大谷 昇
OHTANI Noboru
職名
教授
研究分野・キーワード
半導体材料, 結晶成長, 欠陥物理
研究概要
SiC単結晶の結晶成長並びに結晶欠陥の研究。
SDGs 関連ゴール
取得学位 【 表示 ／ 非表示 】
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学位名：Ph.D.
学位の分野名：電子・電気材料工学
学位授与機関名：Imperial College, University of London
取得方法：課程
取得年月：1993年07月
学内職務経歴 【 表示 ／ 非表示 】
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職務遂行組織：関西学院大学 学長直属
経歴名：教授
職務期間：2008年04月 ～ 2011年03月 -
職務遂行組織：関西学院大学 理工学部 物理学科
経歴名：教授
職務期間：2011年04月 ～ 2015年03月 -
職務遂行組織：関西学院大学 理工学部 先進エネルギーナノ工学科
経歴名：教授
職務期間：2015年04月 ～ 継続中
所属学会・委員会 【 表示 ／ 非表示 】
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所属学会：応用物理学会
学会所在国：日本国
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所属学会：日本物理学会
学会所在国：日本国
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所属学会：日本結晶成長学会
学会所在国：日本国
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所属学会：米国電気化学会
学会所在国：アメリカ合衆国
論文 【 表示 ／ 非表示 】
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記述言語：英語
論文題目名：Formation of basal plane stacking faults on the (000-1) facet of heavily nitrogen-doped 4H-SiC single crystals during physical vapor transport growth
掲載誌名：Journal of Crystal Growth 478巻 （頁 174 ～ ）
掲載誌 発行年月：2017年10月
著者氏名（共著者含）：K. Ohtomo1, N. Matsumoto, K. Ashida, T. Kaneko, N. Ohtani, M. Katsuno, S. Sato, H. Tsuge and T. Fujimoto掲載種別：研究論文（学術雑誌）
共著区分：共著
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記述言語：英語
論文題目名：Wide (0001) terrace formation due to step bunching on a vicinal 4H-SiC (0001) epitaxial layer surface
掲載誌名：Journal of Applied Physics 122巻 （頁 075702 ～ ）
掲載誌 発行年月：2017年08月
著者氏名（共著者含）：Y. Tabuchi, K. Ashida, M. Sonoda, T. Kaneko, N. Ohtani, M. Katsuno, S. Sato, H. Tsuge and T. Fujimoto掲載種別：研究論文（学術雑誌）
共著区分：共著
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記述言語：英語
論文題目名：Theoretical investigation of the formation of basal plane stacking faults in heavily nitrogen-doped 4H-SiC crystals
掲載誌名：Journal of Applied Physics 119巻 （頁 145704 ～ ）
掲載誌 発行年月：2016年10月
著者氏名（共著者含）：C. Taniguchi, A. Ichimura, N. Ohtani, M. Katsuno, T. Fujimoto, Shinya Sato, H. Tsuge and T. YanoDOI：http://dx.doi.org/10.1063/1.4945773
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
共著区分：単著
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記述言語：英語
論文題目名：Surface morphology and step instability on the (000-1)C facet of physical vapor transport-grown 4H-SiC single crystal boules
掲載誌名：Journal of Crystal Growth 431巻 （頁 24 ～ 31）
掲載誌 発行年月：2015年12月
著者氏名（共著者含）：T. Yamaguchi, K. Ohtomo, Shunsuke Sato, N. Ohtani, M. Katsuno, T. Fujimoto, Shinya Sato, H. Tsuge and T. YanoDOI：http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2015.09.002
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
共著区分：単著
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記述言語：英語
論文題目名：The crystallographic orientation dependence of SEM contrast revealed by SiC polytypes
掲載誌名：Journal of Vacuum Science & Technology B 33巻 （頁 04E104 ～ ）
掲載誌 発行年月：2015年07月
著者氏名（共著者含）：K. Ashida, T. Kajino, Y. Kutsuma, N. Ohtani and T. KanekoDOI：http://dx.doi.org/10.1116/1.4927136
掲載種別：研究論文（学術雑誌）
共著区分：単著
著書 【 表示 ／ 非表示 】
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記述言語：日本語
著書名：OHM大学テキスト 固体物性工学
出版機関名：オーム社
発行年月：2012年10月
著者氏名（共著者含）：大谷 昇
著書種別：単行本（学術書）
著書形態：共著
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記述言語：日本語
著書名：半導体SiC 技術と応用 第2版
出版機関名：日刊工業新聞社
発行年月：2011年09月
著者氏名（共著者含）：松波弘之、大谷昇、木本恒暢、中村孝
著書種別：単行本（学術書）
著書形態：共著
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記述言語：日本語
著書名：『次世代パワー半導体－省エネルギー社会に向けたデバイス開発の最前線－』第1章、第1編、第1節
出版機関名：株式会社エヌ・ティー・エス
発行年月：2009年10月
著者氏名（共著者含）：大谷 昇
著書種別：単行本（学術書）
著書形態：共著
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記述言語：日本語
著書名：『パワーエレクトロニクスの新展開』第1章、第2節 「SiC単結晶基板の高品質化技術」
