大谷 昇
OHTANI Noboru



取得学位 【 表示 / 非表示 】
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学位名:Ph.D.
学位の分野名:電子・電気材料工学
学位授与機関名:Imperial College, University of London
取得方法:課程
取得年月:1993年07月
学内職務経歴 【 表示 / 非表示 】
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職務遂行組織:関西学院大学 学長直属
経歴名:教授
職務期間:2008年04月 ~ 2011年03月 -
職務遂行組織:関西学院大学 理工学部 物理学科
経歴名:教授
職務期間:2011年04月 ~ 2015年03月 -
職務遂行組織:関西学院大学 理工学部 先進エネルギーナノ工学科
経歴名:教授
職務期間:2015年04月 ~ 継続中
所属学会・委員会 【 表示 / 非表示 】
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所属学会:応用物理学会
学会所在国:日本国
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所属学会:日本物理学会
学会所在国:日本国
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所属学会:日本結晶成長学会
学会所在国:日本国
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所属学会:米国電気化学会
学会所在国:アメリカ合衆国
論文 【 表示 / 非表示 】
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記述言語:英語
論文題目名:Formation of basal plane stacking faults on the (000-1) facet of heavily nitrogen-doped 4H-SiC single crystals during physical vapor transport growth
掲載誌名:Journal of Crystal Growth 478巻 (頁 174 ~ )
掲載誌 発行年月:2017年10月
著者氏名(共著者含):K. Ohtomo1, N. Matsumoto, K. Ashida, T. Kaneko, N. Ohtani, M. Katsuno, S. Sato, H. Tsuge and T. Fujimoto掲載種別:研究論文(学術雑誌)
共著区分:共著
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記述言語:英語
論文題目名:Wide (0001) terrace formation due to step bunching on a vicinal 4H-SiC (0001) epitaxial layer surface
掲載誌名:Journal of Applied Physics 122巻 (頁 075702 ~ )
掲載誌 発行年月:2017年08月
著者氏名(共著者含):Y. Tabuchi, K. Ashida, M. Sonoda, T. Kaneko, N. Ohtani, M. Katsuno, S. Sato, H. Tsuge and T. Fujimoto掲載種別:研究論文(学術雑誌)
共著区分:共著
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記述言語:英語
論文題目名:Theoretical investigation of the formation of basal plane stacking faults in heavily nitrogen-doped 4H-SiC crystals
掲載誌名:Journal of Applied Physics 119巻 (頁 145704 ~ )
掲載誌 発行年月:2016年10月
著者氏名(共著者含):C. Taniguchi, A. Ichimura, N. Ohtani, M. Katsuno, T. Fujimoto, Shinya Sato, H. Tsuge and T. YanoDOI:http://dx.doi.org/10.1063/1.4945773
掲載種別:研究論文(学術雑誌)
共著区分:単著
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記述言語:英語
論文題目名:Surface morphology and step instability on the (000-1)C facet of physical vapor transport-grown 4H-SiC single crystal boules
掲載誌名:Journal of Crystal Growth 431巻 (頁 24 ~ 31)
掲載誌 発行年月:2015年12月
著者氏名(共著者含):T. Yamaguchi, K. Ohtomo, Shunsuke Sato, N. Ohtani, M. Katsuno, T. Fujimoto, Shinya Sato, H. Tsuge and T. YanoDOI:http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2015.09.002
掲載種別:研究論文(学術雑誌)
共著区分:単著
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記述言語:英語
論文題目名:The crystallographic orientation dependence of SEM contrast revealed by SiC polytypes
掲載誌名:Journal of Vacuum Science & Technology B 33巻 (頁 04E104 ~ )
掲載誌 発行年月:2015年07月
著者氏名(共著者含):K. Ashida, T. Kajino, Y. Kutsuma, N. Ohtani and T. KanekoDOI:http://dx.doi.org/10.1116/1.4927136
掲載種別:研究論文(学術雑誌)
共著区分:単著
著書 【 表示 / 非表示 】
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記述言語:日本語
著書名:OHM大学テキスト 固体物性工学
出版機関名:オーム社
発行年月:2012年10月
著者氏名(共著者含):大谷 昇
著書種別:単行本(学術書)
著書形態:共著
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記述言語:日本語
著書名:半導体SiC 技術と応用 第2版
出版機関名:日刊工業新聞社
発行年月:2011年09月
著者氏名(共著者含):松波弘之、大谷昇、木本恒暢、中村孝
著書種別:単行本(学術書)
著書形態:共著
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記述言語:日本語
著書名:『次世代パワー半導体-省エネルギー社会に向けたデバイス開発の最前線-』第1章、第1編、第1節
出版機関名:株式会社エヌ・ティー・エス
発行年月:2009年10月
著者氏名(共著者含):大谷 昇
著書種別:単行本(学術書)
著書形態:共著
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記述言語:日本語
著書名:『パワーエレクトロニクスの新展開』第1章、第2節 「SiC単結晶基板の高品質化技術」
出版機関名:シーエムシー出版
発行年月:2009年09月
著者氏名(共著者含):大谷 昇
著書種別:単行本(学術書)
著書形態:共著
