大谷 昇
OHTANI Noboru
所属
工学部 電気電子応用工学課程
研究分野・キーワード
半導体材料, 結晶成長, 欠陥物理
研究概要
SiC単結晶の結晶成長並びに結晶欠陥の研究。
SDGs 関連ゴール
学位 【 表示 ／ 非表示 】
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学位名：Ph.D.
分野名：ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電気電子材料工学
授与機関名：その他
取得方法：課程
取得年月：1993年07月
経歴 【 表示 ／ 非表示 】
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所属：関西学院大学
部署名：学長直属
職名：教授
年月：2008年04月 ～ 2011年03月 -
所属：関西学院大学
部署名：理工学部 先進エネルギーナノ工学科
職名：教授
年月：2015年04月 ～ 継続中 -
所属：関西学院大学
部署名：理工学部 物理学科
職名：教授
年月：2011年04月 ～ 2015年03月
所属学協会 【 表示 ／ 非表示 】
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所属学協会名：応用物理学会
学会所在国：日本国
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所属学協会名：日本物理学会
学会所在国：日本国
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所属学協会名：日本結晶成長学会
学会所在国：日本国
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所属学協会名：米国電気化学会
学会所在国：アメリカ合衆国
論文 【 表示 ／ 非表示 】
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記述言語：英語
タイトル：Formation of basal plane stacking faults on the (000-1) facet of heavily nitrogen-doped 4H-SiC single crystals during physical vapor transport growth
誌名：Journal of Crystal Growth 478巻 （頁 174 ～ ）
出版年月：2017年10月
著者：K. Ohtomo1, N. Matsumoto, K. Ashida, T. Kaneko, N. Ohtani, M. Katsuno, S. Sato, H. Tsuge and T. Fujimoto掲載種別：研究論文（学術雑誌）
共著区分：共著
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記述言語：英語
タイトル：Wide (0001) terrace formation due to step bunching on a vicinal 4H-SiC (0001) epitaxial layer surface
誌名：Journal of Applied Physics 122巻 （頁 075702 ～ ）
出版年月：2017年08月
著者：Y. Tabuchi, K. Ashida, M. Sonoda, T. Kaneko, N. Ohtani, M. Katsuno, S. Sato, H. Tsuge and T. Fujimoto掲載種別：研究論文（学術雑誌）
共著区分：共著
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記述言語：英語
タイトル：Theoretical investigation of the formation of basal plane stacking faults in heavily nitrogen-doped 4H-SiC crystals
誌名：Journal of Applied Physics 119巻 （頁 145704 ～ ）
出版年月：2016年10月
著者：C. Taniguchi, A. Ichimura, N. Ohtani, M. Katsuno, T. Fujimoto, Shinya Sato, H. Tsuge and T. YanoDOI：http://dx.doi.org/10.1063/1.4945773
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
共著区分：単著
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記述言語：英語
タイトル：Surface morphology and step instability on the (000-1)C facet of physical vapor transport-grown 4H-SiC single crystal boules
誌名：Journal of Crystal Growth 431巻 （頁 24 ～ 31）
出版年月：2015年12月
著者：T. Yamaguchi, K. Ohtomo, Shunsuke Sato, N. Ohtani, M. Katsuno, T. Fujimoto, Shinya Sato, H. Tsuge and T. YanoDOI：http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2015.09.002
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
共著区分：単著
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記述言語：英語
タイトル：The crystallographic orientation dependence of SEM contrast revealed by SiC polytypes
誌名：Journal of Vacuum Science & Technology B 33巻 （頁 04E104 ～ ）
出版年月：2015年07月
著者：K. Ashida, T. Kajino, Y. Kutsuma, N. Ohtani and T. KanekoDOI：http://dx.doi.org/10.1116/1.4927136
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
共著区分：単著
書籍等出版物 【 表示 ／ 非表示 】
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記述言語：日本語
タイトル：OHM大学テキスト 固体物性工学
出版者・発行元：オーム社
発行年月：2012年10月
著者：大谷 昇
著書種別：学術書
担当区分：共著
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記述言語：日本語
タイトル：半導体SiC 技術と応用 第2版
出版者・発行元：日刊工業新聞社
発行年月：2011年09月
著者：松波弘之、大谷昇、木本恒暢、中村孝
著書種別：学術書
担当区分：共著
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記述言語：日本語
タイトル：『次世代パワー半導体－省エネルギー社会に向けたデバイス開発の最前線－』第1章、第1編、第1節
出版者・発行元：株式会社エヌ・ティー・エス
発行年月：2009年10月
著者：大谷 昇
著書種別：学術書
担当区分：共著
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記述言語：日本語
タイトル：『パワーエレクトロニクスの新展開』第1章、第2節 「SiC単結晶基板の高品質化技術」
出版者・発行元：シーエムシー出版
