
担当授業科目(学内) 【 表示 / 非表示 】
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履修年度:2024年度(西暦)
提供部署名:理工学部
授業科目名:エネルギー半導体工学
授業形式:代表者
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履修年度:2024年度(西暦)
提供部署名:工学部
授業科目名:エネルギー半導体工学
授業形式:代表者
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履修年度:2024年度(西暦)
提供部署名:理工学研究科前期
授業科目名:エネルギー半導体特論II
授業形式:代表者
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履修年度:2024年度(西暦)
提供部署名:理工学部
授業科目名:先進エネルギーナノ工学入門
授業形式:代表者
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履修年度:2024年度(西暦)
提供部署名:理工学部
授業科目名:卒業実験及び演習
授業形式:代表者
学内活動 【 表示 / 非表示 】
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活動名称:知財産学連携センター副長
活動期間:2016年04月 ~ 2025年03月 -
活動名称:知財産学連携センター委員
活動期間:2015年04月 ~ 2025年03月 -
活動名称:知財産学連携センター副長
活動期間:2014年04月 ~ 2015年03月