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記述言語:英語
著書名:Wide Bandgap Semiconductors – Fundamental Properties and Modern Photonic and Electronic Devices
出版機関名:Springer, Berlin
発行年月:2007年04月
著者氏名(共著者含):N. Ohtani edited by Kiyoshi Takahashi, Akihiko Yoshikawa, Adarsh Sandhu
著書種別:単行本(学術書)
著書形態:共著
知的財産権 【 表示 / 非表示 】
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知的財産権区分:特許
発明の名称:METHOD FOR TREATING SURFACE OF SILICON-CARBIDE SUBSTRATE
発明(考案)者名:Tadaaki Kaneko,Noboru Ohtani,Kenta Hagiwara
出願番号:15/096596,2014年06月06日
出願人名称:学校法人関西学院
出願国:アメリカ合衆国
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知的財産権区分:特許
発明の名称:METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR WAFER AND SEMICONDUCTOR WAFER
発明(考案)者名:Tadaaki Kaneko,Noboru Ohtani,Shoji Ushio,他
出願番号:14/240,710,2012年08月24日
登録番号:US9,029,219,2015年05月12日
出願人名称:Kwansei Gakuin Educational Foundation,他
出願国:アメリカ合衆国
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知的財産権区分:特許
発明の名称:半導体ウエハの製造方法及び半導体ウエハ
発明(考案)者名:金子忠昭,大谷昇,牛尾昌史,他
出願番号:PCT/JP2012/005301,2012年08月24日
出願人名称:学校法人関西学院,他
出願国:その他
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知的財産権区分:特許
発明の名称:半導体装置、オーミック電極の形成方法、半導体装置の製造方法
発明(考案)者名:金子忠昭,大谷昇,牛尾昌史,他
出願番号:特願2012-052231,2012年03月08日
出願人名称:学校法人関西学院,他
出願国:日本国
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知的財産権区分:特許
発明の名称:半導体ウエハの製造方法及び半導体ウエハ
発明(考案)者名:金子忠昭,大谷昇,牛尾昌史,他
出願番号:特願2011-185181,2011年08月26日
公開番号:特許第5875143号,2016年01月29日
出願人名称:学校法人関西学院,他
出願国:日本国
研究発表 【 表示 / 非表示 】
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発表(記述)言語:英語
会議名称:European Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2014 (ECSCRM2014)
会議区分:国際会議
開催期間:2014年09月
開催場所:Grenoble, France
題目又はセッション名:Structural and electrical characterization of the initial stage of physical vapor transport growth of 4H-SiC crystals
発表形態:口頭(招待・特別)
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発表(記述)言語:英語
会議名称:The 6th International Workshop on Crystal Growth Technology (IWCGT-6)
会議区分:国際会議
開催期間:2014年06月
開催場所:Berlin, Germany
題目又はセッション名:SiC epitaxial substrate: present status and prospect
発表形態:口頭(招待・特別)
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発表(記述)言語:英語
会議名称:European project NetFiSiC -Marie Curie Initial Training Network Tutorial Seminar
会議区分:国際会議
開催期間:2012年09月
開催場所:St. Petersburg, Russia
題目又はセッション名:Present status of SiC bulk crystal growth.
発表形態:口頭(招待・特別)
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発表(記述)言語:英語
会議名称:220th The Electrochemical Society Meeting
会議区分:国際会議
開催期間:2011年10月
開催場所:Boston, USA
題目又はセッション名:Toward the reduction of performance-limiting defects in SiC epitaxial substrates.
発表形態:口頭(招待・特別)
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発表(記述)言語:日本語
会議名称:Electronic Journal第622回Technical Seminar
会議区分:国内会議
開催期間:2010年11月
開催場所:
題目又はセッション名:SiC単結晶ウェーハ製造技術★徹底解説
発表形態:口頭(招待・特別)
担当授業科目 【 表示 / 非表示 】
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履修年度:2021年度(西暦)
提供部署名:理工学部
授業科目名:エネルギー半導体工学
授業形式:代表者
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履修年度:2021年度(西暦)
提供部署名:理工学部
授業科目名:先進エネルギーナノ工学入門
授業形式:代表者
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履修年度:2021年度(西暦)
提供部署名:理工学部
授業科目名:卒業実験及び演習
授業形式:代表者
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履修年度:2021年度(西暦)
提供部署名:理工学部
授業科目名:固体電子論
授業形式:代表者
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履修年度:2021年度(西暦)
提供部署名:理工学部
授業科目名:基礎物理学実験II
授業形式:代表者
学内委員会等 【 表示 / 非表示 】
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活動名称:知財産学連携センター副長
活動期間:2016年04月 ~ 2022年03月 -
活動名称:知財産学連携センター委員
活動期間:2015年04月 ~ 2022年03月 -
活動名称:知財産学連携センター副長
活動期間:2014年04月 ~ 2015年03月