発行年月：2009年09月
著者：大谷 昇
著書種別：学術書
担当区分：共著
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記述言語：英語
タイトル：Wide Bandgap Semiconductors – Fundamental Properties and Modern Photonic and Electronic Devices
出版者・発行元：Springer, Berlin
発行年月：2007年04月
著者：N. Ohtani edited by Kiyoshi Takahashi, Akihiko Yoshikawa, Adarsh Sandhu
著書種別：学術書
担当区分：共著
産業財産権 【 表示 ／ 非表示 】
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産業財産権の種類：
産業財産権名：METHOD FOR TREATING SURFACE OF SILICON-CARBIDE SUBSTRATE
発明者/考案者/創作者：Tadaaki Kaneko，Noboru Ohtani,Kenta Hagiwara
出願番号：15/096596，2014年06月06日
出願人（機関）：学校法人関西学院
出願国：アメリカ合衆国
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産業財産権の種類：
産業財産権名：METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR WAFER AND SEMICONDUCTOR WAFER
発明者/考案者/創作者：Tadaaki Kaneko，Noboru Ohtani,Shoji Ushio，他
出願番号：14/240,710，2012年08月24日
特許番号/登録番号：US9,029,219，2015年05月12日
出願人（機関）：Kwansei Gakuin Educational Foundation，他
出願国：アメリカ合衆国
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産業財産権の種類：
産業財産権名：半導体ウエハの製造方法及び半導体ウエハ
発明者/考案者/創作者：金子忠昭，大谷昇，牛尾昌史，他
出願番号：PCT/JP2012/005301，2012年08月24日
出願人（機関）：学校法人関西学院，他
出願国：
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産業財産権の種類：
産業財産権名：半導体装置、オーミック電極の形成方法、半導体装置の製造方法
発明者/考案者/創作者：金子忠昭，大谷昇，牛尾昌史，他
出願番号：特願2012-052231，2012年03月08日
出願人（機関）：学校法人関西学院，他
出願国：日本国
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産業財産権の種類：
産業財産権名：半導体ウエハの製造方法及び半導体ウエハ
発明者/考案者/創作者：金子忠昭，大谷昇，牛尾昌史，他
出願番号：特願2011-185181，2011年08月26日
公開番号：特許第5875143号，2016年01月29日
出願人（機関）：学校法人関西学院，他
出願国：日本国
講演・口頭発表等 【 表示 ／ 非表示 】
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記述言語：英語
会議名：European Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2014 (ECSCRM2014)
国際・国内会議：国際会議
開催年月：2014年09月
開催地：Grenoble, France
タイトル：Structural and electrical characterization of the initial stage of physical vapor transport growth of 4H-SiC crystals
会議種別：口頭発表（招待・特別）
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記述言語：英語
会議名：The 6th International Workshop on Crystal Growth Technology (IWCGT-6)
国際・国内会議：国際会議
開催年月：2014年06月
開催地：Berlin, Germany
タイトル：SiC epitaxial substrate: present status and prospect
会議種別：口頭発表（招待・特別）
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記述言語：英語
会議名：European project NetFiSiC -Marie Curie Initial Training Network Tutorial Seminar
国際・国内会議：国際会議
開催年月：2012年09月
開催地：St. Petersburg, Russia
タイトル：Present status of SiC bulk crystal growth.
会議種別：口頭発表（招待・特別）
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記述言語：英語
会議名：220th The Electrochemical Society Meeting
国際・国内会議：国際会議
開催年月：2011年10月
開催地：Boston, USA
タイトル：Toward the reduction of performance-limiting defects in SiC epitaxial substrates.
会議種別：口頭発表（招待・特別）
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記述言語：日本語
会議名：Electronic Journal第622回Technical Seminar
国際・国内会議：国内会議
開催年月：2010年11月
開催地：
タイトル：SiC単結晶ウェーハ製造技術★徹底解説
会議種別：口頭発表（招待・特別）
担当授業科目（学内） 【 表示 ／ 非表示 】
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履修年度：2022年度（西暦）
提供部署名：理工学部
授業科目名：エネルギー半導体工学
授業形式：代表者
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履修年度：2022年度（西暦）
提供部署名：理工学研究科前期
授業科目名：エネルギー半導体特論II
授業形式：代表者
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履修年度：2022年度（西暦）
提供部署名：理工学部
授業科目名：先進エネルギーナノ工学入門
授業形式：代表者
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履修年度：2022年度（西暦）
提供部署名：理工学部
授業科目名：卒業実験及び演習
授業形式：代表者
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履修年度：2022年度（西暦）
提供部署名：理工学部
授業科目名：固体電子論
授業形式：代表者
学内活動 【 表示 ／ 非表示 】
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活動名称：知財産学連携センター副長
活動期間：201604（年月） ～ 202303（年月） -
活動名称：知財産学連携センター委員
活動期間：201504（年月） ～ 202303（年月） -
活動名称：知財産学連携センター副長
活動期間：201404（年月） ～ 201503（年月）