出版機関名：シーエムシー出版
発行年月：2009年09月
著者氏名（共著者含）：大谷 昇
著書種別：単行本（学術書）
著書形態：共著
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記述言語：英語
著書名：Wide Bandgap Semiconductors – Fundamental Properties and Modern Photonic and Electronic Devices
出版機関名：Springer, Berlin
発行年月：2007年04月
著者氏名（共著者含）：N. Ohtani edited by Kiyoshi Takahashi, Akihiko Yoshikawa, Adarsh Sandhu
著書種別：単行本（学術書）
著書形態：共著
知的財産権 【 表示 ／ 非表示 】
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知的財産権区分：特許
発明の名称：METHOD FOR TREATING SURFACE OF SILICON-CARBIDE SUBSTRATE
発明（考案）者名：Tadaaki Kaneko，Noboru Ohtani,Kenta Hagiwara
出願番号：15/096596，2014年06月06日
出願人名称：学校法人関西学院
出願国：アメリカ合衆国
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知的財産権区分：特許
発明の名称：METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR WAFER AND SEMICONDUCTOR WAFER
発明（考案）者名：Tadaaki Kaneko，Noboru Ohtani,Shoji Ushio，他
出願番号：14/240,710，2012年08月24日
登録番号：US9,029,219，2015年05月12日
出願人名称：Kwansei Gakuin Educational Foundation，他
出願国：アメリカ合衆国
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知的財産権区分：特許
発明の名称：半導体ウエハの製造方法及び半導体ウエハ
発明（考案）者名：金子忠昭，大谷昇，牛尾昌史，他
出願番号：PCT/JP2012/005301，2012年08月24日
出願人名称：学校法人関西学院，他
出願国：その他
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知的財産権区分：特許
発明の名称：半導体装置、オーミック電極の形成方法、半導体装置の製造方法
発明（考案）者名：金子忠昭，大谷昇，牛尾昌史，他
出願番号：特願2012-052231，2012年03月08日
出願人名称：学校法人関西学院，他
出願国：日本国
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知的財産権区分：特許
発明の名称：半導体ウエハの製造方法及び半導体ウエハ
発明（考案）者名：金子忠昭，大谷昇，牛尾昌史，他
出願番号：特願2011-185181，2011年08月26日
公開番号：特許第5875143号，2016年01月29日
出願人名称：学校法人関西学院，他
出願国：日本国
研究発表 【 表示 ／ 非表示 】
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発表（記述）言語：英語
会議名称：European Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2014 (ECSCRM2014)
会議区分：国際会議
開催期間：2014年09月
開催場所：Grenoble, France
題目又はセッション名：Structural and electrical characterization of the initial stage of physical vapor transport growth of 4H-SiC crystals
発表形態：口頭（招待・特別）
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発表（記述）言語：英語
会議名称：The 6th International Workshop on Crystal Growth Technology (IWCGT-6)
会議区分：国際会議
開催期間：2014年06月
開催場所：Berlin, Germany
題目又はセッション名：SiC epitaxial substrate: present status and prospect
発表形態：口頭（招待・特別）
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発表（記述）言語：英語
会議名称：European project NetFiSiC -Marie Curie Initial Training Network Tutorial Seminar
会議区分：国際会議
開催期間：2012年09月
開催場所：St. Petersburg, Russia
題目又はセッション名：Present status of SiC bulk crystal growth.
発表形態：口頭（招待・特別）
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発表（記述）言語：英語
会議名称：220th The Electrochemical Society Meeting
会議区分：国際会議
開催期間：2011年10月
開催場所：Boston, USA
題目又はセッション名：Toward the reduction of performance-limiting defects in SiC epitaxial substrates.
発表形態：口頭（招待・特別）
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発表（記述）言語：日本語
会議名称：Electronic Journal第622回Technical Seminar
会議区分：国内会議
開催期間：2010年11月
開催場所：
題目又はセッション名：SiC単結晶ウェーハ製造技術★徹底解説
発表形態：口頭（招待・特別）
担当授業科目 【 表示 ／ 非表示 】
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履修年度：2021年度（西暦）
提供部署名：理工学部
授業科目名：エネルギー半導体工学
授業形式：代表者
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履修年度：2021年度（西暦）
提供部署名：理工学部
授業科目名：先進エネルギーナノ工学入門
授業形式：代表者
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履修年度：2021年度（西暦）
提供部署名：理工学部
授業科目名：卒業実験及び演習
授業形式：代表者
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履修年度：2021年度（西暦）
提供部署名：理工学部
授業科目名：固体電子論
授業形式：代表者
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履修年度：2021年度（西暦）
提供部署名：理工学部
授業科目名：基礎物理学実験II
授業形式：代表者
学内委員会等 【 表示 ／ 非表示 】
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活動名称：知財産学連携センター副長
活動期間：2016年04月 ～ 2022年03月 -
活動名称：知財産学連携センター委員
活動期間：2015年04月 ～ 2022年03月 -
活動名称：知財産学連携センター副長
活動期間：2014年04月 ～ 2015年03月